偏压调控的同质结量子点光伏型探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118538801A

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202310182200.2

    申请日:2023-02-21

    Abstract: 本公开实施例涉及一种偏压调控的同质结量子点光伏型探测器及其制备方法,该制备方法包括:提供量子点光导型探测器;量子点光导型探测器形成有基底、设置于基底一侧且平面耦合的电极和量子点薄膜;提供掺杂溶液并将量子点光导型探测器浸泡至掺杂溶液;向浸泡后的量子点光导型探测器施加预设电压,形成偏压调控的同质结量子点光伏型探测器;其中,同质结包括PP结、PN结或NN结。本公开实施例,通过对浸泡至掺杂溶液后的量子点光导型探测器进行偏压调控,基于施加的预设电压得到对应同质结的量子点光伏型探测器,突破了传统制备方法中对器件固有层面的限制,实现了对器件结构的调节和功能的扩展,利于实时适应实际生产中对光探测器的需求。

    基于俘获模式的胶体量子点光导型红外探测器及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN115295645A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202210592007.1

    申请日:2022-05-27

    Abstract: 本发明涉及一种基于俘获模式的胶体量子点光导型红外探测器及其制备方法与应用,属于光电探测器技术领域。该探测器包括第一胶体量子点层与相邻设置的第二胶体量子点层,还包括衬底和电极,且第一胶体量子点层相较于第二胶体量子点层更靠近电极设置;第一胶体量子点层的载流子迁移率大于第二胶体量子点层;第二胶体量子点层为p型半导体材料层,该p型半导体材料层中的空穴俘获第一胶体量子点层中的电子并用来降低电子‑空穴间复合噪声。本发明设计的探测器既具备优异的光响应率,又表现出良好的比探测率。

Patent Agency Ranking