公开(公告)号：CN102770577A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201180010725.3

申请日：2011-02-22

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)0.0001＜Sn/(In+Ga+Sn)≤0.60 (3)。

公开(公告)号：CN105924137B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201610292859.3

申请日：2011-02-22

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786 ,  H01L21/3205

Abstract: 一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)，0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)，0.0001

公开(公告)号：CN102770577B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180010725.3

申请日：2011-02-22

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)0.0001＜Sn/(In+Ga+Sn)≤0.60 (3)。

公开(公告)号：CN103534382B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201280022388.4

申请日：2012-05-07

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  H01B5/14 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其包含氧化物，所述氧化物含有铟元素（In）、锡元素（Sn）及锌元素（Zn）、和选自下述的X组中的1种以上的元素X，各元素的原子比满足下述式（1）～（4）。X组：Mg、Si、Al、Sc、Ti、Y、Zr、Hf、Ta、La、Nd、Sm0.10≤In/（In＋Sn＋Zn）≤0.85 （1）；0.01≤Sn/（In＋Sn＋Zn）≤0.40 （2）；0.10≤Zn/（In＋Sn＋Zn）≤0.70 （3）；0.70≤In/（In＋X）≤0.99（4）（式中，In、Sn、Zn及X分别表示溅射靶中的各元素的原子比）。

公开(公告)号：CN102859670B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201180019930.6

申请日：2011-04-20

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 西村麻美 ,  笘井重和 ,  矢野公规 ,  笠见雅司 ,  糸濑将之 ,  松崎滋夫 ,  江端一晃

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在包含稀有气体原子及水分子、且所述水分子的含量相对于所述稀有气体原子以分压比计为0.1～10％的气体的氛围下，溅射包含金属氧化物的靶材，在基板上形成薄膜。

公开(公告)号：CN102597302B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201080048855.1

申请日：2010-11-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  矢野公规

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/363

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/75 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其含有In、Zn、及Ga，包含表面与内部的化合物的晶型实质上相同的氧化物烧结体。

公开(公告)号：CN102362004B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201080013169.0

申请日：2010-11-16

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/08 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62695 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种溅射靶，其由氧化物烧结体构成，所述氧化物烧结体含有In、Ga以及Zn，并且具备In的含量比周围多的组织、和Ga以及Zn的含量比周围多的组织。

公开(公告)号：CN102612501B

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201080052268.X

申请日：2010-11-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 矢野公规 ,  糸濑将之

IPC: C04B35/00 ,  C01G15/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C04B35/453 ,  C01G15/006 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种由氧化物构成的烧结体，其特征在于，该氧化物以0.28≤Zn/(In+Zn+Ga)≤0.38、0.18≤Ga/(In+Zn+Ga)≤0.28的原子比含有In、Ga、Zn且以具有InGaO3(ZnO)表示的同系晶体结构的化合物作为主成分。

公开(公告)号：CN103518263A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280022557.4

申请日：2012-05-01

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  川岛浩和 ,  砂川美佐 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: H01L29/786 ,  C04B35/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/786 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/26 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种薄膜晶体管，其以在下述区域1、2或3的原子比的范围内含有元素In、Ga和Zn的氧化物为活性层，并且场效应迁移率为25cm2/Vs以上。区域1：0.58≤In/（In+Ga+Zn）≤0.68、0.15＜Ga/（In+Ga+Zn）≤0.29；区域2：0.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.09≤Ga/（In+Ga+Zn）＜0.20；区域3：0.45≤In/（In+Ga+Zn）＜0.58、0.20≤Ga/（In+Ga+Zn）≤0.27。

公开(公告)号：CN105924137A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610292859.3

申请日：2011-02-22

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 糸濑将之 ,  西村麻美 ,  笠见雅司 ,  矢野公规

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/622 ,  C04B37/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

Abstract: 一种氧化物烧结体，以下述式(1)～(3)的原子比包含铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锡元素(Sn)。0.10≤In/(In+Ga+Sn)≤0.60 (1)0.10≤Ga/(In+Ga+Sn)≤0.55 (2)0.0001