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公开(公告)号:CN101621013A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910138948.2
申请日:2009-05-21
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3288 , H01L51/5253 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/566
Abstract: 提供一种有机发光器件的制造方法,用于一种有机发光器件,其具有:设置有外部连接端子的基板;设置在该基板上的有机发光元件;以及覆盖该有机发光元件的保护膜。该方法包括:顺序地,在外部连接端子上设置保护膜去除层;在基板上形成保护膜;划分其上形成有该保护膜的该基板;以及用水、水溶液或溶剂来清洗该基板。作为清洗该基板的结果,将保护膜去除层和保护膜从外部连接端子去除。
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公开(公告)号:CN1236477C
公开(公告)日:2006-01-11
申请号:CN02119067.4
申请日:2002-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , C23C16/24 , C23C16/4404 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得:向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体,至少内部的一部分用含硅固体覆盖,在真空容器的内部空间中产生等离子体,以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。
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公开(公告)号:CN1536682A
公开(公告)日:2004-10-13
申请号:CN200410031289.X
申请日:2004-03-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/046 , H01L31/0549 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种叠层型光电元件及其制造方法。该叠层型光电元件是由多个pn结或pin结组成的单元光电元件串联叠层而形成的光电元件,其特征在于,在上述单元光电元件间的至少一处配置氧化锌层,且该氧化锌层的电阻率在层厚方向上不同。
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公开(公告)号:CN1330392A
公开(公告)日:2002-01-09
申请号:CN01124925.0
申请日:2001-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/075 , H01L31/00
CPC classification number: H01L31/202 , C23C16/24 , C23C16/509 , C30B25/105 , C30B29/06 , H01L21/02425 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/03767 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02P70/521
Abstract: 在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体CVD中,将由公式Q=P
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公开(公告)号:CN1174415A
公开(公告)日:1998-02-25
申请号:CN97109999.5
申请日:1997-02-27
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L25/00
CPC classification number: H01L31/03928 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/0392 , H01L31/03921 , H01L31/03925 , H01L31/056 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电器件,包括具有不规则表面结构的不透明的衬底,所述不规则表面结构包括在其中排列的许多线性不规则处或槽,以及形成在所述衬底的所述不规则表面结构上的光电转换层,其中的多个线性不规则处或槽当沿着平行于线性不规则处或槽的方向扫描时,具有15n到300nm中心线平均粗糙度Ra(X),当沿着垂直于线性不规则处或槽的方向扫描时,具有20nm到600nm的中心线平均粗糙度Ra(Y),并且Ra(X)/Ra(Y)之比为0.8或更小。
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