-
公开(公告)号：CN116904197A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310629714.8
申请日：2023-05-30
Applicant: 北京理工大学
IPC: C09K11/89 , B82Y20/00 , H01L31/0352 , H01L27/146
Abstract: 本公开实施例涉及红外量子点、红外器件及其制备方法，该红外量子点的制备方法包括：提供用于制备红外量子点的材料；基于材料，形成汞前驱体溶液、具有第一活性的第一碲前驱体溶液以及具有第二活性的第二碲前驱体溶液；第一活性高于第二活性；基于第一碲前驱体溶液和汞前驱体溶液，形成量子点过渡溶液；以及基于量子点过渡溶液和第二碲前驱体溶液，形成包含红外量子点的溶液，以得到红外量子点。由此，通过形成活性不同的碲前驱体溶液，采用两步法合成量子点，使得量子点分散性较好，利于大面积器件的均一化制备的同时，其半峰宽窄且吸收边尖锐，有利于降低薄膜中量子点的热激发载流子浓度，降低了因吸收边宽而导致的暗电流和噪声。
-
公开(公告)号：CN114702948A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210186406.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/89 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及红外量子点层及其制备方法、红外感光元件及其制备方法，红外量子点层的制备方法包括制备预置量子点、非极性长链配体溶液、极性短链配体溶液和固体配体液；其中，预置量子点溶解在非极性长链配体溶液中；将溶解有预置量子点的非极性长链配体溶液与极性短链配体溶液混合，使量子点向极性短链配体转移，形成预置溶液；采用预置溶液，形成预置膜层；利用固体配体液对预置膜层进行固体配体法处理，钝化预置膜层表面的缺陷态，形成红外量子点层。通过本公开的技术方案，提高了红外量子点层中载流子的迁移率和红外感光元件的光电响应效率。
-
公开(公告)号：CN114702948B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210186406.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: C09K11/02 , C09K11/89 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及红外量子点层及其制备方法、红外感光元件及其制备方法，红外量子点层的制备方法包括制备预置量子点、非极性长链配体溶液、极性短链配体溶液和固体配体液；其中，预置量子点溶解在非极性长链配体溶液中；将溶解有预置量子点的非极性长链配体溶液与极性短链配体溶液混合，使量子点向极性短链配体转移，形成预置溶液；采用预置溶液，形成预置膜层；利用固体配体液对预置膜层进行固体配体法处理，钝化预置膜层表面的缺陷态，形成红外量子点层。通过本公开的技术方案，提高了红外量子点层中载流子的迁移率和红外感光元件的光电响应效率。
-
公开(公告)号：CN115768151A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211424868.5
申请日：2022-11-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本公开实施例涉及一种CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法，该成像芯片包括基底；探测单元，设置在基底的一侧，且阵列排布；探测单元包括可见光探测子单元和红外光探测子单元；可见光探测子单元在基底上的垂直投影与红外光探测子单元在基底上的垂直投影间错开；可见光探测子单元用于响应可见光输出对应的第一电信号；红外光探测子单元用于响应红外光输出对应的第二电信号；金属布线层，红外光探测子单元连接于金属布线层背离基底的一侧。由此，在现有的探测可见光CMOS成像芯片的基础上，将可见光探测子单元与红外光探测子单元结合至同一芯片，扩展了红外光探测波段，实现红外‑可见光宽光谱的成像探测。
-
公开(公告)号：CN114702960B
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210186075.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18 , C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00
Abstract: 本公开涉及红外量子点层及其制备方法、红外探测器及其制备方法，该红外量子点层的制备方法包括：将第一用量和第二用量的第一类型先引物分别溶解在第一配体溶液中，对应得到第一掺杂浓度和第二掺杂浓度的第一类型前驱体溶液，第二用量不等于第一用量；将第二用量的第一类型先引物溶解在第一配体溶液中，得到第二掺杂浓度的第一类型前驱体溶液；基于两种不同掺杂浓度的第一类型前驱体溶液和第二类型前驱体溶液，对应得到不同掺杂浓度的红外量子点，并进一步形成第一红外量子点子层和第二红外量子点子层，以构建带内跃迁型PN结。由此，形成带内跃迁型红外量子点层，有利于提高探测精准性；且基于溶液法制备，方法简单，工艺难度较小，成本较低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115734629A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211425533.5
申请日：2022-11-14
Applicant: 北京理工大学
Abstract: 本公开实施例涉及一种CMOS量子点成像芯片及其制备方法和驱动方法，该CMOS量子点成像芯片包括基底；探测单元，设置在基底的一侧，且阵列排布；探测单元包括紫外光‑可见光探测子单元和红外光探测子单元；紫外光‑可见光探测子单元在基底上的垂直投影与红外光探测子单元在基底上的垂直投影间错开；紫外光‑可见光探测子单元用于响应入射的紫外光和入射的可见光输出对应的电信号；红外光探测子单元用于响应红外光输出对应的电信号。由此，在现有的探测可见光CMOS成像芯片的基础上，将紫外光‑可见光探测子单元和红外光探测子单元结合至同一芯片，扩展了紫外光和红外光探测波段，实现了基于同一CMOS量子点成像芯片的紫外光‑可见光‑红外光宽光谱的成像探测。
-
公开(公告)号：CN115295641A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210592122.9
申请日：2022-05-27
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/102 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种短中红外波段通用的硫汞族胶体量子点同质结光伏探测器及其制备方法与应用，属于光电传感器技术领域。该探测器包括底电极、顶电极和本征硫汞族量子点层，还包括p型硫汞族量子点层和/或n型硫汞族量子点层；其中，本征硫汞族量子点层与p型硫汞族量子点层形成I‑P或P‑I同质结；本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成I‑N或N‑I同质结；p型硫汞族量子点层、本征硫汞族量子点层与n型硫汞族量子点层形成P‑I‑N或N‑I‑P同质结。该探测器对短中红外波在室温下响应率好、比探测率高、外量子效率高，而且还具备相对比较广的探测温度。
-
公开(公告)号：CN114702960A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210186075.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: C09K11/88 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 本公开涉及红外量子点层及其制备方法、红外探测器及其制备方法，该红外量子点层的制备方法包括：将第一用量和第二用量的第一类型先引物分别溶解在第一配体溶液中，对应得到第一掺杂浓度和第二掺杂浓度的第一类型前驱体溶液，第二用量不等于第一用量；将第二用量的第一类型先引物溶解在第一配体溶液中，得到第二掺杂浓度的第一类型前驱体溶液；基于两种不同掺杂浓度的第一类型前驱体溶液和第二类型前驱体溶液，对应得到不同掺杂浓度的红外量子点，并进一步形成第一红外量子点子层和第二红外量子点子层，以构建带内跃迁型PN结。由此，形成带内跃迁型红外量子点层，有利于提高探测精准性；且基于溶液法制备，方法简单，工艺难度较小，成本较低。
-
公开(公告)号：CN218039206U
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202221651105.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种基于TFT背板的胶体量子点探测多波段探测器件，包括：衬底基板；探测单元，阵列排布在衬底基板的一侧；其中，单个探测单元包括TFT器件以及与TFT器件连接的多波段胶体量子点光电管；多波段胶体量子点光电管中的至少三个串联设置的光电管响应于TFT器件的控制而选择性工作，以实现至少三个波段下至少两种模式的探测。基于此，多色胶体量子点薄膜结构可以通过调整偏压的大小和方向实现多色成像，多色成像与单色成像相比，包含了更多成像目标的信息，可以有效的减少杂波，提高所需的对比度，能很大程度的提高系统的整体性能。
-
公开(公告)号：CN218160377U
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202221651183.X
申请日：2022-06-28
Applicant: 北京理工大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种基于TFT背板的胶体量子点大面阵双波段探测器件，包括：衬底基板；探测单元，阵列排布在衬底基板的一侧；其中，单个探测单元包括TFT器件以及与TFT器件连接的双波段胶体量子点光电二极管，双波段量子点光电二极管中的两个串联设置的光电二极管响应于TFT器件的控制择一工作。基于上述器件，相比于仅包含单一光谱信息的单色成像系统，双色成像包含两个不同光谱的信息，可以从多个维度获取成像目标的信息，获取更加丰富的图像信息。TFT制备工艺工作温度低，可以制备到玻璃衬底基板上，且适合制备大面积器件。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.021 seconds)
