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公开(公告)号：CN105324834B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480034727.X
申请日：2014-06-26
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/324 , C30B29/06 , C30B33/02
CPC classification number: C30B1/04 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明是一种硅晶圆的热处理方法，具有：将硅晶圆载置于SiC夹具上，放入热处理炉内的工序；在热处理炉内，在第一非氧化性气氛下，对硅晶圆进行热处理的工序；降温到能将硅晶圆从热处理炉内搬出的温度的工序；以及，将硅晶圆从热处理炉内搬出的工序；在降温工序中，在降温到能搬出的温度后，将第一非氧化性气氛切换成含氧气氛，在含氧气氛下，在SiC夹具的表面上形成厚度1～10nm的氧化膜，之后再将含氧气氛切换成第二非氧化性气氛。由此，能提供一种硅晶圆的热处理方法，该热处理方法能防止在热处理工序中来自于夹具和环境的碳污染。
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公开(公告)号：CN114174569B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202080046408.6
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，其具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序；在进行所述第二RTA处理后，冷却所述单晶硅晶圆的工序；及在进行所述冷却后，进行第三RTA处理的工序，通过这些工序，将所述单晶硅晶圆改质成从表面侧起依次具有3C‑SiC单晶层、碳析出层、间隙碳与硅的扩散层、及空位与碳的扩散层。由此，提供可通过将单晶硅晶圆的表层的碳浓度设定为高浓度、并使表面的碳浓度分布均匀而提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN112176414B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202010617597.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B33/02 , C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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公开(公告)号：CN118476011A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202280086901.X
申请日：2022-12-12
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明是一种氮化物半导体基板，其在具有表面和背面的单晶硅基板的表面上形成有氮化物半导体薄膜，该氮化物半导体基板的特征在于，所述单晶硅基板至少在所述表面和所述背面具有碳扩散层，且所述碳扩散层的碳浓度为5E+16原子/cm3以上，所述碳扩散层注入有碳且碳浓度高于所述单晶硅基板的块体部。由此，提供当使用单晶硅基板制造氮化物半导体基板时，能够抑制因外延生长时或器件工序中的塑性变形导致的翘曲不良的氮化物半导体基板及其制造方法。
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公开(公告)号：CN115398042B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202180028335.2
申请日：2021-03-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5×1015atoms/cm3以上。由此，提供用于抑制翘曲异常及接合不良的发生的、不易塑性变形的气相生长用的单晶硅基板。
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公开(公告)号：CN113658848A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110442064.7
申请日：2021-04-23
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L29/16
Abstract: 本发明提供一种可在单晶硅基板上形成低缺陷、高结晶性、厚膜的SiC单晶膜的半导体基板的制造方法。所述半导体基板的制造方法为表面具有SiC单晶膜的半导体基板的制造方法，其包括：使碳附着于单晶硅基板的表面的工序；使附着了所述碳的所述单晶硅基板的表面碳化而形成SiC单晶底层膜的工序；在所述SiC单晶底层膜上形成非晶硅膜的工序；以所述SiC单晶底层膜为晶种，通过固相生长将所述非晶硅膜制成SiC单晶膜的工序。
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公开(公告)号：CN107078057A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056672.7
申请日：2015-09-17
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/322 , C30B29/06 , C30B33/02
Abstract: 本发明提供一种单晶硅晶圆的热处理方法，对于单晶硅晶圆施加RTA处理，将全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆予以配置于RTA炉内，在将含有NH3的气体供给至该RTA炉内的同时，以未达硅与NH3的反应温度的温度进行预备加热，之后停止供给该含有NH3的气体并且开始供给Ar气体，于残留有该NH3气体的Ar气体氛围下开始RTA处理。因此，即使是处理全平面为Nv区域的单晶硅晶圆，或是全平面为包含有OSF区域的Nv区域的单晶硅晶圆，亦能不使TDDB特性恶化而赋予吸除能力。
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公开(公告)号：CN118556140A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202280079624.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种单晶金刚石膜的形成方法，其为在单晶硅基板上形成单晶金刚石膜的方法，其包括：准备面取向为(100)或(111)的单晶硅基板的第一工序；在含碳气氛下，对所准备的单晶硅基板进行RTA处理，从而在表面形成3C‑SiC单晶膜的第二工序；在含碳气氛下，通过施加偏压的微波等离子体CVD法而由3C‑SiC单晶膜转化成金刚石核，从而在单晶硅基板上形成金刚石核的第三工序；及在含碳气氛下，通过微波等离子体CVD法而使单晶金刚石膜在单晶硅基板上生长的第四工序。由此，提供一种形成高密度的金刚石核、晶体取向性优异、在膜中不存在晶界的大面积的单晶金刚石膜的形成方法。
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公开(公告)号：CN112176414A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010617597.X
申请日：2020-06-30
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: C30B33/02 , C30B31/06 , C30B29/06 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种碳掺杂单晶硅晶圆的制造方法，该方法具有以下工序：准备未进行碳掺杂的单晶硅晶圆的工序；在包含含碳原子化合物气体的氛围下，对所述单晶硅晶圆进行第一RTA处理的工序；及以高于所述第一RTA处理的温度，进行接着所述第一RTA处理的第二RTA处理的工序，通过所述第一及第二RTA处理，对所述单晶硅晶圆注入空位并同时掺杂碳，将由所述单晶硅的表面至深0.1μm的范围内的碳浓度设为1×1017atoms/cm3以上。由此，提供一种通过使单晶硅晶圆的表层的碳浓度为高浓度，且使表面的碳浓度分布均匀，从而能够提高晶圆强度的碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。
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