涂覆有金属电镀层的单晶硅基片和垂直磁记录介质

    公开(公告)号:CN1681008A

    公开(公告)日:2005-10-12

    申请号:CN200510062693.8

    申请日:2005-04-05

    CPC classification number: G11B5/667 G11B5/7315

    Abstract: 本发明提供一种单晶Si基片,在其上形成和Si单晶基片具有良好粘附性的一个或多个金属膜,使得粘附性得到保证。更为具体的说,提供表面处理的基片,该基片包括具有1-100Ω·cm的体电阻系数的单晶Si基片,以及在单晶Si基片上的至少一个金属电镀层。面对单晶Si基片的该金属电镀层优选地包括从由Ag、Co、Cu、Ni、Pd、Fe和Pt组成的组中选择的至少一个金属。另外,提供了包括涂覆有金属电镀层的单晶Si基片的垂直磁记录介质。

    制造磁记录介质衬底的方法

    公开(公告)号:CN1577512A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN200410071640.8

    申请日:2004-07-15

    CPC classification number: G11B5/8404 B23K26/40 B23K2101/40 B23K2103/50

    Abstract: 本发明提供了一种用于改善取芯步骤产率的方法。更具体地说,本发明提供了一种用于制造用作磁记录介质衬底的衬底的方法,其包括:取芯步骤,以从具有至少150mm和至多300mm直径的单晶硅晶片获得具有至多55mm直径的多个环形衬底,其中,取芯的执行使得不包括多个衬底的残余晶片保留在一片内。在所述取芯步骤中,优选使用激光切割或水喷射切割来执行取芯,使得所述残余晶片的所述表面的所述最小宽度是所述晶片厚度的1.5至2.5倍。

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