一种有机空穴注入材料及应用
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117800983A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202211165979.9

    申请日:2022-09-23

    摘要: 本发明涉及有机发光领域,具体涉及一种有机空穴注入材料及应用。该有机空穴注入材料是一种由缺电子基团取代的双五元环衍生物,双五元环包括但不限于噻吩、呋喃或者硒酚基团组成的双五元环。材料的合成较为简单,有利于大规模生产;材料的HOMO与LUMO能级结构合适,有利于载流子的注入;材料以取代基与双五元环为核心,有利于载流子在器件中传输;材料具有较高的LUMO/HOMO能级,有利于将空穴从阳极ITO传输到空穴传输层中。使用上述空穴注入层材料制备的有机发光二极管,具有较高的发光效率和器件寿命,应用于钙钛矿太阳能电池可以提高光电转化效率,有较高的商业化价值。

    有机过渡金属化合物及制备方法、形成含过渡金属薄膜的方法

    公开(公告)号:CN113201029B

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202110440700.2

    申请日:2021-04-23

    发明人: 王新炜 陆科

    摘要: 本发明公开有机过渡金属化合物及制备方法、形成含过渡金属薄膜的方法。所述有机过渡金属化合物的结构式选自如下所示中的一种:。低价过渡金属与蒎烯进行碳‑碳键氧化加成而得到螯合的有机过渡金属化合物。将有机过渡金属金属配合物用作金属前体,通过研究它的原子沉积过程,证明它很好的遵循了理想的原子层沉积生长,以沉积出纯度高,表面平整的含过渡金属薄膜。并进一步证明在此原子层沉积工艺中,可以将含过渡金属薄膜保形地沉积在深宽的沟槽中,这表明这些方法非常适合于复杂的或多孔三维纳米立体结构基底上,均匀和保形性好地沉积得到含过渡金属薄膜。

    有机过渡金属化合物及制备方法、形成含过渡金属薄膜的方法

    公开(公告)号:CN113201029A

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202110440700.2

    申请日:2021-04-23

    发明人: 王新炜 陆科

    摘要: 本发明公开有机过渡金属化合物及制备方法、形成含过渡金属薄膜的方法。所述有机过渡金属化合物的结构式选自如下所示中的一种:。低价过渡金属与蒎烯进行碳‑碳键氧化加成而得到螯合的有机过渡金属化合物。将有机过渡金属金属配合物用作金属前体,通过研究它的原子沉积过程,证明它很好的遵循了理想的原子层沉积生长,以沉积出纯度高,表面平整的含过渡金属薄膜。并进一步证明在此原子层沉积工艺中,可以将含过渡金属薄膜保形地沉积在深宽的沟槽中,这表明这些方法非常适合于复杂的或多孔三维纳米立体结构基底上,均匀和保形性好地沉积得到含过渡金属薄膜。