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公开(公告)号：CN119298881A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410973826.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种FinFET工艺的冗余反馈锁存多层次抗单粒子加固触发器，包括数据输入结构、时钟输入结构、四个时钟控制结构，延时结构、数据主锁存结构、数据从锁存结构和数据输出结构，触发器对数据主锁存结构和数据从锁存结构均使用冗余反馈电路锁存数据，并使用延时结构对一路数据进行延时以滤除数据端的外来单粒子瞬态脉冲，通过冗余反馈锁存结构和延时单元实现了电路对单粒子单位/多位翻转、单粒子瞬态的多维度加固，显著提高了触发器的抗单粒子辐射加固能力；此外本发明优选采用电路和版图结合的设计加固方法，对单位栅极间距内的Fin设计为最大数量，并对敏感节点处器件使用叉指结构，同时将敏感节点对隔离布局，进一步增强抗单粒子多位翻转能力。
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公开(公告)号：CN106712765A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611029545.0
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/0185
CPC classification number: H03K19/018521
Abstract: 本发明涉及一种基于CMOS工艺的PECL发送器接口电路。该接口电路主要由两个互补的输出支路构成，每个支路含有一个开关管控制的电流漏和一个常通电流漏，两个支路共用一个偏置电路。所述常通电流漏用于产生输出低电平电流；所述开关电流漏与常通电流漏一起产生输出高电平电流；所述偏置电路用于与开关控制电流漏和常通电流漏形成电流镜结构，提供其所需电流。本发明能够能准确产生符合PECL电平标准的输出高低电平，具有结构简单、实现方便、与主流CMOS工艺兼容等优点。
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公开(公告)号：CN119210404A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411202455.1
申请日：2024-08-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H03K3/013 , H03K3/356 , H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种自恢复的抗单粒子多位翻转锁存器电路结构，包括：时钟控制反相器电路、锁存单元、SEU监控单元、输出控制单元和反相器电路。第一时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元的输入端和SEU监控单元的输入端；第二时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元的输入端和SEU监控单元的输入端；第一锁存单元的输出端接SEU监控单元的输入端和输出控制单元的输入端；第三时钟控制反相器电路和第四时钟控制反相器电路的输出端分别接第二锁存单元的两个输入端；第二锁存单元的输出端接输出控制单元的输入端；SEU监控单元的输出端接输出控制单元的输入端。本发明具有良好的单粒子加固能力，可实现抗单粒子多位翻转加固。
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公开(公告)号：CN107342762B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201710399969.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003 , H03K5/15
Abstract: 一种抗单粒子瞬态时钟树结构，包括根节点时钟驱动单元、子节点时钟驱动单元以及叶节点时钟驱动单元，根节点时钟驱动单元和子节点时钟驱动单元均为时钟反相器或者缓冲器，而叶节点时钟驱动单元为双路滤波器，双路滤波器可以消除发生于输入信号上的脉冲宽度小于滤波器内部设定的延迟时间的单粒子瞬态脉冲，且同一输入信号输出两路互不干扰的输出信号。每个双路滤波器驱动一定数量的双时钟抗单粒子时序单元。本发明显著提高时钟树网络抗单粒子瞬态的能力，有效降低时钟树网络受到辐射粒子轰击时，任意时钟节点以及多个时钟树节点上产生单粒子瞬态脉冲的概率，且相对于时序单元单粒子瞬态加固方式实现的集成电路，具有功耗低、速度快、面积小的特点。
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公开(公告)号：CN110071103A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910228889.1
申请日：2019-03-25
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02 , H01L29/06 , H01L21/8232
Abstract: 本发明公开了一种冷备份电路的新型ESD保护结构及制备方法，其中，该结构包括：P型衬底、P型衬底接触、叉指栅、MOS管源区、MOS管漏区、ESD注入层、第一连接接触孔、第二连接接触孔、第三连接接触孔、第四连接接触孔和硅化金属阻挡层。本发明在解决未接电的备份电路功耗过大，性能退化快的问题的同时，解决冷备份电路的高效率ESD保护的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107482004A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710546529.7
申请日：2017-07-06
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0255 , H01L27/0296
Abstract: 一种外延工艺下多电源电压集成电路ESD保护网络，包括电源VIO、地VSSIO、电源VCORE、地VSSCORE、二极管DD1、二极管DD2、二极管DD3、第一VIOSCR保护电路、第二VIOSCR保护电路、第三VIOSCR保护电路、VCORESCR保护电路以及IO PAD。电源VIO到地VSSIO之间采用第一VIOSCR保护电路，电源VCORE与地VSSCORE之间采用VCORESCR保护电路，IO PAD到电源VIO、IO PAD到地VSSIO之间分别采用第二VIOSCR保护电路、第三VIOSCR保护电路进行保护。利用本发明不仅可以解决外延工艺下常规ESD设计(GGNMOS)保护失效问题，还可以解决多电源电压的集成电路ESD设计复杂难度大等问题，有效的实现多电源电压集成电路中的ESD保护，该保护结构占用有限的布局面积，提供了较强的ESD鲁棒性，提高了ESD保护效率。
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公开(公告)号：CN107342762A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710399969.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/003 , H03K5/15
Abstract: 一种抗单粒子瞬态时钟树结构，包括根节点时钟驱动单元、子节点时钟驱动单元以及叶节点时钟驱动单元，根节点时钟驱动单元和子节点时钟驱动单元均为时钟反相器或者缓冲器，而叶节点时钟驱动单元为双路滤波器，双路滤波器可以消除发生于输入信号上的脉冲宽度小于滤波器内部设定的延迟时间的单粒子瞬态脉冲，且同一输入信号输出两路互不干扰的输出信号。每个双路滤波器驱动一定数量的双时钟抗单粒子时序单元。本发明显著提高时钟树网络抗单粒子瞬态的能力，有效降低时钟树网络受到辐射粒子轰击时，任意时钟节点以及多个时钟树节点上产生单粒子瞬态脉冲的概率，且相对于时序单元单粒子瞬态加固方式实现的集成电路，具有功耗低、速度快、面积小的特点。
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公开(公告)号：CN118631216A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410589270.4
申请日：2024-05-13
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种抗单粒子多位翻转的锁存器电路，该锁存器电路包括：时钟控制反相器电路，由时钟信号CK1、CK2控制时钟控制反相器电路的导通或关闭，在导通时将数据信号传输至锁存单元；锁存单元，从时钟控制反相器电路接收数据信号，通过控制时钟信号CK1、CK2进行数据信号的锁存；SEU监控单元，监测锁存单元内部数据敏感节点是否发生单粒子翻转，若被监测锁存单元出现单粒子翻转，则通过片选控制单元将数据通道切换至其他锁存单元；片选控制单元，根据SEU监控单元的监测结果控制锁存单元输出的开启或关闭；反相器电路，对片选控制单元输出的数据信号，或时钟信号进行反相；本发明具有良好的单粒子加固能力，可实现抗单粒子多位翻转。
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公开(公告)号：CN116545418A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310369146.2
申请日：2023-04-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K3/3562 , H03K3/011
Abstract: 本发明公开了一种抗单粒子瞬态和抗单粒子翻转的抗辐射加固触发器电路，包括：反相器电路、时钟控制反相器电路、锁存单元、延迟电路和驱动反相器电路；第一反相器电路的输出端接第一时钟控制反相器电路的输入端和延迟电路的输入端；延迟电路的输出端接第二时钟控制反相器电路的输入端；第一时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元和第三时钟控制反相器电路；第二时钟控制反相器电路的输出端接第一锁存单元和第四时钟控制反相器电路；第四时钟控制反相器电路的输出端接第二锁存单元；第三时钟控制反相器电路的输出端接第二锁存单元和驱动反相器电路。本发明可同时实现抗单粒子翻转加固和抗单粒子瞬态加固。
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公开(公告)号：CN106656156B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201611008894.4
申请日：2016-11-14
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明涉及一种减小输出信号下降时间的PECL发送器接口电路，第一MOS管、第二MOS管和已有PECL发送器接口电路；第一MOS管的漏极连接已有PECL发送器接口电路的负输出端和第二MOS管的栅极；第一MOS管的源极连接已有PECL发送器接口电路的偏置电压端；第二MOS管的漏极连接已有PECL发送器接口电路的正输出端和第一MOS管的栅极；第二MOS管的源极连接已有PECL发送器接口电路的偏置电压端。本发明利用交叉耦合对管为输出节点等效负载电容提供了一条额外的放电通路，减小了输出信号的下降时间，能够适用于高频率场合，驱动大电容负载。
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