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公开(公告)号：CN105648422A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610025327.3
申请日：2016-01-14
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/455 , H01M4/36 , H01M10/0525
CPC classification number: C23C16/45525 , H01M4/366 , H01M10/0525
Abstract: 本申请公开了一种用于电极粉体材料包覆的气相原子层沉积装置和电极粉体材料包覆的方法。本申请的气相原子层沉积装置，包括真空反应腔体和监控系统，真空反应腔体中设置有搅拌装置，搅拌装置与监控系统电连接或信号连接，通过监控系统控制搅拌装置运行。本申请的气相原子层沉积装置，在反应腔体内增加搅拌装置，利用搅拌装置使电极粉体材料充分分散，减少电极粉体材料团聚，利于前驱体吸附和反应，提高了包覆均匀性和包覆效率，为大规模生产高质量的电池电极粉体包覆材料奠定了基础。
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公开(公告)号：CN105609637A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610125626.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: H01L51/0029 , H01L51/0508 , H01L2251/303
Abstract: 本发明公开沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法。沉积方法包括步骤：A、将待处理的有机半导体装入气相原子层沉积装置的真空反应腔体；B、对真空反应腔体进行抽真空，维持真空反应腔体跟外部空气环境的有效隔离，并维持真空反应腔体的内部温度为20~100℃；C、向真空反应腔体中通入第一种气相前驱体，使其吸附在材料表面；D、通入载气将真空反应腔体中多余的第一种气相前驱体清除；E、向真空反应腔体中通入第二种气相前驱体，使之与吸附在材料表面的第一种气相前驱体反应，形成氧化物薄膜；F、通入载气将真空反应腔体中多余的第二种气相前驱体清除；重复步骤C至F直到获得设定厚度或结构的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN117012624A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311054769.7
申请日：2023-08-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/02 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开一种氟掺杂氧化铟薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，所述氟掺杂氧化铟薄膜的制备方法包括步骤：在通过原子层沉积法制备氧化铟薄膜的过程中进行含氟等离子体处理，或在通过原子层沉积法制备得到氧化铟薄膜后进行含氟等离子体处理，得到氟掺杂氧化铟薄膜。本发明中采用原子层沉积结合含氟等离子体处理，制备得到超薄均匀致密的氟掺杂氧化铟薄膜。氟掺杂可稳定氧化铟的晶体结构并有效抑制氧化铟的施主缺陷态密度；同时，氟掺杂不会对氧化铟导带底附近能态产生贡献，因此氟掺杂在抑制施主缺陷态的同时维持了氧化铟的高迁移率特性。薄膜晶体管采用本发明的氟掺杂氧化铟薄膜作为沟道层时，具有较高的场效应迁移率、阈值电压和电学稳定性。
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公开(公告)号：CN116590686A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310594081.1
申请日：2023-05-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种硫硒化锑薄膜的制备方法，包括：将硒化锑置于反应装置内的高温区，将升华硫或者有机硫源置于所述反应装置内的低温区，将待沉积基底设于所述反应装置中；对所述反应装置抽真空；将低温区的温度升高至第一预设温度，将高温区的温度升高至第二预设温度，所述第二预设温度大于所述第一预设温度，保温、冷却后在所述待沉积基底上制得硫硒化锑薄膜。该硫硒化锑薄膜的制备方法利用了气相沉积快速生长的特点，可以实现硫硒化锑薄膜的(221)取向的择优生长，硫源采用升华硫或者有机硫源，降低了原材料的成本，从而实现了低成本的制备高取向度的硫硒化锑薄膜。
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公开(公告)号：CN116504642A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310494867.6
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/34 , H01L21/428 , H01L21/477 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/02
Abstract: 一种有源层制造方法以及半导体器件，有源层制造方法，包括：在衬底或在栅介质层上形成有源层，有源层为异质结，异质结包括第一半导体层以及第二半导体层；进行激光退火处理，第一半导体层在激光退火处理之前为非晶结构，在激光退火处理之后转变为多晶结构；第二半导体层始终为非晶结构，第一半导体层为金属氧化物半导体材料。本申请可以提高半导体器件的载流子迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111482185B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910084511.9
申请日：2019-01-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C25B11/075 , C25B11/061 , C25B1/27
Abstract: 本发明公开一种自支撑FeSx电催化剂及其制备方法与应用，方法包括：提供铁基材；对所述铁基材进行等离子体处理，所述等离子体包含H2S，在所述铁基材表面形成FeSx，得到所述自支撑FeSx电催化剂，其中x＝0.5‑2。本发明提供了一种简单、经济有效的等离子体硫化方法来制备一种新型的自支撑FeSx电催化剂，当在环境条件下应用于电催化还原氮时，这种FeSx/Fe电极证明显示优秀的氨产量，为4.25×10‑10mol·s‑1·cm‑2和很高的法拉第效率18.1％，显著优于其他非贵金属催化剂。考虑到等离子体硫化方法合成的FeSx/Fe具有良好的性能和较低的成本，在电化学氨合成中具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113201029B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110440700.2
申请日：2021-04-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开有机过渡金属化合物及制备方法、形成含过渡金属薄膜的方法。所述有机过渡金属化合物的结构式选自如下所示中的一种：。低价过渡金属与蒎烯进行碳‑碳键氧化加成而得到螯合的有机过渡金属化合物。将有机过渡金属金属配合物用作金属前体，通过研究它的原子沉积过程，证明它很好的遵循了理想的原子层沉积生长，以沉积出纯度高，表面平整的含过渡金属薄膜。并进一步证明在此原子层沉积工艺中，可以将含过渡金属薄膜保形地沉积在深宽的沟槽中，这表明这些方法非常适合于复杂的或多孔三维纳米立体结构基底上，均匀和保形性好地沉积得到含过渡金属薄膜。
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公开(公告)号：CN111876748B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202010686717.1
申请日：2020-07-16
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供了一种基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜及其制备方法，通过采用原子层沉积技术将金属前驱体在惰性载气的存在下通入原子层沉积反应室，沉积一层金属单原子层，再以脉冲的方式向原子层沉积反应室通入有机硫前驱体，得到一层金属硫化物分子层，以形成一层分子层的过程为一个ALD周期，通过循环ALD周期，得到所述基于有机硫前驱体的金属硫化物薄膜。本发明的制备方法采用了有机硫化合物取代高毒性的H2S气体作为硫源前驱体，降低有害气体对薄膜制备过程中的安全隐患，具有环保性，该方法制备出的金属硫化物薄膜致密均匀且结晶性较好，并具有优异的电催化性能，可将其应用于电催化领域。
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公开(公告)号：CN112501583A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011348704.X
申请日：2020-11-26
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属二硒化物薄膜的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；将所述衬底的预定区域暴露在过渡金属前驱体的氛围中，在所述衬底的预定区域形成过渡金属前驱体层；通过等离子体对硒醚类化合物进行解离，得到解离后的硒醚类化合物；将所述过渡金属前驱体层暴露在所述解离后的硒醚类化合物的氛围中，在所述衬底上形成过渡金属二硒化物薄膜。本发明所述制备方法可以获得高纯度、表面平整的过渡金属二硒化物薄膜。
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公开(公告)号：CN107597148B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201710895844.0
申请日：2017-09-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: B01J27/043 , B01J37/02 , B01J35/06 , C25B1/04 , C25B11/06
Abstract: 本发明公开一种电催化剂及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：在基底上用CVD的方法生长纳米结构形成新的基底；利用原子层沉积技术，在所述新的基底上沉积FeSy薄膜，所述FeSy薄膜由一个或多个循环的FeSy沉积累积得到；在所述FeSy薄膜上沉积CoSy薄膜，所述CoSy薄膜由一个或多个循环的CoSy沉积得到，再交替沉积FeSy薄膜和CoSy薄膜多次，制备得到FexCo1‑xSy薄膜；其中，x=0‑1，y=0‑2。本发明制备的电催化剂具有成分可调、电催化活性高、性能稳定的特性；另外，本发明的制备方法的工艺简单，能够实现工业化大规模生产。
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