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公开(公告)号：CN105296955A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510671627.4
申请日：2015-10-16
Applicant: 北京印刷学院
IPC: C23C16/06 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铜互连中的铜籽晶层沉积方法，主要介绍了使用氢等离子体辅助原子层沉积铜薄膜，包含使用不同类型的等离子体辅助原子层沉积设备以及不同种类的铜前驱体、沉积工艺、沉积基底等。在实例中具体描述了使用高反应活性的[Cu(iPr-Me-amd)]2前驱体的铜薄膜沉积工艺。本发明中，氢等离子体取代了传统的热驱动沉积方式，使得薄膜沉积的温度大大降低，同时与具有高反应活性的前驱体结合使用，能够很好的满足铜籽晶层沉积工艺中低温沉积连续、致密铜薄膜的要求，并且在高深宽比结构中具有很好的保形性。
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