公开(公告)号：CN101135033A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710182172.5

申请日：2007-04-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 前田孝雄 ,  牧野勇一 ,  中野瑞 ,  植原一郎

IPC: C23C4/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/50 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/08 ,  C23C4/06 ,  Y10T428/31678

Abstract: 一种适于暴露在卤素基气体等离子体气氛中的导电、等离子体耐受性构件，该构件包括基材，所述基材在有待暴露于等离子体中的至少部分区域上形成有热喷涂涂层，该热喷涂涂层由金属钇或金属钇与氧化钇和/或氟化钇混合物构成从而具有导电性。由于该构件具有导电性，并且对卤素基腐蚀性气体或其等离子体具有改良的耐腐蚀性，因此在半导体制造设备或平板显示器制造设备中可以抑制因等离子体刻蚀导致的颗粒污染。

公开(公告)号：CN101135033B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200710182172.5

申请日：2007-04-20

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 前田孝雄 ,  牧野勇一 ,  中野瑞 ,  植原一郎

IPC: C23C4/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/50 ,  C23F4/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/08 ,  C23C4/06 ,  Y10T428/31678

Abstract: 一种适于暴露在卤素基气体等离子体气氛中的导电、等离子体耐受性构件，该构件包括基材，所述基材在有待暴露于等离子体中的至少部分区域上形成有热喷涂涂层，该热喷涂涂层由金属钇或金属钇与氧化钇和/或氟化钇混合物构成从而具有导电性。由于该构件具有导电性，并且对卤素基腐蚀性气体或其等离子体具有改良的耐腐蚀性，因此在半导体制造设备或平板显示器制造设备中可以抑制因等离子体刻蚀导致的颗粒污染。