公开(公告)号：CN118712287A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410023039.9

申请日：2024-01-05

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 川田宽人 ,  石川琢磨 ,  古田裕典 ,  铃木贵人 ,  谷川兼一 ,  中井佑亮 ,  北岛由隆

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/52 ,  H01L33/48

Abstract: 电子结构体及其制造方法和电子器件的制造方法，使包含功能部的转印的工艺变得容易。电子结构体(1)的制造方法具有如下步骤：使用具有基板(10)、形成在基板(10)上的第1牺牲层(11)以及形成在第1牺牲层(11)上的功能部(12)的层叠基板，形成从基板(10)延伸到功能部(12)的第2牺牲层(13)；形成从基板(10)延伸到第2牺牲层(13)的被覆层(14)；以及去除第1牺牲层(11)和第2牺牲层(13)。

公开(公告)号：CN116896975A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310206923.1

申请日：2023-03-03

Applicant: 冲电气工业株式会社 ,  日商爱伯压电对策股份有限公司

Inventor： 古田裕典 ,  小酒达 ,  铃木贵人 ,  谷川兼一 ,  石川琢磨 ,  北岛由隆 ,  小西晃雄 ,  金森广晃 ,  饭塚猛

IPC: H10N39/00 ,  H10N30/87 ,  H10N30/05

Abstract: 压电膜集成器件及其制造方法、以及声学振动传感器。在同一基板上设置2种以上的单晶压电膜，由此，提高压电膜集成器件的性能。压电膜集成器件(100)具有：基板(33)；电极(34)，其设置于基板(33)上；第1压电元件，其具有第1单晶压电膜(25或15)和重叠于第1单晶压电膜(25或15)上的第1电极膜(26或16)，该第1压电元件设置于电极(34)上；以及第2压电元件，其具有第2单晶压电膜(15或25)和重叠于第2单晶压电膜(15或25)上的第2电极膜(16或26)，该第2压电元件设置于第1压电元件上。

公开(公告)号：CN116896971A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310206520.7

申请日：2023-03-03

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 古田裕典 ,  小酒达 ,  铃木贵人 ,  谷川兼一 ,  石川琢磨 ,  北岛由隆

IPC: H10N30/50 ,  H10N30/87 ,  H10N30/05

Abstract: 压电体薄膜接合基板及其制造方法，该高性能的压电体薄膜接合基板在同一基板上设置有2种以上的压电膜。压电体薄膜接合基板(100)具有：基板(33)；第1电极(34a)；第1压电体薄膜(17)，其粘贴于第1电极，具有第1压电膜(15)和形成于其上的第1上部电极膜(16)；第2电极(34b)；以及第2压电体薄膜(27)，其粘贴于第2电极，具有与第1压电膜(15)不同的第2压电膜(25)和形成于其上的第2上部电极膜(26)，从形成有第1电极(34a)和第2电极(34b)的基板(33)的上表面到第1上部电极膜(16)的顶部的高度和从基板(33)的所述上表面到第2上部电极膜(26)的顶部的高度不同。

公开(公告)号：CN115732530A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210942482.7

申请日：2022-08-08

Applicant: 冲电气工业株式会社

Inventor： 石川琢磨 ,  铃木贵人 ,  谷川兼一 ,  古田裕典 ,  小酒达 ,  中井佑亮 ,  十文字伸哉 ,  松尾元一郎 ,  高桥千优 ,  川田宽人 ,  篠原悠贵 ,  饭野皓宏

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62

Abstract: 发光装置、半导体结构体、薄膜层制造方法和发光装置制造方法。实现高画质化。LED显示器装置设置：第1薄膜层(20R)，其配置有薄膜LED(30R)；第2薄膜层(20G)，其层叠于第1薄膜层，包含被配置成在从与薄膜LED(30R)的发光面垂直的发光方向(De)观察时与薄膜LED(30R)的至少一部分重叠的薄膜LED(30G)；以及电路基板(10)，其层叠有第1薄膜层，对薄膜LED(30R)和薄膜LED(30G)的发光进行控制，第1薄膜层在发光方向上从与第2薄膜层对置的第1薄膜层上表面到与电路基板对置的第1薄膜层下表面形成有第1薄膜层开口，薄膜LED(30G)和电路基板经由第1薄膜层开口电导通。