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公开(公告)号：CN114015993B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202111286773.7
申请日：2021-11-02
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种高性能三元含能薄膜点火换能元，所述换能元包括基底，基底表面的绝热层，位于绝热层上表面的点火桥膜和金属电极，位于点火桥膜上表面的绝缘层，位于绝缘层上表面的三元含能薄膜层，三元含能薄膜层通过周期性磁控溅射形成。本发明将Al/B/Ti三元含能薄膜与桥膜式换能元集成在同一器件中，二者制造均采用MEMS加工工艺，一致性好；三元含能薄膜可以与桥膜紧密接触，取代了传统点火系统中第一级起爆药，可靠性高；利用桥膜到三元复合含能薄膜的逐级引爆，可以实现低输入能量，高输出能量的点火。
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公开(公告)号：CN112034203B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010702434.1
申请日：2020-07-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种高精度隧道式加速度计及其制备方法。本发明的隧道式加速度计，包括玻璃衬底、硅片和石墨烯，其中硅片上有反馈电极、质量块和隧道结，反馈电极位于质量块左侧，质量块与弹簧固定连接，隧道结位于质量块右侧。其制备方法包含的步骤为：在硅片背面刻蚀限位槽，使质量块处于自由移动的状态；阳极键合玻璃衬底与硅片；溅射金属，在硅片正面标记位置制备反馈电极和隧道电流发射电极；深刻蚀，生成弹簧和质量块；制备隧道结，在隧道电流发射电极上集成石墨烯，通过电致燃烧法形成隧道结。本发明的隧道式加速度计，采用石墨烯电致燃烧法制备隧道结，既避免了传统工艺的限制，又确保了隧道间距的可控性，从而提高了加速度计的测试精度。
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公开(公告)号：CN112254586A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010912877.3
申请日：2020-09-03
Applicant: 北京大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本发明涉及一种复合含能薄膜半导体桥，包括基底、位于基底上表面的绝热层、位于绝热层上表面的半导体桥区、位于桥区两端的电极、位于桥区上表面的绝缘层和位于绝缘层上表面的复合含能薄膜层，复合含能薄膜层通过磁控溅射沉积于绝缘层表面。本发明提供的复合含能薄膜半导体桥，相比于传统的半导体桥，将磁控溅射淀积形成的复合含能薄膜层，取代了传统半导体桥的第一级人工涂敷引爆药，更可控、且安全，在能量方面，本发明选择的B/Ti材料在质量能量密度方面高于一般的复合含能薄膜，更利于能量的转换，点火能力强，同时可实现隔离点火，药剂与含能桥之间有一定的间隙空腔，在这个空腔点火通道中实现基于MEMS的微安保系统，实现智能化。
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公开(公告)号：CN104931193A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410100481.3
申请日：2014-03-19
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种带有参考真空室的MEMS皮拉尼计。其特征在于，同一衬底上的两个微型皮拉尼计，其中一支真空封装在参考室内。将两支皮拉尼计一起置于测试环境中，同时输入相同的激励信号，通过外围电路测出对应的输出信号。其中真空封装的皮拉尼计不受所测环境真空度的影响，其阻值的变化主要由环境温度引起。未封装的皮拉尼计的阻值则同时受到环境气压和环境温度的影响。将两支皮拉尼计测得的输出信号差作为真空度测量信号，即可消除环境温度造成的皮拉尼计读数误差。
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公开(公告)号：CN104914275A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410087875.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 北京大学
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种集成温度补偿模块的电容式加速度计读出电路。传统的读出电路在电荷放大器后级对输出进行校正，信号放大的同时，噪声也放大相同的增益。本发明公开的读出电路采用不同的处理办法：温度补偿模块通过改变相应可变电容的容值来实时调整电荷放大器的增益和偏置，从而抵消温漂。其优点是有更高的信噪比。同时，为降低应用复杂性，提供了简单易用的数据接口，用户仅需要通过GPIO设备以及PC即可完成标定以及温度补偿功能。最后，考虑到温度传感器测得当前温度与加速度计感受到这个温度之间有时间差，电路能够缓存多个温度采样值，补偿时采用该时间差之前的采样值，从而提高补偿的动态特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102976263B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210533530.3
申请日：2012-12-11
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种MEMS压阻式多轴力传感器的制备方法。本发明采用倾斜角度注入的方法，在悬臂梁的垂直的侧面上加工压敏电阻，在垂直的侧面和水平的正面上形成一体的压敏电阻，从而能够同时测量垂直方向和水平方向的压力。本发明的方法制备的压力传感器，在系统体积比较小的情况下可以测量较精确的多方向的微作用力，提高了使用过程中传感器的测量信号的稳定性及测量的可靠性；是一种体积相对较小、灵敏度高的传感器，在汽车、电子、家电、机电等行业和军事领域有着极为广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103274349A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201310149322.8
申请日：2013-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种热应力隔离的MEMS微加热器互联基板及其制备方法。本发明的MEMS微加热器互联基板包括：在衬底上形成绝缘层；在绝缘层上形成加热电阻；在加热电阻上形成第一隔离层，加热电阻镶嵌在第一隔离层的下表面；在第一隔离层上形成热沉；在热沉上形成第二隔离层；在第二隔离层上互联层；在衬底的四周设置弹簧；在弹簧的外围设置边框。本发明的MEMS微加热器互联基板，通过四周弹簧结构的设计能实现衬底热应力吸收，使MEMS微加热器互联基板具有热应力隔离的功能，该MEMS微加热器互联基板包含互联层，支持多芯片互联，并且主体结构为硅基材料，与半导体芯片的热匹配性很好，可采用MEMS工艺加工，适用于大规模制备。
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公开(公告)号：CN102963864A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210532250.0
申请日：2012-12-11
Applicant: 北京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于BCB胶的晶片级微空腔的密封方法。本发明采用先在半导体晶片上旋涂BCB胶及软烘，然后旋涂一定厚度的光刻胶，之后利用光刻胶作为掩膜分别刻蚀BCB胶和微空腔，最后将具有微空腔的半导体晶片与MEMS器件的器件晶片进行对准键合。本发明采用BCB胶作粘附剂，平整高、键合温度低，工艺实现方便，具有与集成电路兼容的特性；并采用光刻胶作为刻蚀BCB胶和微空腔的软掩膜，使得BCB胶平整性好，在键合过程中受力均匀，从而能有效降低BCB胶的形变，避免BCB胶流入腔体和粘附在MEMS器件上，提高了MEMS器件可靠性。
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公开(公告)号：CN1432801A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN03104784.X
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01L9/06
Abstract: 本发明提供了一种MEMS压阻式压力传感器芯片及其制备方法。MEMS压阻式压力传感器芯片，是一个杯状结构，包括一个方形感压膜和周围的支撑部分在感压膜的最大应变区之作了四个压敏电阻，组成点桥来敏感压力的变化，所述压敏电阻是采用离子注入工艺制作的，压敏电阻周围增加有一圈n+隔离区，感压膜的边缘制作了可以监控感压膜厚度的对准标记。采用离子注入工艺制作压阻，精度远高于以往采用的扩散工艺，可以提高压阻的控制精度及一致性，减小零点输出和零点温度漂移；压阻周围增加一圈n+隔离区，提高了芯片的长期稳定性；膜的边缘制作了可以监控膜厚度的对准标记，使腐蚀敏感膜的可控性增强，提高了感压膜厚度控制精度和芯片检测精度。
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公开(公告)号：CN1431517A
公开(公告)日：2003-07-23
申请号：CN03104781.5
申请日：2003-02-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明涉及一种MEMS压阻式伺服加速度传感器。包括三片硅片，三片硅片组成上硅帽、中间硅片和下硅帽的三明治结构，上下两层硅帽上均设反馈电极，中间硅片上设梁式结构，梁上设压敏电阻，组成惠斯登电桥来检测加速度信号，信号调制电路将电桥产生的输出电压变换成反馈电压作用于传感器的静电力反馈极板上形成闭环伺服检测。以及制备这种传感器的方法。降低了电路难度，在不需要高精度集成电路工艺的情况下实现了加速度传感器的伺服控制，提高了检测精度。所采用的三明治结构大大增强了传感器的抗冲击能力，扩大了该传感器的适用范围。可广泛应用于MEMS技术领域。
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