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公开(公告)号：CN116885011A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310798197.7
申请日：2023-06-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/337 , H01L29/16
摘要： 本发明一种抗单粒子烧毁的高压沟槽型SiC JFET器件结构和制备方法，所述新型抗单粒子烧毁的沟槽型SiC JFET结构的元胞包括：漏极金属电极、N+衬底区、N‑漂移区、栅极金属电极、栅极沟槽底部和侧壁离子注入形成的P型掺杂区、电流扩展层、N+源区以及与源区相连的源极金属电极。其中，P型掺杂区整体与栅极相连，其内部由不同掺杂浓度的P型区域构成，重掺杂区域位于栅极沟槽拐角处。该结构改善了器件内部的电场分布，可有效缓解重离子入射引发的器件内部局部高温情况，具有较强的抗单粒子烧毁能力。同时，该结构可于漂移区额外添加缓冲层，进一步提高器件的抗单粒子烧毁能力。
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公开(公告)号：CN116131811A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211485591.7
申请日：2022-11-24
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种FDSOI工艺的双电源冗余纠错瞬时剂量率辐射加固触发器，采用了电路和版图结合的设计加固方法。针对瞬时剂量率辐射导致电源电压发生扰动的问题，设计了双电源冗余纠错电路结构，可以将瞬时剂量率辐射导致的脉冲信号过滤；版图加固设计中将冗余电源设计为最短长度和最大宽度走线，可减小冗余电源电压的扰动。本发明通过双电源冗余纠错结构抑制了电源电压扰动造成的逻辑错误，提高了触发器单元的抗瞬时剂量率辐射能力，同时冗余电源非全局使用，加固代价小。
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公开(公告)号：CN115116536A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210604542.4
申请日：2022-05-30
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
摘要： 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器的总剂量效应评估方法及系统，本发明测试模式包括静态测试、动态读测试、动态写测试和不加电对比测试；通过分析不同测试模式下磁阻式随机存取存储器的总剂量辐射特性，能够有效评估总剂量效应。本发明评估方法对掌握磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应致错机理有重要意义，为磁阻式随机存取存储器总剂量辐射效应评估方案的制定提供重要支撑。
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公开(公告)号：CN118631216A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410589270.4
申请日：2024-05-13
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种抗单粒子多位翻转的锁存器电路，该锁存器电路包括：时钟控制反相器电路，由时钟信号CK1、CK2控制时钟控制反相器电路的导通或关闭，在导通时将数据信号传输至锁存单元；锁存单元，从时钟控制反相器电路接收数据信号，通过控制时钟信号CK1、CK2进行数据信号的锁存；SEU监控单元，监测锁存单元内部数据敏感节点是否发生单粒子翻转，若被监测锁存单元出现单粒子翻转，则通过片选控制单元将数据通道切换至其他锁存单元；片选控制单元，根据SEU监控单元的监测结果控制锁存单元输出的开启或关闭；反相器电路，对片选控制单元输出的数据信号，或时钟信号进行反相；本发明具有良好的单粒子加固能力，可实现抗单粒子多位翻转。
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公开(公告)号：CN118282385A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410352585.7
申请日：2024-03-26
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： H03K19/094 , H03K19/20
摘要： 本发明涉及一种冗余自恢复的抗多节点和时钟信号单粒子翻转锁存器，包括输入电路、第一锁存电路、第二锁存电路、输出电路、第一时钟信号电路CLK1和第二时钟信号电路CLK2，本发明将时钟信号电路进行冗余，分为两个相同的时钟信号电路CLK1及CLK2，第一锁存电路和第二锁存电路的工作状态由两个时钟信号电路的时钟信号控制，通过增加一条冗余锁存电路和一条冗余传输电路使得锁存器可以抵抗多节点单粒子翻转并具有自恢复的能力；冗余时钟信号电路使得锁存器可以抵抗时钟信号单粒子翻转。
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公开(公告)号：CN117761516A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311423998.1
申请日：2023-10-30
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G01R31/311 , G01R31/28
摘要： 本发明公开了一种评估可重构芯片单粒子功能错误敏感区间的方法，包括：使可重构芯片执行一个典型测试程序；分别对可重构芯片中的各功能模块进行激光辐照试验，获取各功能模块的单粒子功能错误饱和截面；使可重构芯片执行下一个典型测试程序，并重复上述步骤，直至执行完所有的典型测试程序；根据各典型测试程序下的单粒子功能错误饱和截面，得到各功能模块的单粒子功能错误敏感区间。本发明还公开了评估可重构芯片单粒子功能错误敏感区间的系统，包括程控电源模块、上位机控制中心模块和控制区模块。本发明能够得到可重构芯片的单粒子功能错误敏感区间，对于可重构芯片整体性能的评估提供重要支撑。
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公开(公告)号：CN116633322A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310343632.7
申请日：2023-03-31
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K3/3562
摘要： 本发明一种基于DICE的抗多节点单粒子翻转和时钟信号单粒子翻转的D型锁存器。通过设计由1个C单元及延迟结构组成的输入电路，可以抵抗输入信号的单粒子瞬态脉冲；由4个时钟控制的传输单元、DICE结构组成的锁存电路和由3个C单元及1个反相器组成的输出电路，可以抵抗多节点单粒子翻转；由4个反相器组成的双时钟信号电路使得锁存器可以抵抗时钟信号单粒子翻转。
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公开(公告)号：CN116545418A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310369146.2
申请日：2023-04-07
申请人： 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC分类号： H03K3/3562 , H03K3/011
摘要： 本发明公开了一种抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的抗辐射加固触发器电路，包括：反相器电路、时钟控制反相器电路、锁存单元、延迟电路和驱动反相器电路；第一反相器电路的输出端接第一时钟控制反相器电路的输入端和延迟电路的输入端；延迟电路的输出端接第二时钟控制反相器电路的输入端；第一时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元和第三时钟控制反相器电路；第二时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元和第四时钟控制反相器电路；第四时钟控制反相器电路的输出端接第二锁存单元；第三时钟控制反相器电路的输出端接第二锁存单元和驱动反相器电路。本发明可同时实现抗单粒子翻转加固和抗单粒子瞬态加固。
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公开(公告)号：CN117234994A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311246181.1
申请日：2023-09-25
申请人： 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC分类号： G06F15/163
摘要： 一种可动态配置的交叉开关互连结构电路，能够自动切换传递路径；能够动态切换传递路径，能够单时钟周期内改变传递路径，而不是传统交叉开关互连的静态的保持不变；能够对输入数据进行聚合和复用，聚合是指能够将不同输入端口的数据汇聚到一个输出端口，指定先后顺序输出，复用是指一个输入端口的数据能够分散到多个输出端口；能够对输入的数据进行整理，按照一定的规则对输入数据进行挑选。本发明适用于多核处理器芯片的交叉开关互连，能够使得交叉开关互连结构更加灵活、高效地实现数据传递。
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