-
公开(公告)号：CN105531229A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050755.0
申请日：2014-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/03 , B01D3/143 , B01D53/002 , B01D53/0423 , B01D53/0438 , B01D2253/102 , B01D2256/26 , B01D2259/4009 , C01B33/035 , C01B33/1071 , C01B33/10784
Abstract: 本发明提供在将反应废气中所包含的氯硅烷回收并将其循环再供给至多晶硅析出反应而进行再利用时，在不将回收氯硅烷排除至体系外的情况下，在封闭化的体系内制造半导体级的高纯度多晶硅的方法。本发明中，采用了由C工序中分级出的回收氯硅烷得到杂质降低处理氯硅烷的D工序以及将该D工序中得到的杂质降低处理氯硅烷供给至作为多晶硅的析出工序的A工序的构成。通过该采用，在制造半导体级的高纯度多晶硅的工艺中，在析出反应体系内循环的回收氯硅烷中所蓄积的杂质化合物被除去，从而能够得到稳定品质的多晶硅。
-
公开(公告)号：CN113371716B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202110236189.4
申请日：2021-03-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明的底板的污染防止方法，包括：在具有底板以及覆盖所述底板的盖的反应器内制造多晶硅的工序；从所述底板除去所述盖的工序；以及通过隔离装置隔离包含所述底板的空间的工序。
-
公开(公告)号：CN109252215B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201810724213.7
申请日：2018-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供适合作为单晶硅制造用原料的多晶硅棒和多晶硅棒的制造方法。在通过基于化学气相法的析出而制造直径为150mm以上的多晶硅棒时，在反应炉内配置多对硅芯线，将所述多晶硅棒的最终直径的平均值设为D(mm)、将所述多对硅芯线的相互间隔设为L(mm)时，将D/L的值设定为小于0.40的范围。
-
公开(公告)号：CN115583653A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202210757989.5
申请日：2022-06-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅棒的制造装置，包括：用于使多晶硅析出的硅芯线1；贯穿底板80设置的硅芯线用电极60；设置在硅芯线1与硅芯线用电极60之间且由能够相对于底板80移动的适配器等构成的调整构件10；以及可冷却调整构件10的冷却部。
-
公开(公告)号：CN115560628A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210685812.9
申请日：2022-06-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: F28G9/00 , C01B33/035
Abstract: 本发明的清洗系统包括：与用于制造以氯硅烷为原料的多晶硅的反应容器10连结的第一配管20；与所述第一配管20连结的热交换器30；设置在所述热交换器30与所述第一配管20之间的第二配管60；以及设置在所述第一配管20或所述第二配管60上的驱动部50。其中，清洗液受到来自所述驱动部50的力，在所述第一配管20、所述热交换器30及所述第二配管60中循环。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107848796B
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN201680044982.1
申请日：2016-08-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B3/56 , B01J20/18 , B01D53/78 , B01D53/82 , B01D53/96 , B01J20/20 , B01J20/34 , C01B33/035 , C01B39/44 , B01D53/68 , B01D53/72 , B01D53/75
Abstract: 本发明的氢气回收系统由从来自多晶硅制造工序的含有氢的反应废气中冷凝分离氯硅烷类的冷凝分离装置(A)、对含有氢的反应废气进行压缩的压缩装置(B)、使含有氢的反应废气与吸收液接触而将氯化氢吸收分离的吸收装置(C)、由用于将含有氢的反应废气中包含的甲烷、氯化氢及氯硅烷类的一部分吸附除去的填充有活性炭的吸附塔构成的第一吸附装置(D)、由将含有氢的反应废气中包含的甲烷吸附除去的填充有合成沸石的吸附塔构成的第二吸附装置(E)和将使甲烷浓度降低后的纯化氢气回收的气体线路(F)构成。
-
公开(公告)号：CN112299421A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010673757.2
申请日：2020-07-14
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及的多晶硅制造装置包括将芯线夹与金属电极电连接的电极适配器，所述电极适配器与设置在所述金属电极的螺合部之间被设为非导通。此外，本发明涉及的多晶硅制造装置包括将芯线夹与金属电极电连接的电极适配器，所述电极适配器通过固定机构部被固定于所述金属电极，并且所述电极适配器与所述固定机构部之间被设为非导通。
-
公开(公告)号：CN108502888A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810156765.2
申请日：2018-02-24
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107 , C01B33/03 , C30B29/06
Abstract: 本发明提供三氯硅烷的纯化系统以及硅晶体，所述三氯硅烷的纯化系统能够防止伴随高沸点化合物的转化而产生的加成物的解离所引起的再污染、平衡制约所引起的杂质残留。在多段式杂质转化工序中供给含有硅晶体中成为供体或受体的杂质的三氯硅烷。该三氯硅烷中的杂质在蒸馏辅助剂的存在下转化为高沸点化合物。多个杂质转化工序部(101～10n)串联连接，杂质转化工序部均具备来自前段部的三氯硅烷的接收部(a)、蒸馏辅助剂的导入部(b)、面向后段部的三氯硅烷的输出部(c)和将残余部分(高沸点化合物、蒸馏辅助剂、三氯硅烷残液)排出至该杂质转化工序部外的排放部(d)。
-
公开(公告)号：CN106488884A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201580036811.X
申请日：2015-07-02
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10794 , B01D3/14 , C01B33/107 , C01B33/1071 , C01B33/10789
Abstract: 首先，在氯硅烷中生成硅烷醇和硅氧烷化合物中的至少一者(S101)。该工序中，例如，使水分浓度为0.5～2.5ppm的不活泼气体与氯硅烷液体接触而使水分溶入，通过该氯硅烷的一部分的加水反应而生成硅烷醇和硅氧烷化合物中的至少一者。接着，使氯硅烷中含有的含硼化合物与硅烷醇或硅氧烷化合物反应而使含硼化合物形成硼氧化物(S102)。通过该工序(S102)，作为低沸点化合物的含硼化合物变成作为高沸点化合物的硼氧化物，与氯硅烷的沸点差增大，之后的分离变得容易。
-
公开(公告)号：CN116497439A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310025913.8
申请日：2023-01-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C30B25/02 , C30B25/16 , C30B28/14 , C30B29/06 , G01N33/00 , G01N21/3563 , G01N27/626 , G01N21/63 , G01N1/28 , G06Q10/0639
Abstract: 本发明的质量评价方法包含：生成评价用硅的工序,在反应器20内生长多晶硅的同时,生长从芯线9沿径向延伸的单晶硅；以及使用所述单晶硅进行评价的工序。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.037 seconds)
