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公开(公告)号：CN1577512A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071640.8
申请日：2004-07-15
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： G11B5/84
CPC分类号： G11B5/8404 , B23K26/40 , B23K2101/40 , B23K2103/50
摘要： 本发明提供了一种用于改善取芯步骤产率的方法。更具体地说，本发明提供了一种用于制造用作磁记录介质衬底的衬底的方法，其包括：取芯步骤，以从具有至少150mm和至多300mm直径的单晶硅晶片获得具有至多55mm直径的多个环形衬底，其中，取芯的执行使得不包括多个衬底的残余晶片保留在一片内。在所述取芯步骤中，优选使用激光切割或水喷射切割来执行取芯，使得所述残余晶片的所述表面的所述最小宽度是所述晶片厚度的1.5至2.5倍。
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公开(公告)号：CN104885238B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201380068227.3
申请日：2013-12-26
申请人： 信越化学工业株式会社
CPC分类号： C09K11/616 , C09K11/02 , C09K11/617 , C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L33/507
摘要： 波长转换部件,是包含以30质量%以下的含量分散复合氟化物荧光体的、选自聚烯烃、聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、氟树脂、丙烯酸系树脂、尼龙、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、氯乙烯树脂和聚醚树脂中的1种或2种以上的热塑性树脂的树脂成型体,该复合氟化物荧光体由A(MMn)F(式中,M为选自Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中的1种或2种以上的4价元素,A为选自Li、Na、K、Rb和Cs并且至少包含Na和/或K的1种或2种以上的碱金属,x为0.001~0.3。)表示,粒度分布中的体积累计50%的粒径D50为2μm以上200μm以下。
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公开(公告)号：CN1577511A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071639.5
申请日：2004-07-15
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： G11B5/84
CPC分类号： G11B5/8404
摘要： 提供了一种用于制造磁记录介质的优选为小直径衬底的高效方法。更具体地说，提供了一种用于制造磁记录介质的衬底的方法，包括：取芯步骤，以从其直径至少为150mm至多为300mm的单晶硅晶片获得其外径至多为65mm的多个环形衬底，其中，内径和外径的取芯通过不同的方式来进行。在所述取芯步骤中，所述的内径取芯是通过水注切割或激光切割来进行的。
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公开(公告)号：CN104024374A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201380003941.4
申请日：2013-12-20
申请人： 信越化学工业株式会社
CPC分类号： C09K11/025 , B05D1/18 , C09K11/617 , H01L33/502
摘要： 用含有从有机胺、季铵盐、烷基甜菜碱或氟系表面活性剂、烷氧基硅烷、和含氟高分子化合物中选择的表面处理剂的处理液处理作为由A2MF6：Mn(M为从Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中选择的1种或2种以上的4价元素，A为从Li、Na、K、Rb和Cs中选择并且至少包含Na和/或K的1种或2种以上的碱金属。)所示的Mn赋活复合氟化物的红色荧光体的表面。
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公开(公告)号：CN1577508A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410069808.1
申请日：2004-07-09
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： G11B5/667
CPC分类号： G11B5/667 , G11B5/7315 , G11B5/8404 , Y10T428/31
摘要： 本发明提供一种经表面处理的磁记录介质用衬底，其在无磁性衬底上方具有均匀的成膜性并且可含有厚膜，以及提供包括记录层的磁记录介质。更具体的，本发明提供包括无磁性衬底以及位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底进行了亲水性处理。还发现，包括进表面处理的磁记录介质用衬底、软磁层和记录层的磁记录介质优选作为垂直记录介质。此外，提供一种包括无磁性衬底和位于无磁性衬底上的底镀层的经表面处理的磁记录介质用衬底是有效的，其中无磁性衬底的表面包含有直径至少为50nm且小于1000nm，且其深度小于其直径的凹坑形状。
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公开(公告)号：CN104024374B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201380003941.4
申请日：2013-12-20
申请人： 信越化学工业株式会社
CPC分类号： C09K11/025 , B05D1/18 , C09K11/617 , H01L33/502
摘要： 用含有从有机胺、季铵盐、烷基甜菜碱或氟系表面活性剂、烷氧基硅烷、和含氟高分子化合物中选择的表面处理剂的处理液处理作为由A2MF6：Mn(M为从Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中选择的1种或2种以上的4价元素，A为从Li、Na、K、Rb和Cs中选择并且至少包含Na和/或K的1种或2种以上的碱金属。)所示的Mn赋活复合氟化物的红色荧光体的表面。
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公开(公告)号：CN104885238A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068227.3
申请日：2013-12-26
申请人： 信越化学工业株式会社
CPC分类号： C09K11/616 , C09K11/02 , C09K11/617 , C09K11/7774 , H01L33/502 , H01L33/507
摘要： 波长转换部件，是包含以30质量％以下的含量分散复合氟化物荧光体的、选自聚烯烃、聚苯乙烯、苯乙烯共聚物、氟树脂、丙烯酸系树脂、尼龙、聚酯树脂、聚碳酸酯树脂、氯乙烯树脂和聚醚树脂中的1种或2种以上的热塑性树脂的树脂成型体，该复合氟化物荧光体由A2(M1-xMnx)F6(式中，M为选自Si、Ti、Zr、Hf、Ge和Sn中的1种或2种以上的4价元素，A为选自Li、Na、K、Rb和Cs并且至少包含Na和/或K的1种或2种以上的碱金属，x为0.001～0.3。)表示，粒度分布中的体积累计50％的粒径D50为2μm以上200μm以下。
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公开(公告)号：CN1577510A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410071638.0
申请日：2004-07-15
申请人： 信越化学工业株式会社
摘要： 本发明提供一种磁记录介质用衬底，优选提供一种具有不大于65mm直径的小直径衬底，其在物理特性和成本方面都具有优势。更具体地，本发明提供一种使用了之前经历过至少一次加热和/或腐蚀的单晶硅晶片的磁记录介质用衬底。此外，本发明提供一种制造磁记录介质用衬底的方法，该方法包括：取芯步骤，用于从经历过至少一次加热和/或腐蚀的直径至少为150mm和至多为300mm的单晶硅晶片上裁剪得到多个外径不大于65mm的环形衬底。所述方法优选地进一步包括倒棱步骤，用于将所述环形衬底内外圆周面上的棱除去；以及圆周面抛光步骤，用于抛光经过倒棱的内外圆周面。
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公开(公告)号：CN1577506A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063203.1
申请日：2004-06-30
申请人： 信越化学工业株式会社
CPC分类号： G11B5/732 , G11B5/667 , Y10T428/24372 , Y10T428/24388 , Y10T428/24421 , Y10T428/265
摘要： 一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底和包含记录层的磁记录介质，其中经表面处理的衬底可包含具有足够强的粘合力的厚膜，能够承受调平加工，如在硅衬底上成膜过程中的抛光。一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底及位于Si衬底上的底镀层，其中底镀层是包含金属和Si氧化物的膜。此外，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底及位于Si衬底上的底镀层，其中底镀层的表面上每100μm2存在至少5个和至多50个高度至少为100nm的凸起。进一步，提供一种用于磁记录介质的经表面处理的衬底，其包括Si衬底、位于Si衬底上的底镀层、以及位于底镀层上方的软磁性层，其中底镀层和软磁性层之间存在一个无磁性中间层。
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