公开(公告)号：CN1336856A

公开(公告)日：2002-02-20

申请号：CN00802663.7

申请日：2000-11-09

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 中野瑞 ,  浜谷典明 ,  岛聪

IPC: B22F3/00 ,  C08L83/04 ,  C08J5/00

CPC classification number: H01M8/065 ,  B01J20/00 ,  B01J20/0203 ,  B01J20/20 ,  B01J20/262 ,  B01J20/30 ,  B01J2220/46 ,  C01B3/0078 ,  C08K3/08 ,  Y02E60/327 ,  Y02P70/56 ,  C08L83/04

Abstract: 一种储氢复合成型体包含,储氢材料和含硅树脂,含硅树脂的含量优选为0.5－50wt%;一种制备所述成型体的方法,包括通过加压成型储氢材料,将所获得的成型体用溶液浸渍,所述溶液含有一种溶剂以及溶解或分散其中的含硅树脂,以及对浸渍的成型体进行固化处理;以及一种制备所述成型体的方法,包括将储氢合金与选自于含硅树脂,含硅树脂溶液和含硅树脂的分散液中之任何一种混合,之后将所获得的混合物成型,之后进行固化处理。所述储氢复合成型体即使长期重复进行吸附和脱附也不会发生破碎或损坏,并且具有优异的耐热性,成型性和加工性。

公开(公告)号：CN116635564A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180084117.0

申请日：2021-11-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 宫本滉平 ,  高井康 ,  中野瑞 ,  西村龙星

IPC: C23C4/134

Abstract: 使用等离子体喷镀用浆料，采用等离子体喷镀来制造喷镀膜，所述等离子体喷镀用浆料含有20质量％以上且80质量％以下的最大粒径(D100)为15μm以下的氧化铝粒子，以选自水和有机溶剂中的1种或2种以上为分散介质，将700mL的所述等离子体喷镀用浆料放入高193mm的1L容器中并在室温下静置168小时后的上清液的透射率为90％以下。通过使用本发明的等离子体喷镀用浆料，能够在基材上稳定地形成气孔率低、并且具有充分的膜厚、单位体积的电阻的温度变化小的、包含氧化铝的喷镀膜，具备这样的喷镀膜的喷镀构件可用于静电卡盘。

公开(公告)号：CN104884574A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380068209.5

申请日：2013-12-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 塚谷敏彦 ,  津森俊宏 ,  绵谷和浩 ,  中野瑞 ,  美浓轮武久

IPC: C09K11/80 ,  C09K11/08 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/502 ,  C09K11/7731 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/501 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091 ,  H05B33/14

Abstract: 以含量0.1～20质量％将(AxByCz)3C5O12(式中，A为选自Y、Gd和Lu中的1种以上的稀土类元素，B为选自Ce、Nd和Tb中的1种以上的稀土类元素，C为Al和/或Ga，x、y和z是满足0.002≦y≦0.2、0＜z≦2/3和x+y+z＝1的正数。)所示的平均圆形度0.3以下的球状荧光体的1种以上分散的含有荧光体的树脂成型体和波长转换部件、具备该波长转换部件的发光装置以及含有荧光体的树脂成型体用树脂粒料。

公开(公告)号：CN101135033B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200710182172.5

申请日：2007-04-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 前田孝雄 ,  牧野勇一 ,  中野瑞 ,  植原一郎

IPC: C23C4/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/50 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/08 ,  C23C4/06 ,  Y10T428/31678

Abstract: 一种适于暴露在卤素基气体等离子体气氛中的导电、等离子体耐受性构件，该构件包括基材，所述基材在有待暴露于等离子体中的至少部分区域上形成有热喷涂涂层，该热喷涂涂层由金属钇或金属钇与氧化钇和/或氟化钇混合物构成从而具有导电性。由于该构件具有导电性，并且对卤素基腐蚀性气体或其等离子体具有改良的耐腐蚀性，因此在半导体制造设备或平板显示器制造设备中可以抑制因等离子体刻蚀导致的颗粒污染。

公开(公告)号：CN101691307A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910126738.1

申请日：2009-01-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 前田孝雄 ,  中野瑞 ,  塚谷敏彦

IPC: C04B41/81

CPC classification number: H01L21/67069 ,  C23C4/10 ,  C23C4/11 ,  C23C4/134 ,  C23C4/18 ,  H01J37/32477

Abstract: 陶瓷喷涂部件，包括基底和其上的陶瓷喷涂层。层片已从喷涂层的表面被去除，一般是通过喷砂处理去除。该具有改进的耐等离子体性能的陶瓷喷涂部件减轻了晶片的颗粒污染，并当在用于半导体制造等类似情形的卤素等离子体工艺中使用时能够使生产稳定。

公开(公告)号：CN100587116C

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200610099687.4

申请日：2006-06-29

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 塚谷敏彦 ,  中野瑞 ,  前田孝雄

IPC: C23F4/00 ,  H01L21/02 ,  C22C28/00 ,  C23G1/02

Abstract: 使用具有最低含量的杂质金属元素的稀土金属，将其加工成构件并用基于有机酸的封端剂进行清洗，获得完全由稀土金属组成并且在亚表面区域包含不多于100ppm的杂质金属元素的稀土金属构件，该稀土金属构件的特征在于高表面纯度、大晶粒尺寸、最少的晶界和提高的耐卤素性或耐蚀性。

公开(公告)号：CN101030524A

公开(公告)日：2007-09-05

申请号：CN200610064446.6

申请日：2006-10-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 中野瑞 ,  塜谷敏彦 ,  前田孝雄

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67 ,  C23F4/00 ,  C23C16/00 ,  H01J37/32 ,  H01J37/00 ,  H05H1/00 ,  B32B9/00 ,  B32B33/00

CPC classification number: C23C4/18 ,  C23C4/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/134 ,  C23C24/04 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32559

Abstract: 本发明涉及一种待暴露于含有卤素的气体气氛中或含有卤素的气体等离子体气氛中的耐腐蚀构件，该构件包括基体和在基体上沉积的多层，该多层包括提供最外表面的稀土氟化物层和在稀土氟化物层下面的具有小于5％的孔隙率的稀土氧化物层。