公开(公告)号：CN103765596B

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201280039028.5

申请日：2012-08-08

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 霍间勇辉 ,  江端一晃 ,  笘井重和 ,  松崎滋夫

IPC: H01L29/786 ,  C01G15/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C14/0057 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管，其具有高迁移率、高on‑off比并且能够有效地制造。本发明提供一种薄膜晶体管(1)，其具有源电极(50)、漏电极(60)及栅电极(20)、栅绝缘膜(30)、由氧化物半导体构成的沟道层(40)，所述沟道层(40)的平均载流子浓度为1×1016/cm3～5×1019/cm3的范围，在所述沟道层(40)的所述栅绝缘膜(30)侧，具有比所述平均载流子浓度高的高载流子浓度区域(42)，所述沟道层(40)实质上具有相同的组成。

公开(公告)号：CN102859670B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201180019930.6

申请日：2011-04-20

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 西村麻美 ,  笘井重和 ,  矢野公规 ,  笠见雅司 ,  糸濑将之 ,  松崎滋夫 ,  江端一晃

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/34 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02631 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在包含稀有气体原子及水分子、且所述水分子的含量相对于所述稀有气体原子以分压比计为0.1～10％的气体的氛围下，溅射包含金属氧化物的靶材，在基板上形成薄膜。

公开(公告)号：CN104471103A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380037627.8

申请日：2013-07-17

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  西村麻美 ,  但马望

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其由含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(A1)的氧化物构成，包含以InAlO3(ZnO)m(m为0.1～10)表示的同系结构化合物，所述铟元素、锡元素、锌元素及铝元素的原子比满足特定的必要条件。

公开(公告)号：CN103038889B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201180037647.6

申请日：2011-12-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  霍间勇辉 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN103732790A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280039725.0

申请日：2012-09-06

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  松崎滋夫 ,  霍间勇辉

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01J37/3426 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  H01J37/34 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其含有烧结体，所述烧结体含有掺杂有Ga的氧化铟、或掺杂有Al的氧化铟，相对于Ga与铟的合计或Al与铟的合计含有大于100原子ppm且在1100原子ppm以下的显示正4价原子价的金属，晶体结构实质上由氧化铟的方铁锰矿结构构成。

公开(公告)号：CN102652119B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201180004849.0

申请日：2011-01-14

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  矢野公规

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/203

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5813 ,  C23C14/5826 ,  C23C14/5873 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 一种氧化物烧结体，其中，实质上结晶结构由显示出方铁锰矿结构的氧化铟构成，镓原子固溶在上述氧化铟中，原子比Ga/(Ga+In)为0.10～0.15。

公开(公告)号：CN103038889A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201180037647.6

申请日：2011-12-27

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  笘井重和 ,  霍间勇辉 ,  松崎滋夫 ,  矢野公规

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969

Abstract: 一种层叠结构，其特征在于，其为包含氧化物层和绝缘层的层叠结构，其中，所述氧化物层的载流子浓度为1018/cm3以下，平均晶体粒径为1μm以上，所述氧化物层的晶体以柱状配置在所述绝缘层的表面。

公开(公告)号：CN108085644B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201810112981.7

申请日：2013-10-16

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  但马望

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，包含以In2O3(ZnO)n(n为2～20)表示的同系结构化合物及以Zn2SnO4表示的尖晶石结构化合物。

公开(公告)号：CN104471103B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380037627.8

申请日：2013-07-17

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 江端一晃 ,  西村麻美 ,  但马望

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02565 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种溅射靶，其由含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(A1)的氧化物构成，包含以InAlO3(ZnO)m(m为0.1～10)表示的同系结构化合物，所述铟元素、锡元素、锌元素及铝元素的原子比满足特定的必要条件。

公开(公告)号：CN105873881A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201480070391.2

申请日：2014-12-18

Applicant: 出光兴产株式会社

Inventor： 笘井重和 ,  井上一吉 ,  江端一晃 ,  柴田雅敏 ,  宇都野太 ,  霍间勇辉 ,  石原悠

IPC: C04B35/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/764 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种氧化物烧结体，其包含由In2O3构成的方铁锰矿相和A3B5O12相，式中，A为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种以上的元素，B为选自Al和Ga中的一种以上的元素。