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公开(公告)号：CN109643744B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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公开(公告)号：CN109643744A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780045605.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 信越半导体株式会社
Abstract: 本发明为一种发光组件，包括由化合物半导体所构成的发光部、电极、以及保护膜。该发光组件的特征在于覆盖该发光组件的至少一部分的该保护膜的表面形成有Rz超过5nm的凹凸。由于此结构，便能不使树脂密接性降低，并在进行树脂密封时抑制树脂剥离的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106102449A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580014018.X
申请日：2015-03-04
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: A01G7/00
CPC classification number: A01G7/045 , Y02P60/149
Abstract: 本发明是一种植物育成用照明装置，包含红光LED，发光波长为在600～680nm间；以及远红光LED或红外光LED，发光波长为在700～900nm间。该红光LED所发出红光与远红光LED或红外光LED所发出远红光及红外光系为能以脉冲状交互地照射。借此提供一种促进植物光合作用，植物生长良好的植物育成用照明装置及植物育成方法。
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公开(公告)号：CN100459182C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200380109980.9
申请日：2003-12-19
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0079
Abstract: 在本发明的发光元件(100)中，以具有发光层部(24)的化合物半导体层的第一主表面作为光取出面，在该化合物半导体的第二主表面侧，透过具有反射面的主金属层(10)结合元件基板(7)而构成；该反射面使来自该发光层部(24)的光向该光取出面侧反射，其特征在于：该元件基板(7)是以导电型为p型的Si基板所构成，且在该元件基板(7)的主金属层侧(10)的主表面正上方形成以Al为主成分的接触层(31)。藉此提供：在具有透过金属层使发光层部与元件基板贴合的构造的发光元件中，具有良好的导电性的发光元件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN1264229C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN01819811.2
申请日：2001-11-28
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L21/365
Abstract: 本发明的发光组件(1)，具有由p型被覆层(2)、活性层(33)以及n型被覆层(34)依这一顺序叠层而得到的发光层部，且p型被覆层(2)由p型MgxZn1-xO(其中，0＜x≤1)层构成。再者，利用MOVPE法形成该层，这样可有效地抑制成膜中氧缺损的发生，得到具有良好特性的p型MgxZn1-xO层。
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公开(公告)号：CN1667849A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510053612.8
申请日：2005-03-09
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光元件，其在发光层部通过反射用金属层将补强用导电基板贴合，既容易制造，又可良好地维持金属层所形成的反射面的反射率。发光元件具有化合物半导体层，该层具有发光层部及形成于该发光层部的第一主表面上的电流扩散层。该化合物半导体层的第二主表面，是通过反射金属层结合于构成导电性元件基板的Si基板的第一主表面上。反射金属层10是由以Au、Ag、或Al之任一作为主成分的金属构成。反射金属层与Si基板通过导电性粘着材层11贴合，该导电性粘着材层11是将以Au、Al、Cu、或Ni为主成分的金属粒子，以环氧系高分子材料、氨基甲酸系高分子材料或丙烯酸系高分子材料等构成的高分子结合材料结合而构成。
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公开(公告)号：CN219591348U
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202222549967.8
申请日：2022-09-27
Applicant: 信越半导体株式会社 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L33/00 , H01L21/78 , H01L21/428
Abstract: 本实用新型包括一种剥离系统及制造系统。接合型晶片的剥离系统从接合型晶片剥离支撑体。接合型晶片具有在外延功能层的单面具有极性不同的两个以上的电极的元件结构部，且元件结构部利用固化型接合材而与包含异质基板的支撑体接合，接合型晶片的剥离系统具有机构，所述机构将从激光振荡器振荡产生的激光照射至接合型晶片，由此来使固化型接合材和/或与固化型接合材接触的元件结构部的表面的至少一部分吸收激光，使固化型接合材和/或元件结构部的表面分解，从而使元件结构部与支撑体分离。本实用新型的接合型晶片的剥离方法中，通过照射激光，从而能够容易地从元件结构部剥离支撑体。
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