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公开(公告)号：CN106458759A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029802.8
申请日：2015-06-24
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/64 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3286 , C04B2235/3296 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/6586 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/465 , H01L29/2206 , H01L29/245 , H01L29/247 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制造氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射靶。所述氧化物烧结体含有以氧化物方式存在的铟、镓以及选自由镍、钴、钙、锶和铅组成的组中的一种以上的正二价元素。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量为0.08以上且小于0.20，以M/(In+Ga+M)原子数比计的所述正二价元素M的含量为0.0001以上且0.05以下。将所述氧化物烧结体作为溅射靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，载流子浓度小于1.0×1018cm-3，载流子迁移率为10cm2V-1sec-1以上。
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公开(公告)号：CN106132903A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580015792.2
申请日：2015-04-15
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。由Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，由Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为3.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN106103380A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580013163.6
申请日：2015-05-20
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: H01L29/78693 , C04B35/01 , C04B35/03 , C04B35/6261 , C04B35/645 , C04B2235/3206 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/082 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J2237/332 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/0257 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供一种通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和镁。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.20以上且0.45以下，以Mg/(In+Ga+Mg)原子数比计的镁的含量优选为0.0001以上且小于0.05，并且优选以1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的非晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度小于3.0×1018cm‑3、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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公开(公告)号：CN104798205A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380060993.5
申请日：2013-11-21
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/24
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L29/04 , H01L29/24 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78693
Abstract: 本发明的目的在于，通过氧化物结晶质薄膜提供具有比较高的载流子迁移率并且适宜作为TFT的信道层材料的氧化物半导体薄膜。该氧化物半导体薄膜是通过对由含有铟和钛的氧化物构成且钛含量以Ti/In原子数比计为0.005～0.12的非晶质膜，以250℃以上的加热温度以及1分钟～120分钟的处理时间进行退火处理而获得。所述氧化物半导体薄膜是结晶质薄膜且仅由方铁锰矿型结构的In2O3相构成，并且载流子浓度为1×1019cm-3以下，载流子迁移率为1cm2/Vsec以上。
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公开(公告)号：CN104058728A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410231248.9
申请日：2010-07-29
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/645 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/668 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01J1/00 , H01L31/022466 , H01L33/42
Abstract: 本发明提供能够实现适合于蓝色LED及太阳能电池的透明导电膜的高速成膜和无结节成膜的溅射用靶、用于得到它的最佳氧化物烧结体及其制造方法。该氧化物烧结体是由铟和铈的氧化物构成，而且铈的含量以Ce/(In+Ce)原子数比计为0.3～9原子％，该氧化物烧结体以方铁锰矿型结构的In2O3相为主结晶相，作为第二相的萤石型结构的CeO2相作为平均粒径3μm以下的结晶颗粒进行细微地分散，将由氧化铟粉末和氧化铈粉末构成的各个平均粒径为1.5μm以下的原料粉末进行混合，然后对混合粉末进行成形，并利用常压烧结法对成形物进行烧结，或者利用热压法对混合粉末进行成形并烧结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102792387B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201180013835.5
申请日：2011-03-16
Applicant: 住友金属矿山株式会社
Inventor： 中山德行
CPC classification number: C23C14/08 , C01G15/00 , C01G15/006 , C01P2002/50 , C04B35/01 , C04B37/026 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5472 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/6586 , C04B2235/77 , C04B2235/783 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜，其特征在于，是以氧化铟为主成分且含有铈的结晶透明导电膜，铈的含量以Ce/(In＋Ce）原子数比计为0.3～9原子%，用离子镀敷法成膜且算术平均高度（Ra）为1.0nm以下；还提供一种透明导电膜，其特征在于，是以氧化铟为主成分、含有铈、进一步含有选自由钛、锆、铪、钼以及钨组成的金属元素组中的一种以上金属元素作为金属元素（M元素）的结晶透明导电膜，铈的含量以Ce/（In＋Ce＋M）原子数比计为0.3～9原子%、且M元素的含量以M/（In＋Ce＋M）原子数比计为1原子%以下，用离子镀敷法成膜且算术平均高度（Ra）为1.0nm以下。
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公开(公告)号：CN101164966B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200710163836.3
申请日：2007-09-30
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/06 , C23C14/34
CPC classification number: C04B35/6261 , C04B35/453 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/763 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供以氧化锌为主要成分，进一步含有铝、镓的氧化物烧结体及其制造方法；采用溅射法等完全不产生异常放电、能够连续且长时间成膜的靶；以及采用它的低电阻且高透射性的高品质的透明导电膜；高转换效率的太阳能电池。其通过氧化物烧结体等而提供，该氧化物烧结体含有氧化锌、铝、镓，是实质上由纤锌矿型氧化锌相和尖晶石型氧化物相的结晶相构成的氧化物烧结体，其特征在于，(1)氧化物烧结体中的铝和镓的含量以(Al+Ga)/(Zn+Al+Ga)原子数比计为0.3～6.5原子％，并且，铝和镓的含量以Al/(Al+Ga)原子数比计为30～70原子％；(2)尖晶石型氧化物相中的铝的含量以Al/(Al+Ga)原子数比计为10～90原子％。
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公开(公告)号：CN101679124A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880021217.3
申请日：2008-07-02
Applicant: 住友金属矿山株式会社
CPC classification number: C23C14/3414 , C03C17/245 , C04B35/01 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/76 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/086 , C23C14/3407 , H01B1/08 , Y10T428/24355 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31786 , Y10T428/31935
Abstract: 本发明提供可以实现高速成膜和无结节的溅射用靶或离子电镀用片料，用于得到它们的最佳氧化物烧结体及其制造方法，以及使用该氧化物烧结体得到的蓝光吸收少的低电阻透明导电膜。本发明提供的氧化物烧结体等的特征在于：在含有铟和镓作为氧化物的烧结体中，方铁锰矿型结构的In 2 O 3 相为主结晶相，在主结晶相中，β-Ga 2 O 3 型结构的GaInO 3 相、或GaInO 3 相和(Ga，In) 2 O 3 相以平均粒径为5μm以下的晶粒微细地分散，镓含量以Ga/(In+Ga)原子数比计，为10原子％以上、小于35原子％。
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公开(公告)号：CN101460425A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020927.X
申请日：2007-05-11
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/453 , C23C14/34 , H01B5/14
CPC classification number: C23C14/3407 , C04B35/453 , C04B35/62695 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/661 , C04B2235/767 , C04B2235/77 , C04B2235/81 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y10T428/12618 , Y10T428/268 , Y10T428/30 , Y10T428/31507 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供以氧化锌为主要成分，进一步含有镁的氧化物烧结体、用其加工而成的靶、用其通过直流溅射法或离子电镀法制得的耐化学试剂性优良的小电阻透明导电膜、以及透明导电性基材。通过以下方案达成：含有氧化锌和镁，并且，镁的含量以Mg/(Zn+Mg)的原子数比计为0.02～0.30的氧化物烧结体；进一步含有镓和/或铝，其含量以(Ga+Al)/(Zn+Ga+Al)的原子数比计大于0并为0.08以下，并且，镁的含量以Mg/(Zn+Ga+Al+Mg)的原子数比计为0.02～0.30的氧化物烧结体；用这些氧化物烧结体加工制得的靶；用该靶通过溅射法或离子电镀法在基板上形成的透明导电膜等。
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公开(公告)号：CN106164014A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580015529.3
申请日：2015-04-15
Applicant: 住友金属矿山株式会社
IPC: C04B35/00 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C04B35/45 , C04B35/00 , C04B35/01 , C04B35/62218 , C04B35/6261 , C04B2235/3281 , C04B2235/3282 , C04B2235/3286 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/086 , C23C14/087 , C23C14/34 , C23C14/3414 , C23C14/5806 , H01J37/3429 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/04 , H01L29/6675 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种在通过溅射法制成氧化物半导体薄膜时能够获得低载流子浓度、高载流子迁移率的氧化物烧结体以及使用该氧化物烧结体的溅射用靶。该氧化物烧结体以氧化物的形式含有铟、镓和铜。以Ga/(In+Ga)原子数比计的镓的含量优选为0.08以上且小于0.20，以Cu/(In+Ga+Cu)原子数比计的铜的含量优选为0.001以上且小于0.03，并且优选在1200℃以上且1550℃以下的温度进行烧成。将该氧化物烧结体作为溅射用靶而形成的结晶质的氧化物半导体薄膜，能够获得载流子浓度为1.0×1018cm‑3以下、载流子迁移率为10cm2V‑1sec‑1以上。
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