-
公开(公告)号：CN101126148B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710119622.6
申请日：2007-07-27
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 一种具有阻隔兼防护功能的纳米薄膜及其制做方法属于防护薄膜及其制做技术领域，主要是提高防护薄膜性能；采用具有磁场增强装置的等离子体装置，以等离子体化学气相沉积法，以有机硅化学单体的气体为工作气体，沉积聚合在基材表面形成所述纳米薄膜，其厚度为1～1000nm，对氧气的透过率小于50ml/cm2/24h，对水蒸汽的透过率小于10g/m2/24h；磁场增强装置为永久性磁体组成的磁块组合体(12)，由与左、右转辊电极(2)、(3)相应的外、内磁块组合体(13)、(14)组成，能提高等离子体区内等离子体的密度；所述纳米薄膜致密度高，阻隔性能好，不易脱落，耐腐蚀，广泛适用于食品、药品包装及功能器件等的保护层；制做方法尤其适合于基材连续卷绕式生产工艺。
-
公开(公告)号：CN119553247A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411655013.2
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/455 , C23C16/44 , C23C16/442 , C23C16/40 , C23C16/02 , C09K11/02 , C09K11/59
Abstract: 本发明公开一种等离子体辅助原子层沉积氧化铝包覆荧光粉的方法，包含如下步骤：搭建原子层沉积系统，原子层沉积系统的真空腔室中放置基台；将荧光粉放置基台上，打开振动电机，随后对荧光粉进行预处理，包括脱气处理和氧等离子体预处理；向原子层沉积系统的真空腔室中依次交替通入两种前驱体，使其在荧光粉的表面进行化学吸附并反应生成氧化铝薄膜；每种前驱体通入并反应之后需用惰性气体对真空腔室进行清扫。在本发明中，通过等离子体辅助原子层沉积技术实现了高精度的单原子层级别薄膜控制，通过振动式流化床技术解决了粉末沉积中易团聚的缺陷，从而能够在荧光粉末表面形成高质量氧化铝保护层，显著提高了荧光粉的耐水性和发光性能。
-
公开(公告)号：CN116789230A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310680318.8
申请日：2023-06-09
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明提供一种大气压旋转滑动弧等离子体污水处理装置，涉及污水处理装置技术领域，包括：污水雾化器、净化腔、接地电极、高压电极和气流产生装置，接地电极和高压电极均设置于净化腔内，接地电极位于高压电极上方，高压电极为从上往下延伸的螺旋状电极，污水雾化器能够将污水雾化并将雾化颗粒输送至接地电极和高压电极之间，气流产生装置能够在净化腔中产生从上往下流动的气流以形成滑动弧，净化腔底部设置有出液口。本发明提供的方案能够使等离子体产生区域较大，活性粒子浓度高，能量利用率高，成本低。
-
公开(公告)号：CN115612152A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110783364.1
申请日：2021-07-12
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了高阻隔塑料管及其制备方法和应用，属于塑料管技术领域。高阻隔塑料管，包括基体塑料管，其特征在于，在基体塑料管表面涂覆纳米氧化硅涂层作为阻隔层，所述基体塑料管的材质为聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺或聚酯；所述纳米氧化硅涂层的厚度为1～1000nm，以C‑O‑Si化学键结合于基体塑料管表面。本发明提供的高阻隔塑料管纳米氧化硅阻隔层薄膜致密、阻隔性能高、附着力强、不脱落，不潮解、不失水、抗油渗、抗酸碱腐蚀、抗有害小分子迁移、防霉变抗蚕食等，且表面能低，可以直接进行后续的工艺，不需要表面再处理、不需要表面再活化。可广泛用于真空采血、DNA、核酸、液体药品食品、咖啡、化学试剂、尿液等各类塑料管。
-
公开(公告)号：CN106521427B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201611039640.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 本发明公开了一种连续生产高附着力镀铝膜的装置及方法，属于柔性包装基材薄膜技术领域。本发明的装置由放卷辊(1)、张力辊(2)、溅射室(3)、镀膜室(4)、收卷辊(5)以及辅助的水路、电路、气路系统和真空系统构成。本发明的方法包括柔性基材经放卷辊(1)和收卷辊(5)装置驱动柔性基材匀速走膜、柔性基材在经过溅射室(3)时溅射沉积缓冲层和沉积有缓冲层的柔性基材经过镀膜室(4)时沉积铝膜三个主要步骤。本发明公开的装置和方法能够连续操作，溅射缓冲层和镀铝过程在同一个系统中完成，在操作过程中柔性基材无需取出，有利于工业化连续生产，大幅提高生产效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107195784A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710356715.4
申请日：2017-05-19
Applicant: 北京印刷学院
Abstract: 一种快速氧化处理钙钛矿太阳电池空穴传输层的方法，属于太阳电池技术领域。用等离子体发生装置产生稳定的氧等离子体，将钙钛矿太阳电池置于氧等离子体区域内，利用氧等离子体中活性基团与空穴传输层发生反应来迅速完成空穴传输层的功能化，并控制反应时间。该方法具有以下优点：反应过程快速、高效，并精确可控，可在几秒、十几秒内完成空穴传输层的功能化，获得较好的器件性能。与传统的在特定气体氛围内静置的方法相比，该方法工艺简单、控制性好、规模灵活，非常适宜应用在将来的工业化生产中。
-
公开(公告)号：CN106521427A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611039640.9
申请日：2016-11-22
Applicant: 北京印刷学院
CPC classification number: C23C14/26 , C23C14/16 , C23C14/165 , C23C14/205 , C23C14/30 , C23C14/35 , C23C14/562
Abstract: 本发明公开了一种连续生产高附着力镀铝膜的装置及方法，属于柔性包装基材薄膜技术领域。本发明的装置由放卷辊(1)、张力辊(2)、溅射室(3)、镀膜室(4)、收卷辊(5)以及辅助的水路、电路、气路系统和真空系统构成。本发明的方法包括柔性基材经放卷辊(1)和收卷辊(5)装置驱动柔性基材匀速走膜、柔性基材在经过溅射室材经过镀膜室(4)时沉积铝膜三个主要步骤。本发明公开的装置和方法能够连续操作，溅射缓冲层和镀铝过程在同一个系统中完成，在操作过程中柔性基材无需取出，有利于工业化连续生产，大幅提高生产效率。(3)时溅射沉积缓冲层和沉积有缓冲层的柔性基
-
公开(公告)号：CN103972451B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410216920.7
申请日：2014-05-21
Applicant: 北京印刷学院 , 烟台鸿庆预涂新材料股份有限公司
Abstract: 本发明属于材料表面改性处理技术，特别是对电池隔膜进行表面改性处理的方法。其原理为在离子辅助电子束蒸发镀膜装置中，无机氧化物原料被加热蒸发、沉积至电池隔膜表面形成氧化物涂层的过程中，硅氧烷类有机单体被离子源电离活化并掺杂至无机氧化物涂层中。由于无机氧化物涂层的引入，提高了聚烯烃隔膜的亲水性和耐热性。且由于硅氧烷类有机单体的离化掺杂效应，明显降低无机氧化物涂层的内应力和阻隔性，从而使聚烯烃隔膜可以较好地保持原有的柔韧性和孔隙。从而，改善聚烯烃电池隔膜的亲水性、耐热性，并保持较好的柔韧性和孔隙率。
-
公开(公告)号：CN105296955A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510671627.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铜互连中的铜籽晶层沉积方法，主要介绍了使用氢等离子体辅助原子层沉积铜薄膜，包含使用不同类型的等离子体辅助原子层沉积设备以及不同种类的铜前驱体、沉积工艺、沉积基底等。在实例中具体描述了使用高反应活性的[Cu(iPr-Me-amd)]2前驱体的铜薄膜沉积工艺。本发明中，氢等离子体取代了传统的热驱动沉积方式，使得薄膜沉积的温度大大降低，同时与具有高反应活性的前驱体结合使用，能够很好的满足铜籽晶层沉积工艺中低温沉积连续、致密铜薄膜的要求，并且在高深宽比结构中具有很好的保形性。
-
公开(公告)号：CN103881130B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410111213.1
申请日：2014-03-25
Applicant: 北京印刷学院 , 烟台鸿庆包装材料有限公司
IPC: C08J7/18
Abstract: 本发明涉及一种大气压气体放电等离子体对塑料表面进行接枝改性的方法及生产线，属于塑料表面处理技术领域。该生产线包括塑料走膜系统、等离子体放电系统和黏合剂涂布系统，等离子体放电系统包括放电表面正向相对且平行放置的第一平板电极和贴有绝缘介质的第二平板电极，第一平板电极的放电表面与绝缘介质之间的间隙组成的等离子体放电区域，待处理的塑料膜通过塑料走膜系统进入等离子体放电系统的等离子体放电区域进行接枝改性处理，经处理后进入黏合剂涂布系统涂布完成处理。本发明缩短了生产线，减少了工序，降低了环境污染、能耗和生产线占地面积，利用该方法对塑料表面处理，降低了成本，保证了黏合剂附着牢固。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.028 seconds)
