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公开(公告)号：CN105780124A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610139215.0
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助III?V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III?V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应釜溶液中的特定位置?即激光路径上，采用其频率与晶体生长装置中的晶体或生长原料的原子谐振频率或分子谐振频率相同的激光，辅助反应物溶液中晶体液相外延生长。本发明，能有效提高反应速率和晶体质量，且可控性好。
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公开(公告)号：CN103603049B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310649657.6
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明公开一种能批量生产氮化物单晶体材料的液相外延的多片式氮化物单晶体材料生长装置及方法，其通过设计包括一种搅拌装置的反应釜，该搅拌装置以一定速度旋转而不断吸取溶液，然后在惯性力作用下，溶液加速到一定程度之后水平远离它的旋转中心，形成流动循环，提高溶液的N溶解速度与溶解均匀性，有利于多片晶体生长的一致性及生长速度的提高。同时，通过设计一个用于调节N溶解浓度的预生长室，调控晶体生长的N浓度条件，然后，通过生长室溶液与预生长溶液的循环，使生长室内溶液的N浓度保持一致，从而为高质量多片式氮化物晶体生长提供源源不断的过饱和溶液，充分利用了原材料，提高晶体质量又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN105256372B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510838898.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设在反应釜内的内部线圈和设在反应釜外的外部线圈，该外部线圈与电源连接，反应釜内设有支撑杆，内部线圈活动套装在该支撑杆上，内部线圈的一端与晶种模板连接，外部线圈接通电源后带动内部线圈作受迫运动，使该内部线圈在支撑杆上移动。本发明通过感应线圈机构来控制晶种模版的实时生长位置，保证晶种模版一直处在最佳的生长溶液环境，由此促进GaN单晶生长。
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公开(公告)号：CN105780124B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201610139215.0
申请日：2016-03-12
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长装置，包括：反应釜，反应釜内填充的反应物溶液，浸没在其中的晶种模板，激光发射、接收装置，激光入射、出射窗口。同时公开了一种激光辅助III‑V族晶体生长方法：将晶种模板设置于反应釜溶液中的特定位置‑即激光路径上，采用其频率与晶体生长装置中的晶体或生长原料的原子谐振频率或分子谐振频率相同的激光，辅助反应物溶液中晶体液相外延生长。本发明，能有效提高反应速率和晶体质量，且可控性好。
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公开(公告)号：CN104878451B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106498499A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610966496.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/14 , C30B30/02
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
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公开(公告)号：CN105442046A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201610017711.9
申请日：2016-01-11
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B9/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置和方法，包括反应釜，反应釜内填充反应物溶液，反应釜内设置有晶种支撑装置，该支撑装置完全浸没于反应物溶液中。其特征在于，所述反应釜内设有特殊结构体的晶种支撑装置，晶种模板设置于支撑装置内部，反应物溶液通过晶种支撑装置侧面多孔流入，通过引流装置上下底面多孔流出。本发明有效克服传统反应釜反应物溶液流动无序的问题，有效提高晶体质量。
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公开(公告)号：CN104878451A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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公开(公告)号：CN103526282A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310498099.8
申请日：2013-10-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种快速制备低位错密度氮化物单晶体材料的液相外延装置与方法，其通过设计包括预生长区和生长区的反应釜，反应釜的预生长区具有原材料条件控制特征和功能，生长区具有生长动力学条件控制特征和功能，预生长区和生长区由过渡腔室或者保温管道相连接。在氮化物单晶体材料的生长过程中，原材料先在预生长区加热加压溶解，当熔融体中N的溶解浓度达到过饱和时与籽晶接触，从而有效抑制在N浓度未达到生长阈值时籽晶表面发生的多晶生长，提高氮化物单晶体材料的质量。同时，通过调控熔体在籽晶上表面的液面高度差，使熔体中的N/Ga在籽晶表面优先成核生长，从而抑制气液界面的多晶形成，提高晶体生长速度与原材料的利用率。
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公开(公告)号：CN106498499B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610966496.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
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