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发明公开
硫硒化锑薄膜及其制备方法以及光阴极审中-实审

公开(公告)号：CN116590686A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310594081.1

申请日：2023-05-25

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 杨世和 , 王新炜 , 邱伟涛 , 汤星

IPC: C23C16/30 , C23C16/52

Abstract: 本发明提供了一种硫硒化锑薄膜的制备方法，包括：将硒化锑置于反应装置内的高温区，将升华硫或者有机硫源置于所述反应装置内的低温区，将待沉积基底设于所述反应装置中；对所述反应装置抽真空；将低温区的温度升高至第一预设温度，将高温区的温度升高至第二预设温度，所述第二预设温度大于所述第一预设温度，保温、冷却后在所述待沉积基底上制得硫硒化锑薄膜。该硫硒化锑薄膜的制备方法利用了气相沉积快速生长的特点，可以实现硫硒化锑薄膜的(221)取向的择优生长，硫源采用升华硫或者有机硫源，降低了原材料的成本，从而实现了低成本的制备高取向度的硫硒化锑薄膜。

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