红外量子点层及其制备方法、红外感光元件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114702948B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202210186406.8

    申请日:2022-02-28

    摘要: 本公开涉及红外量子点层及其制备方法、红外感光元件及其制备方法,红外量子点层的制备方法包括制备预置量子点、非极性长链配体溶液、极性短链配体溶液和固体配体液;其中,预置量子点溶解在非极性长链配体溶液中;将溶解有预置量子点的非极性长链配体溶液与极性短链配体溶液混合,使量子点向极性短链配体转移,形成预置溶液;采用预置溶液,形成预置膜层;利用固体配体液对预置膜层进行固体配体法处理,钝化预置膜层表面的缺陷态,形成红外量子点层。通过本公开的技术方案,提高了红外量子点层中载流子的迁移率和红外感光元件的光电响应效率。

    CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法

    公开(公告)号:CN115768151A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211424868.5

    申请日:2022-11-14

    摘要: 本公开实施例涉及一种CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法,该成像芯片包括基底;探测单元,设置在基底的一侧,且阵列排布;探测单元包括可见光探测子单元和红外光探测子单元;可见光探测子单元在基底上的垂直投影与红外光探测子单元在基底上的垂直投影间错开;可见光探测子单元用于响应可见光输出对应的第一电信号;红外光探测子单元用于响应红外光输出对应的第二电信号;金属布线层,红外光探测子单元连接于金属布线层背离基底的一侧。由此,在现有的探测可见光CMOS成像芯片的基础上,将可见光探测子单元与红外光探测子单元结合至同一芯片,扩展了红外光探测波段,实现红外‑可见光宽光谱的成像探测。

    常温混相配体交换用于调控红外胶体量子点带状输运的方法及应用

    公开(公告)号:CN115109467A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210592120.X

    申请日:2022-05-27

    IPC分类号: C09D11/50 C09D11/00

    摘要: 本发明涉及一种常温混相配体交换用于调控红外胶体量子点带状输运的方法及应用,属于光电传感器材料制备技术领域。它包括在硫汞系胶体量子点合成中,在常温下采用短链2‑巯基乙醇替换如油胺长链配体并将胶体量子点转移至极性溶液中,还包括向极性溶液中加入汞盐或硫化物实现对量子点的n型或p型掺杂,以及在成膜后采用乙二硫醇替换量子点表面的短链2‑巯基乙醇。本发明通过构建量子点与配体之间合适的能级匹配,有利于提高量子点间耦合,提高了量子点薄膜的电子传输性能,且可通过对量子点表面的修饰实现量子点的可调式掺杂。

    成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN114551486A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210028630.4

    申请日:2022-01-11

    IPC分类号: H01L27/146 H01L31/0352

    摘要: 本公开涉及一种成像器件、其制备方法、成像阵列及其制备方法,该方法包括:提供量子点光敏材料;基于量子点光敏材料,形成层叠设置的光电二极管;其中,光电二极管包括至少一个第一二极管和至少两个第二二极管,第一二极管和第二二极管依次间隔设置;各第一二极管在第一方向电压下导通,各第二二极管在第二方向电压下导通;第一方向电压和第二方向电压分别为正向电压和反向电压中的一种。由此,该方法不需要焊接烟柱,避免了由烟柱引起的信号响应不均匀和盲元等问题;同时还降低了工序复杂度,减少制造成本。该方法制备的成像器件通过调制偏压实现两种探测模式的切换,简化了成像光路系统与后期软件处理过程,降低了像素损失率和对准偏差。

    红外-多色上转化成像焦平面器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN113984216A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111248637.9

    申请日:2021-10-26

    IPC分类号: G01J5/10 G01J1/42 H04N5/33

    摘要: 本公开涉及红外‑可见光多色上转化成像焦平面器件及其制备方法,该制备方法形成的器件包括:量子点红外光电探测器与量子点发光二极管;量子点红外光电探测器与量子点发光二极管通过中间导电层串联连接;且,量子点红外光探测器用于探测不同波段的红外光;对应的,量子点发光二极管用于发出至少两种不同颜色的可见光。基于此,量子点红外光探测器接收到不同波段的红外光时,其内部的电阻减小,与量子点红外光探测器串联的量子点发光二极管的电流增大,当电流大于量子点发光二极管的开启电流时,量子点发光二极管发出对应颜色的可见光;通过设置探测不同波段的红外光时对应发出至少两种不同颜色的可见光,使得该器件能够对红外图像进行彩色显示。

    非倒装键合体式硫系铅焦平面阵列器及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115188778A

    公开(公告)日:2022-10-14

    申请号:CN202210753518.7

    申请日:2022-06-28

    IPC分类号: H01L27/146

    摘要: 本发明涉及一种非倒装键合体式硫系铅焦平面阵列器及其制备方法与应用,属于光电传感器制备工艺技术领域。本发明设计的制备方法解决了倒装键合工艺复杂,成品率低,成本高的问题,采用硫系铅薄膜具备的大面积均匀性和易与硅衬底集成的特性,直接在硅衬底上沉积生长制备焦平面阵列,同时在化学水浴沉积过程中,采用竖直布置衬底的方式,可一次性生成多个基片,有利于保证产品质量稳定性。故本发明设计的阵列器件质量稳定,探测率、响应率也表现良好。

    非倒装键合体式捕获型胶体量子点短波红外焦平面阵列器及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115132769A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210625624.7

    申请日:2022-06-02

    摘要: 本发明涉及一种非倒装键合体式捕获型胶体量子点短波红外焦平面阵列器及其制备方法与应用,属于光电传感器技术领域。该阵列器的制备方法包括首先采用光刻和真空蒸镀工艺在焦平面阵列读出电路表面的每个像素内沉积出一个中心像素电极和一个环形电极,各中心像素电极和各环形电极构成金属电极,再将制备好的硫系汞量子点墨水、汞盐掺杂的硫系汞量子点墨水或硫化物掺杂的硫系汞量子点墨水采用一步涂覆法依次修饰在所述焦平面阵列读出电路表面,在涂覆过程中采用1,2‑二硫醇、盐酸、异丙醇进行固体配体交换直至涂覆成膜完成。采用该工艺制备的焦平面阵列器具备光谱调控容易、探测波段相对较宽、光电响应强及应用成本低的优点。

    一种异构变分辨率点云成像可视化方法

    公开(公告)号:CN114638942A

    公开(公告)日:2022-06-17

    申请号:CN202210257552.5

    申请日:2022-03-16

    IPC分类号: G06T17/20 G06T15/00 G06T5/50

    摘要: 本发明公开一种异构变分辨率点云成像可视化方法,包括以下步骤:构建异构变分辨率点云成像激光雷达模型;利用所述异构变分辨率点云成像激光雷达模型,对目标物进行异构变分辨率点云成像扫描,采集点云数据,并显示所述点云数据;对可见光波段与所述点云数据进行融合显示。本发明构建异构变分辨率点云成像激光三维成像系统并且能完成异构变分辨率点云成像点云的实时显示,此外基于高精度的三维模型实现可见光波段与点云数据的三维图像融合可视化显示。

    偏压调控的同质结量子点光伏型探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118538801A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202310182200.2

    申请日:2023-02-21

    摘要: 本公开实施例涉及一种偏压调控的同质结量子点光伏型探测器及其制备方法,该制备方法包括:提供量子点光导型探测器;量子点光导型探测器形成有基底、设置于基底一侧且平面耦合的电极和量子点薄膜;提供掺杂溶液并将量子点光导型探测器浸泡至掺杂溶液;向浸泡后的量子点光导型探测器施加预设电压,形成偏压调控的同质结量子点光伏型探测器;其中,同质结包括PP结、PN结或NN结。本公开实施例,通过对浸泡至掺杂溶液后的量子点光导型探测器进行偏压调控,基于施加的预设电压得到对应同质结的量子点光伏型探测器,突破了传统制备方法中对器件固有层面的限制,实现了对器件结构的调节和功能的扩展,利于实时适应实际生产中对光探测器的需求。