公开(公告)号：CN117296133A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280034494.8

申请日：2022-03-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  丰田史朗

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明是利用线锯或带锯切断硅锭来制造具有主表面A与主表面B的硅晶圆的硅晶圆的制造方法，具有：第一切断工序，进行制作所述主表面A的切断；以及第二切断工序，进行制作所述主表面B的切断，通过使所述第一切断工序中的条件与所述第二切断工序中的条件为不同的条件，从而使对所述主表面A的损伤与对所述主表面B的损伤不同。由此，提供能够得到具有翘曲的硅晶圆的新型的硅晶圆的制造方法。

公开(公告)号：CN109983562B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201780072127.6

申请日：2017-11-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  北爪大地

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/08 ,  B24B37/28

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载体，在将半导体硅晶圆双面研磨的双面研磨装置中将该双面研磨装置用载体设置于各别贴附有研磨布的上下定盘之间，且该双面研磨装置用载体形成有用于在研磨之际将被夹在该上下定盘之间的该半导体硅晶圆予以支承的支承孔，其中该双面研磨装置用载体为树脂制，与该研磨布接触的表背面的相对于纯水的接触角度的平均值为45°以上60°以下，且表面与背面的接触角度的平均值的差为5°以内。由此提供使用树脂制载体的能提升半导体硅晶圆的研磨率的双面研磨装置用载体，以及使用此物的双面研磨装置及双面研磨方法。

公开(公告)号：CN115485813A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202180031139.0

申请日：2021-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 吉田容辉 ,  田中佑宜

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/12 ,  B24B37/28 ,  B24B41/06

Abstract: 本发明是一种双面研磨装置用载具的制造方法，所述双面研磨装置用载具在具备粘贴有研磨布的上平台及下平台的双面研磨装置中使用，且具有：载具母材，其形成有用于保持晶圆的保持孔；以及树脂嵌入物，其沿着所述保持孔的内周面配置，且形成有与所述晶圆的外周部相接的内周部，该方法包括：准备工序，准备所述载具母材及比该载具母材更厚的所述树脂嵌入物；形成工序，将所述树脂嵌入物以非粘接且剥离强度为10N以上、50N以下的方式形成于所述保持孔的内周面；以及调试研磨工序，使用所述双面研磨装置，对由所述载具母材及所述树脂嵌入物构成的载具进行载荷为2级以上的多级的调试研磨。由此，提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，可降低双面研磨装置用载具中树脂嵌入物与载具母材的高低差量的表面背面之差。

公开(公告)号：CN110546740A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201880026667.5

申请日：2018-03-16

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  上滨直纪

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/015

Abstract: 本发明提供一种硅晶圆的研磨方法，其具有：第一研磨工序，向贴附于底板的砂布上供给含有磨粒的碱性水溶液，并使研磨头所保持的硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨；以及第二研磨工序，向所述砂布供给不含磨粒而含有高分子聚合物的碱性水溶液，并使所述硅晶圆的表面与所述砂布滑动接触来进行研磨，该方法的特征在于，将所述砂布的表面温度控制为所述第二研磨工序中的所述砂布的表面温度比所述第一研磨工序中的所述砂布的表面温度高2℃以上来进行所述硅晶圆的研磨。由此可提供一种兼顾了平面度(Flatness)的提高和表面粗糙度的降低的硅晶圆的研磨方法。

公开(公告)号：CN109983562A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780072127.6

申请日：2017-11-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  北爪大地

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/08 ,  B24B37/28

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载体，在将半导体硅晶圆双面研磨的双面研磨装置中将该双面研磨装置用载体设置于各别贴附有研磨布的上下定盘之间，且该双面研磨装置用载体形成有用于在研磨之际将被夹在该上下定盘之间的该半导体硅晶圆予以支承的支承孔，其中该双面研磨装置用载体为树脂制，与该研磨布接触的表背面的相对于纯水的接触角度的平均值为45°以上60°以下，且表面与背面的接触角度的平均值的差为5°以内。由此提供使用树脂制载体的能提升半导体硅晶圆的研磨率的双面研磨装置用载体，以及使用此物的双面研磨装置及双面研磨方法。

公开(公告)号：CN108698192A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012780.3

申请日：2017-02-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 北爪大地 ,  田中佑宜

IPC: B24B37/08 ,  B24B37/28 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用的载体的制造方法，包含准备载体基材及比该载体基材更厚的插入材的准备步骤、将插入材嵌入支承孔而使插入材自载体基材的表面侧及背面侧两者表面突出的嵌入步骤、分别测定自载体基材的表面侧突出的插入材的表面侧突出量及自载体基材的背面侧突出的插入材的背面侧突出量的测定步骤、设定启用研磨载体时的上定盘及下定盘的转速而降低表面侧突出量及背面侧突出量的差值的设定步骤及以经设定的上定盘及下定盘的分别的转速而启用研磨载体的启用研磨步骤。由此能提高双面研磨后的晶圆的边缘部的平坦度。

公开(公告)号：CN105531799B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201480050581.8

申请日：2014-08-22

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  佐藤一弥 ,  小林修一

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/11

CPC classification number: B24B37/005 ,  B24B37/20 ,  B24B49/12

Abstract: 本发明是一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。由此，提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时地评价研磨垫的使用期限，且能够抑制研磨晶圆时的生产率及成品率的降低。

公开(公告)号：CN108369908A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201780004626.1

申请日：2017-02-01

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  天海史郎

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种双面研磨方法，将支承于载体的半导体晶圆，由经分别贴附有研磨垫的上定盘及下定盘所夹入，使该半导体晶圆的双面滑接于该研磨垫，而同时研磨该半导体晶圆的双面，其中经贴附于该上定盘的该研磨垫的厚度A(mm)、及经贴附于该下定盘的该研磨垫的厚度B(mm)，满足1.0≦A+B≦2.0，且A/B>1.0的关系。由此，能够得到在将GBIR的值抑制在要求值以下的同时，F-ZDD

公开(公告)号：CN104114322B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201380006959.X

申请日：2013-01-30

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  田中佑宜 ,  小林修一

IPC: B24B37/08 ,  B24B53/00 ,  B24B53/12 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明是一种晶片的双面研磨方法，该晶片的双面研磨方法将晶片保持在载具的保持孔中，并将该所保持的晶片夹入粘贴有砂布的上下平台之间，并使上述载具进行自转及公转而同时研磨上述晶片的双面，且以批次方式反复进行该晶片的研磨，上述晶片的双面研磨方法其特征在于，在上述以批次方式反复进行的晶片的研磨中，将上述载具公转的方向在每一批次转换成相反的方向。由此，提供一种能够抑制修整所造成的生产率的降低且能够稳定地得到高平坦度的晶片的晶片的双面研磨方法。

公开(公告)号：CN104968473A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201480006747.6

申请日：2014-01-15

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 佐藤一弥 ,  田中佑宜 ,  小林修一 ,  伊波健路 ,  金城俊成

IPC: B24B37/28

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B7/17 ,  B24B7/228 ,  B24B7/241 ,  B24B37/08 ,  H01L21/304 ,  H01L21/673

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载具的制造方法，是将嵌件材料嵌合并粘结在保持孔中来进行制造，所述保持孔是在被配置于双面研磨装置的贴附有研磨布的上磨盘和下磨盘之间的载具主体上形成，且用于在研磨时保持晶圆，所述嵌件材料接触所保持的晶圆的周边部，其中，该双面研磨装置用载具的制造方法，对所述嵌件材料施行研光加工和研磨加工，之后，将该嵌件材料嵌合至载具主体的保持孔中，沿着与载具主体的主要表面垂直的方向，一边将负载施加至已嵌合的嵌件材料上一边进行粘结及干燥，由此来制造双面研磨装置用载具。由此，提供一种能够抑制在批次内的研磨晶圆的平坦度的偏差的双面研磨装置用载具的制造方法及晶圆的双面研磨方法。