-
公开(公告)号：CN103699710A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310577122.2
申请日：2013-11-18
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种基于脉冲激光的集成电路FIB快速定位方法，根据集成电路版图所提供的布局布线信息，调整显微镜分辨率，找到需要做FIB的区域，然后利用脉冲激光轰击所述需要做FIB的区域，做出烧蚀光斑标记，需要做FIB的区域为集成电路版图中的金属线表面或者空白区域表面，采用本发明方法能够大大提高定位精度和定位效率，可用将传统定位方法大约2个小时左右缩短到20分钟以内，特别是对重复单元较大区域或顶层金属布局无特征参时，可以使其定位效率提高2～4倍。
-
公开(公告)号：CN103076557A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210512499.5
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/317
Abstract: 一种Spacewire电路单粒子功能中断测试方法，步骤为：首先利用SPARCV8处理器和Spacewire电路分别建立两套测试系统，两套测试系统通过各自的Spacewire电路建立数据传输通道。然后将Spacewire电路B置于粒子辐照环境中。设定数据传输路径为测试系统A向测试系统B发送数据，测试系统B接收到数据后将接收到的数据再次转发给测试系统A；数据传输开始后，如果测试系统A无法向测试系统B发送数据或者测试系统A无法从测试系统B获取转发数据，则判断Spacewire电路B发生单粒子功能中断，根据回读的Spacewire电路B的控制寄存器的数据分析造成功能中断的原因。本发明方法可为开展单粒子效应与微电子器件相关研究提供依据。
-
公开(公告)号：CN103021469A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210512620.4
申请日：2012-11-30
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G11C29/44
Abstract: 一种存储器电路的通用单粒子效应检测方法，步骤为：(1)配置待测存储器为写状态并写入测试向量，然后将待测存储器置于辐照环境中；(2)若进行动态测试，则将待测存储器配置为读状态，将各地址单元存储的数据读出并与写入数据比较，将比较结果不一致的地址单元的数量作为总错误计数，并进一步分析各地址单元发生2位或以上数据翻转的情况；(3)若是静态测试，则将待测存储器配置为不读不写状态，当辐照过程中的累计辐照粒子达到标准后，顺序读出各地址单元内的数据并与写入数据比较，将比较结果不一致的地址单元的数量作为总错误计数。在辐照过程中，实时监测待测存储器的工作电流，当工作电流超过正常工作电流的1.5倍时判定发生闩锁。
-
公开(公告)号：CN113868043B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202111015116.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法，针对不同功能模块编写对应的测试程序，并按照设计的测试方案进行辐射试验，得到不同测试程序下单粒子功能错误截面联立解得各个独立功能模块的单粒子功能错误截面，为动态可重构芯片的单粒子辐射性能评估提供参考，为动态可重构芯片的抗辐射加固设计提供方向，本发明还公开了一种动态可重构芯片的单粒子功能错误测试系统，包括程控电源模块、上位机控制中心模块和控制区模块，为动态可重构芯片的单粒子功能错误测试方法的实现提供了稳定的测试环境。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116978418A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311097575.5
申请日：2023-08-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 一种激光模拟磁阻式随机存取存储器的单粒子闩锁评估方法，通过包括磁阻式随机存取存储器、试验电路板、线缆、程控电源，上位机的单粒子闩锁评估系统，首先进行背辐照样品制备及功能测试，以通过功能测试的磁阻式随机存取存储器进行激光单粒子闩锁试验，通过获取的单粒子闩锁阈值、单粒子闩锁饱和截面、SEL现象敏感位置信息实现单粒子抗闩锁特性的综合评估。
-
公开(公告)号：CN107342762B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710399969.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003 , H03K5/15
Abstract: 一种抗单粒子瞬态时钟树结构，包括根节点时钟驱动单元、子节点时钟驱动单元以及叶节点时钟驱动单元，根节点时钟驱动单元和子节点时钟驱动单元均为时钟反相器或者缓冲器，而叶节点时钟驱动单元为双路滤波器，双路滤波器可以消除发生于输入信号上的脉冲宽度小于滤波器内部设定的延迟时间的单粒子瞬态脉冲，且同一输入信号输出两路互不干扰的输出信号。每个双路滤波器驱动一定数量的双时钟抗单粒子时序单元。本发明显著提高时钟树网络抗单粒子瞬态的能力，有效降低时钟树网络受到辐射粒子轰击时，任意时钟节点以及多个时钟树节点上产生单粒子瞬态脉冲的概率，且相对于时序单元单粒子瞬态加固方式实现的集成电路，具有功耗低、速度快、面积小的特点。
-
公开(公告)号：CN107068674B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201611244566.4
申请日：2016-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/092
Abstract: 本发明公开了一种面积高效的抗单粒子闩锁加固版图结构，通过优化版图结构的设计，基于这种单元形成的集成电路，能够使用较小的面积开销解决单粒子效应引起的闩锁问题。N型MOS晶体管和P型MOS晶体管间形成叉指交错的阱、衬底结构，并通过阱上形成的阱接触、衬底上形成的衬底接触进行电荷收集，使得N型MOS晶体管和P型MOS晶体管间寄生的PNPN结构不被高能粒子撞击所触发形成正反馈通路。以较小的面积开销解决了单粒子效应引起的闩锁问题。
-
公开(公告)号：CN105634478B
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201510980908.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03L7/093
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子加固的时钟和数据恢复电路，包括采样器、鉴相器、数字滤波器、逻辑判决电路、编码器、多数判决器、相位插值器以及多相时钟生成电路。本发明采用逻辑判决电路，在时钟和数据恢复电路锁定的情况下，能够有效抑制单粒子效应造成的鉴相器鉴相错误和滤波器滤波错误传递至后续的编码器电路中，保证了传输给编码器的信号的正确性，通过编码器的冗余结构抑制单粒子效应造成的编码错误，从而有效避免锁定的时钟和数据恢复电路发生意外调节，极大地降低单粒子效应对相位锁定状态的影响，提高了电路的可靠性。
-
公开(公告)号：CN105445640B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510825255.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G01R31/265
Abstract: 基于脉冲激光设备的不同测试指令集的单粒子敏感性判定方法，考虑器件不同测试测试指令集之间的差异性以及应用环境的多样性，通过在不同测试指令集下进行脉冲激光单粒子试验，可以得到不同测试指令集之间的单粒子敏感系数，然后只需要在重离子加速器下进行某一测试指令集的单粒子辐照试验，通过计算就可以判定其他测试指令集下的单粒子辐照试验结果。这一方法解决了重离子机时紧张等不足，利用脉冲激光的机时灵活，操作简便，获取数据方便的优点，能够较好的解决单粒子敏感性判定中遇到的难题。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
96
records
(took 0.046 seconds)
