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公开(公告)号：CN103337380A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310125279.1
申请日：2013-04-11
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
IPC: H01G11/84
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明涉及一种新型硅基超级电容及其制备方法，该方法包括：选择单晶硅片作为芯片基片；在基片上采用MEMS工艺光刻并定义电容制作区域；在电容制作区域刻蚀出黑硅；利用ALD单原子层淀积技术在黑硅上生长电容介质层以及电极层；淀积并图形化金属引出电极。本发明利用ALD单原子淀积技术在黑硅表面生长介质层和电极层，在实现大容量电荷储存的同时克服了传统超级电容难于微小和集成的缺点，同时将充放电速度提升至平板电容量级。
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公开(公告)号：CN104267426B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201410449770.4
申请日：2014-09-04
Applicant: 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地 , 北京大学
CPC classification number: H01J37/28 , H01J37/263 , H01J2237/24521
Abstract: 本发明提出了一种电子束斑的测量方法和设备。所述测量方法包括：准备第一基片，在所述第一基片上形成悬置的光刻胶层，并且在第一基片与光刻胶层相对的另一侧上形成检测窗口；准备第二基片，在所述第二基片上形成背腔结构；将第二基片的背腔结构入口一侧与第一基片的光刻胶一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；将待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口，对光刻胶层进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；以及对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径d：d＝L·tanθ‑W/cosθ。
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公开(公告)号：CN104048592B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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公开(公告)号：CN104048592A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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公开(公告)号：CN119560394B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510096900.9
申请日：2025-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本申请提供一种晶圆级大芯片的封装方法和封装结构，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取晶圆级大芯片；所述晶圆级大芯片是指由多个不同种类的芯粒或多个单种芯粒组合而成的芯片结构；按照所述晶圆级大芯片与基板的键合点位，在所述晶圆级大芯片的第一表面制备多个金属柱；制备玻璃转接板，所述玻璃转接板包括多个玻璃通孔，所述玻璃通孔的位置与所述多个金属柱的位置一一对应；将所述晶圆级大芯片的第一表面的金属柱插入所述玻璃转接板的玻璃通孔内，使所述晶圆级大芯片的第一表面与所述玻璃转接板的第一表面键合；将所述玻璃转接板的第二表面与所述基板进行键合，得到所述晶圆级大芯片的封装结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119314880A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411279136.0
申请日：2024-09-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/485
Abstract: 本申请提供一种柔性电子器件及其制备方法、柔性电子设备。该方法包括：提供基板；对基板的表面进行图形化，以形成埋入槽以及柔性槽；埋入槽的数量为多个，分别位于柔性槽的两侧；将芯片贴入埋入槽，芯片与埋入槽的侧壁之间存在缝隙；利用干膜层压工艺，将光刻材料压入柔性槽以及缝隙中，并形成覆盖在基板表面的光刻膜层；对光刻膜层进行图形化以及金属布线，以形成贴入埋入槽中的芯片的重布线层；去除在柔性槽中形成的柔性结构两侧多余的基板材料；对基板进行背部减薄，直至露出柔性结构。本申请中，通过在基板中制备柔性结构，能够将基板柔性化，从而实现电子器件的柔性化，满足较高性能电子器件的柔性化需求。
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公开(公告)号：CN117504956B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202311340169.7
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京大学
IPC: B01L3/00 , C12M1/00 , G01N1/34 , G01N1/40 , C12Q1/6806
Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域，并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的分离方法，微纳流控芯片包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道，所述第一通道连通于第一注液口连通和下游分析系统之间；所述第二通道与第二注液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构，能够实现复杂样品中生化标志物分子的无堵塞连续性分离，实现生化标志物分子的纯化，排除背景成分的干扰，提高了分析性能和检测灵敏度，具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势，适用于临床医疗诊断等领域，有助于提高疾病的诊断准确性和治疗效果。
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公开(公告)号：CN119008522A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411092291.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供一种基于亚微米硅通孔的三维集成方法和三维集成结构，涉及半导体技术领域，包括：对第一晶圆的第一表面进行处理，得到处理后第一晶圆，处理后第一晶圆的第一表面上为键合层级结构，键合层级结构包括：第一支撑层，和，嵌入第一支撑层的多个金属衬垫；在第二晶圆的第二表面上制备多个第一硅通孔；向第一硅通孔中填充第一金属材料，得到多个填充后硅通孔；在二氧化硅绝缘层背离第二表面的表面，制备键合层级结构，得到处理后第二晶圆；键合处理后第一晶圆和处理后第二晶圆，对处理后第二晶圆进行减薄，减薄至填充后硅通孔的孔径的10倍；在处理后第二晶圆背离第二表面的表面，依次键合一个或多个第三晶圆，得到三维集成结构。
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公开(公告)号：CN117504955B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311337418.7
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于微纳流体和生化传感技术领域，特别涉及一种栅控微纳流控器件及其制备方法，栅控微纳流控器件包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道、纳流通道和栅控电极，所述第一通道与第一进液口连通；所述第二通道与第二进液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，并连通于所述第一通道和所述第二通道之间；所述栅控电极与所述纳流通道间隔设置，适于调节所述纳流通道的离子选择功能。本发明提供的栅控微纳流控器件具备可调节的富集功能，可以根据不同的工作条件和需求，灵活地改变富集模式，从而满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN118335628B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410734114.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件，方法包括选择功率器件，在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层；将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化；自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型；在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽；熔化所述磁性金属层，密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口，得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法，解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。
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