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公开(公告)号：CN102498063A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080040911.7
申请日：2010-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/02
CPC classification number: H01L21/02595 , B01J19/02 , B01J2219/0236 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4411 , C23C16/463 , C23C16/52 , H01L21/02532 , H01L21/02636 , Y02P20/124 , Y02P20/129
Abstract: 本发明提供从反应炉的冷却中使用的冷却介质中高效地回收热量、并且能够减少使多晶硅在反应炉内析出时由反应炉内壁混入的掺杂剂杂质而制造高纯度的多晶硅的技术。使用温度高于标准沸点的热水(15)作为供给到反应炉(10)中的冷却介质，使反应器内壁温度保持在370℃以下，并且，利用设置在冷却介质罐(20)中的压力控制部使回收的热水(15)减压而产生蒸汽，将其一部分以蒸汽的形式取出到外部，作为其他用途的加热源进行再利用。另外，作为设置在反应炉(10)的内壁的炉内侧的耐腐蚀层(11a)的材料，使用具有由R＝[Cr]+[Ni]-1.5[Si]定义的R值为40％以上的组成的合金材料。
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公开(公告)号：CN109252215B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810724213.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
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公开(公告)号：CN107848796B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201680044982.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B3/56 , B01J20/18 , B01D53/78 , B01D53/82 , B01D53/96 , B01J20/20 , B01J20/34 , C01B33/035 , C01B39/44 , B01D53/68 , B01D53/72 , B01D53/75
Abstract: 本发明的氢气回收系统由从来自多晶硅制造工序的含有氢的反应废气中冷凝分离氯硅烷类的冷凝分离装置(A)、对含有氢的反应废气进行压缩的压缩装置(B)、使含有氢的反应废气与吸收液接触而将氯化氢吸收分离的吸收装置(C)、由用于将含有氢的反应废气中包含的甲烷、氯化氢及氯硅烷类的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔构成的第一吸附装置(D)、由将含有氢的反应废气中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔构成的第二吸附装置(E)和将使甲烷浓度降低后的纯化氢气回收的气体线路(F)构成。
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公开(公告)号：CN107250038B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201580076377.8
申请日：2015-12-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 首先，从多晶硅棒的自中心(r＝0)起至R/3为止的区域选取以与该多晶硅棒的径向垂直的截面作为主面的板状试样。然后，将所述板状试样配置于检测来自密勒指数面(111)的布拉格反射的位置。以使由狭缝决定的X射线照射区域在所述板状试样的主面上进行φ扫描的方式，使所述板状试样以其中心作为旋转中心、以旋转角度φ进行面内旋转，求出表示来自所述密勒指数面(111)的布拉格反射强度的所述板状试样的旋转角度依赖性的衍射图。计算出该衍射图中出现的峰部的面积Sp与所述衍射图的总面积St之比(Sp/St)。选择利用上述步骤评价的面积比Sp/St为2％以下的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN108502888A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810156765.2
申请日：2018-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107 , C01B33/03 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供三氯硅烷的纯化系统以及硅晶体，所述三氯硅烷的纯化系统能够防止伴随高沸点化合物的转化而产生的加成物的解离所引起的再污染、平衡制约所引起的杂质残留。在多段式杂质转化工序中供给含有硅晶体中成为供体或受体的杂质的三氯硅烷。该三氯硅烷中的杂质在蒸馏辅助剂的存在下转化为高沸点化合物。多个杂质转化工序部(101～10n)串联连接，杂质转化工序部均具备来自前段部的三氯硅烷的接收部(a)、蒸馏辅助剂的导入部(b)、面向后段部的三氯硅烷的输出部(c)和将残余部分(高沸点化合物、蒸馏辅助剂、三氯硅烷残液)排出至该杂质转化工序部外的排放部(d)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106947955A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710117230.X
申请日：2013-02-19
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: C23C16/46 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , C23C16/50 , C23C16/52 , C30B28/14 , C30B29/06
Abstract: 本发明涉及多晶硅棒的制造方法。在钟形玻璃罩(1)内所配置的两对牌坊型的硅芯线(12)之间设置的电路(16)的串联/并联的切换是通过开关(S1～S3)进行的。电流从供给低频率电流的一个低频电源(15L)或供给具有2kHz以上的频率的频率可变的高频电流的一个高频电源(15H)被供给到该电路(16)。若关闭开关(S1)且打开开关(S2)以及(S3)从而将两对牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))串联连接，并将开关(S4)切换到高频电源(15H)侧，则能够对串联连接的牌坊型的硅芯线(12)(或多晶硅棒(11))供给2kHz以上的频率的高频电流而进行通电加热。
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公开(公告)号：CN106488884A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580036811.X
申请日：2015-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10794 , B01D3/14 , C01B33/107 , C01B33/1071 , C01B33/10789
Abstract: 首先，在氯硅烷中生成硅烷醇和硅氧烷化合物中的至少一者(S101)。该工序中，例如，使水分浓度为0.5～2.5ppm的不活泼气体与氯硅烷液体接触而使水分溶入，通过该氯硅烷的一部分的加水反应而生成硅烷醇和硅氧烷化合物中的至少一者。接着，使氯硅烷中含有的含硼化合物与硅烷醇或硅氧烷化合物反应而使含硼化合物形成硼氧化物(S102)。通过该工序(S102)，作为低沸点化合物的含硼化合物变成作为高沸点化合物的硼氧化物，与氯硅烷的沸点差增大，之后的分离变得容易。
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公开(公告)号：CN104736480B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380054109.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: H01L21/02595 , C01B33/02 , C01B33/027 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/50 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 在本发明的方法中，通过调整供给至用于通过西门子法制造多晶硅的反应炉的原料气体的动能(原料气体供给喷嘴喷出口处的原料气体的流速和供给量)，控制爆米花的产生率。具体而言，在0.25MPa～0.9MPa的反应压力下进行多晶硅的析出反应时，在原料气体供给喷嘴(9)的气体供给口处的原料气体的流速设为u(m/sec)、原料气体供给量设为Q(kg/sec)、反应炉(100)的内部容积设为V(m3)时，以使得值Q×u2/V的合计Σ(Q×u2/V)为2500(kg/m·sec3)以上的方式设定原料气体供给喷嘴(9)各自的u和Q值。
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公开(公告)号：CN103958406B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280058859.7
申请日：2012-11-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C23C16/24 , C01B33/035 , C23C16/52
Abstract: 在本发明中，使硅在硅芯线上析出而得到多晶硅棒的多晶硅的制造方法中，在析出反应的初期阶段(前段工序)中通过将原料气体大量供给至反应炉内而在不提高反应速度的情况下使供给的原料气体的浓度为高浓度，由此提高反应速度，在该前段工序之后的后段工序中利用将原料气体高速吹入反应炉内所产生的高速强制对流的效果将爆米花的产生概率抑制在较低水平。由此，即使在高压化、高负荷化、高速化的反应体系中，也能够在不降低生产效率的情况下制造爆米花少且高纯度的多晶硅棒。
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公开(公告)号：CN103702938B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201280035894.7
申请日：2012-09-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: H01L21/02595 , C01B33/035 , C23C16/24 , C23C16/4418 , H01L21/02532
Abstract: 为了得到具有翘曲少、横截面形状的圆度高的良好形状的多晶硅棒，使设置在反应炉中的原料气体供给喷嘴(9)与金属电极(电极对)(10)的配置关系为适当关系。圆盘状底板(5)的面积为S0。在该圆盘状底板(5)的中央具有中心的假想的同心圆C(半径c)具有面积S＝S0/2。另外，同心圆A及同心圆B分别是与同心圆C具有相同的中心的半径a及半径b(a＜b＜c)的假想同心圆。在本发明中，电极对(10)配置在上述假想的同心圆C的内侧且假想的同心圆B的外侧，气体供给喷嘴(9)均配置在上述假想的同心圆A的内侧。另外，同心圆B的半径b与同心圆A的半径a之差为20cm以上且50cm以下。
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