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公开(公告)号：CN101611474B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200880005092.5
申请日：2008-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28194 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种由氧化硅(Si)制成的非晶绝缘体膜，其中该非晶绝缘体膜包括Ar并且其中所包括的Ar的量相对Si的原子比为等于或大于3原子％。
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公开(公告)号：CN101661952B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200910167482.9
申请日：2009-08-25
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/12 , H01L29/786 , H01L27/02 , H01L21/34 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/78663 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供非晶氧化物半导体，其包括铟(In)和锌(Zn)中的至少一种元素与氢，该非晶氧化物半导体含有1×1020cm-3～1×1022cm-3的氢原子和氘原子中的一种，并且在该非晶氧化物半导体中，除了过剩氧(OEX)和氢之间的键之外的氧和氢之间的键密度小于等于1×1018cm-3。
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公开(公告)号：CN101861615A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200880116671.7
申请日：2008-11-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: G09G3/32 , H03K19/094
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2320/0233 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 一种发光显示装置包含多个像素。每个像素包含发光元件和发光元件的驱动电路，并且驱动电路包含并联连接的多个薄膜晶体管，薄膜晶体管的阈值电压根据在薄膜晶体管中的每一个的栅极和源极之间或栅极和漏极之间施加的电压而可逆地变化，在所述发光显示装置中，通过选择并切换多个薄膜晶体管TFT11至TFT13，用于向发光元件供给电流的薄膜晶体管的阈值电压被保持在预定范围内。
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公开(公告)号：CN101667391A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910171390.8
申请日：2009-08-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G09G3/325 , G09G2300/0426 , G09G2300/0439 , G09G2300/0814 , G09G2300/0852 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262 , G09G2320/0223
Abstract: 本发明公开了一种像素电路、发光显示装置及其驱动方法。一种像素电路至少包括发光元件和薄膜晶体管，薄膜晶体管将根据发光元件的亮度-电流特性控制灰度级的第一电流供应给发光元件，其中，薄膜晶体管具有背栅电极，包括至少驱动时段和写入时段，在驱动时段中，薄膜晶体管将第一电流供应给发光元件，在写入时段中，为了使第一电流在驱动时段期间通过薄膜晶体管，在驱动时段之前，第二电流被写入薄膜晶体管，以及通过改变在驱动时段和写入时段中被施加到背栅电极的电压，使得对薄膜晶体管的栅极电压的电流能力不同。
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公开(公告)号：CN101611474A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200880005092.5
申请日：2008-02-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/786 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/51 , H01L21/28194 , H01L29/4908 , H01L29/78609 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种由氧化硅(Si)制成的非晶绝缘体膜，其中该非晶绝缘体膜包括Ar并且其中所包括的Ar的量相对Si的原子比为等于或大于3原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1468982A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03145085.7
申请日：2003-07-02
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C25D7/0671 , C25D5/028
Abstract: 提供一种镀金装置及镀金方法。将长条基板(303)连续供给至少含有金属离子的镀金浴液(307)。将相对电极(305)相对地配置在该长条基板(303)的下面，形成镀金层，而将膜析出抑制用的导电构件(304)相对地配置在长条基板(303)的上面，使该导电构件(304)和长条基板(303)的电位基本上相等。由此，能减少长条基板(303)上面的镀金层的附着。
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公开(公告)号：CN1041366C
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN94120764.1
申请日：1994-12-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法，其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用，其特征在于，制造光电换能器的方法，其具有在导电基片上形成功能薄膜，它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗，使导电基片表面与净化水接触，并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于，其形成有一金属层作为光反射层，一反射加强层，和一半导体光电器件层，其通过等离子CVD法来制备，其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。
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公开(公告)号：CN101809747B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880108292.3
申请日：2008-09-18
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L33/16 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L33/0054
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和使用薄膜晶体管的显示装置。一种晶体管由栅电极2、栅绝缘层3、由非晶氧化物形成的半导体层4、源电极5、漏电极6和保护层7构成。保护层7以与半导体层4接触的方式被设置在半导体层4上，并且，半导体层4包含至少用作沟道层的第一层和具有比第一层的电阻高的电阻的第二层。第一层被设置在半导体层4的栅电极2侧，第二层被设置在半导体层4的保护层7侧。
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公开(公告)号：CN102623344A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210074536.9
申请日：2007-11-20
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 本发明涉及底栅型薄膜晶体管、其制造方法及显示装置。提供一种底栅型薄膜晶体管的制造方法，其包括：在衬底上形成栅电极；形成第一绝缘膜和氧化物半导体层；对所述第一绝缘膜和所述氧化物半导体层进行构图；在包含氧化气体的气氛中形成第二绝缘膜；以及对所述第二绝缘膜进行构图，以覆盖所述氧化物半导体层的沟道区域的至少一部分。
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公开(公告)号：CN101960571B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980107330.8
申请日：2009-03-02
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/66969 , H01L29/78633
Abstract: 在至少包括半导体的半导体元件的处理方法中，通过用波长比半导体的吸收边波长长的光照射半导体，改变半导体元件的阈值电压。半导体中的隙内状态的面密度为1013cm-2eV-1或更小。带隙可为2eV或更大。半导体可包括从由In、Ga、Zn和Sn构成的组中选择的至少一种。半导体可以是从由非晶In-Ga-Zn-O(IGZO)、非晶In-Zn-O(IZO)和非晶Zn-Sn-O(ZTO)构成的组中选择的一种。光照射可在半导体元件中引起阈值电压偏移，该阈值电压偏移具有与由制造工艺历史、时间相关变化、电应力或热应力导致的阈值电压偏移相反的符号。
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