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公开(公告)号：CN115398042B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202180028335.2
申请日：2021-03-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5×1015atoms/cm3以上。由此，提供用于抑制翘曲异常及接合不良的发生的、不易塑性变形的气相生长用的单晶硅基板。
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公开(公告)号：CN109716492A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780054582.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 三垦电气股份有限公司 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。
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公开(公告)号：CN109716492B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201780054582.3
申请日：2017-02-24
Applicant: 三垦电气股份有限公司 , 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明为一种半导体装置用基板，包含：基板；缓冲层，设置于该基板上且由氮化物半导体所构成；以及装置活性层，设置于该缓冲层上且自氮化物半导体所构成，其中该缓冲层具有：第一区域，含有碳与铁；以及第二区域，于该第一区域上，其铁的平均浓度低于该第一区域，其碳的平均浓度高于该第一区域，其中该第二区域的碳的平均浓度低于该第一区域的铁的平均浓度。由此提供在能抑制纵方向漏电流且抑制装置的高温动作时的横方向漏电流的同时，能抑制电流崩溃现象的半导体装置用基板。
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公开(公告)号：CN115398042A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180028335.2
申请日：2021-03-23
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明是气相生长用的单晶硅基板，所述单晶硅基板由电阻率为1000Ωcm以上的FZ结晶构成，所述单晶硅基板的表面具备厚度为10～100μm的高氮浓度层，所述高氮浓度层的氮浓度比其他区域高，且氮浓度为5×1015atoms/cm3以上。由此，提供用于抑制翘曲异常及接合不良的发生的、不易塑性变形的气相生长用的单晶硅基板。
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