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公开(公告)号：CN104048592A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410174912.0
申请日：2014-04-28
Applicant: 北京大学 , 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地
Abstract: 本发明公开了一种利用电流变化检测刻蚀槽深的方法，通过设计特殊检测区域来实现即时反映刻蚀槽深的目的，采用MEMS加工工艺制备检测区域，利用电流计实现信号读取。该方法中通过采用SOI硅片以及MEMS加工工艺实现了功能区域和检测区域良好的电学隔离，避免检测电流对功能器件区造成损害。同时，通过图形转移在检测区域实现功能区域刻蚀窗口的复制，保证检测区域的刻蚀条件和功能区域趋于一致。最后对检测区域深槽结构进行严格地电学建模计算，获得刻蚀深度和电流信号之间的关系，并以此通过电流计的检测实现对刻蚀槽深的即时监控。
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公开(公告)号：CN119560394B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510096900.9
申请日：2025-01-22
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本申请提供一种晶圆级大芯片的封装方法和封装结构，涉及半导体技术领域，该方法包括：获取晶圆级大芯片；所述晶圆级大芯片是指由多个不同种类的芯粒或多个单种芯粒组合而成的芯片结构；按照所述晶圆级大芯片与基板的键合点位，在所述晶圆级大芯片的第一表面制备多个金属柱；制备玻璃转接板，所述玻璃转接板包括多个玻璃通孔，所述玻璃通孔的位置与所述多个金属柱的位置一一对应；将所述晶圆级大芯片的第一表面的金属柱插入所述玻璃转接板的玻璃通孔内，使所述晶圆级大芯片的第一表面与所述玻璃转接板的第一表面键合；将所述玻璃转接板的第二表面与所述基板进行键合，得到所述晶圆级大芯片的封装结构。
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公开(公告)号：CN119314880A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411279136.0
申请日：2024-09-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/31 , H01L23/13 , H01L23/485
Abstract: 本申请提供一种柔性电子器件及其制备方法、柔性电子设备。该方法包括：提供基板；对基板的表面进行图形化，以形成埋入槽以及柔性槽；埋入槽的数量为多个，分别位于柔性槽的两侧；将芯片贴入埋入槽，芯片与埋入槽的侧壁之间存在缝隙；利用干膜层压工艺，将光刻材料压入柔性槽以及缝隙中，并形成覆盖在基板表面的光刻膜层；对光刻膜层进行图形化以及金属布线，以形成贴入埋入槽中的芯片的重布线层；去除在柔性槽中形成的柔性结构两侧多余的基板材料；对基板进行背部减薄，直至露出柔性结构。本申请中，通过在基板中制备柔性结构，能够将基板柔性化，从而实现电子器件的柔性化，满足较高性能电子器件的柔性化需求。
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公开(公告)号：CN117504956B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202311340169.7
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京大学
IPC: B01L3/00 , C12M1/00 , G01N1/34 , G01N1/40 , C12Q1/6806
Abstract: 本发明属于微纳流体及生化传感技术领域，并具体涉及一种微纳流控芯片及采用所述微纳流控芯片进行的生化标志物分子的分离方法，微纳流控芯片包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道和纳流通道，所述第一通道连通于第一注液口连通和下游分析系统之间；所述第二通道与第二注液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，并连通于所述第一通道和所述第二通道之间。通过上述结构，能够实现复杂样品中生化标志物分子的无堵塞连续性分离，实现生化标志物分子的纯化，排除背景成分的干扰，提高了分析性能和检测灵敏度，具有检测成本低、响应时间快、样品及试剂消耗量少等优势，适用于临床医疗诊断等领域，有助于提高疾病的诊断准确性和治疗效果。
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公开(公告)号：CN119008522A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411092291.1
申请日：2024-08-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本申请提供一种基于亚微米硅通孔的三维集成方法和三维集成结构，涉及半导体技术领域，包括：对第一晶圆的第一表面进行处理，得到处理后第一晶圆，处理后第一晶圆的第一表面上为键合层级结构，键合层级结构包括：第一支撑层，和，嵌入第一支撑层的多个金属衬垫；在第二晶圆的第二表面上制备多个第一硅通孔；向第一硅通孔中填充第一金属材料，得到多个填充后硅通孔；在二氧化硅绝缘层背离第二表面的表面，制备键合层级结构，得到处理后第二晶圆；键合处理后第一晶圆和处理后第二晶圆，对处理后第二晶圆进行减薄，减薄至填充后硅通孔的孔径的10倍；在处理后第二晶圆背离第二表面的表面，依次键合一个或多个第三晶圆，得到三维集成结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117504955B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311337418.7
申请日：2023-10-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于微纳流体和生化传感技术领域，特别涉及一种栅控微纳流控器件及其制备方法，栅控微纳流控器件包括芯片本体，所述芯片本体上设有第一通道、第二通道、纳流通道和栅控电极，所述第一通道与第一进液口连通；所述第二通道与第二进液口连通；所述纳流通道具有离子选择功能，并连通于所述第一通道和所述第二通道之间；所述栅控电极与所述纳流通道间隔设置，适于调节所述纳流通道的离子选择功能。本发明提供的栅控微纳流控器件具备可调节的富集功能，可以根据不同的工作条件和需求，灵活地改变富集模式，从而满足不同的应用需求。
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公开(公告)号：CN118335628B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410734114.2
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种基于内置式散热的功率器件的制备方法及功率器件，方法包括选择功率器件，在所述功率器件的衬底上沉积磁性金属层；将所述磁性金属层通过光刻剥离技术图形化；自所述功率器件的衬底至外延层上刻蚀出蒸汽腔模型；在所述蒸汽腔模型内填充蒸汽；熔化所述磁性金属层，密封含有所述蒸汽的所述蒸汽腔模型在所述衬底上的开口，得到内置有微型蒸汽腔的功率器件。通过本申请提供的制备方法，解决了当今电子器件用的外置式蒸汽腔难以有效散热的问题。
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公开(公告)号：CN118366870B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410796597.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/427
Abstract: 本申请提供了一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。方法包括：在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片；将第一光刻胶涂布于换热肋片之间的流道内；通过物理气相沉积在流道内及换热肋片的顶部形成第一金属层；剥离位于流道内的第一光刻胶与第一金属层；在晶圆的第一表面上倒入聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液蒸干形成微球模板后进行烧结处理；将晶圆进行电镀处理，使得多孔金属结构形成于覆盖换热肋片且位于道上方的微球模板的间隙之间；将晶圆放入第二溶液中进行化学反应去除微球模板。本申请降低了晶圆使用成本，且避免了不同硅晶圆之间键合的良率较低的问题，结构稳定性可得到保证。
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公开(公告)号：CN118458688A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410910279.0
申请日：2024-07-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本申请提供一种用于拉曼光谱成像的纳米柱阵列衬底及其制备方法、检测芯片，涉及检测芯片技术领域，提供晶圆基底，在其一侧形成原始功能层；在原始功能层背离晶圆基底的一侧形成沿行方向和列方向阵列排布的多个第一掩膜图案；以第一掩膜图案为掩膜对原始功能层进行各向同性刻蚀处理，形成多个原始功能结构；去除第一掩膜图案，以原始功能结构为掩膜对晶圆基底进行浅深硅刻蚀处理，形成纳米柱阵列衬底。该方法结合各向同性刻蚀，在晶圆基底上形成阵列排布的多个目标功能结构，有效提升光刻形成的目标功能结构的精度，通过需要掩膜的低精度光刻技术实现高精度的纳米柱阵列衬底的制备，进一步应用至拉曼光谱成像中外泌体的检测。
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公开(公告)号：CN118366943A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410796592.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H01L23/427 , H01L21/48
Abstract: 本申请提供了一种芯片散热结构及加工方法。包括芯片衬底、孔板及供液夹具；芯片衬底的第一表面具有刻蚀形成的多个换热柱及凹槽，换热柱以及换热柱之间的间隔中附着有微纳三维多孔铜结构，多个凹槽间隔分布形成流道，流道围设于换热空间的外侧，芯片衬底的第二表面上集成有电气元件；孔板具有刻蚀形成的多个贯通的流通孔，孔板与所述芯片衬底的第一表面键合连接，流通孔对准换热柱；供液夹具开设有贯通的夹持孔，供液夹具与孔板及芯片衬底密封连接，供液夹具与芯片衬底的第二表面相互背离，夹持孔与流通孔连通，夹持孔用于夹持冷媒输送管道。本申请中的换热柱及流道蚀刻形成于芯片衬底的上表面，减少了接触热阻，提升了散热性能。
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