公开(公告)号：CN118553775A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410204435.1

申请日：2024-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 向井章 ,  冈田政也 ,  真壁勇夫 ,  早坂明泰

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/29

Abstract: 本公开涉及半导体装置。本公开提供一种能提高电特性的半导体装置。半导体装置具有：阻挡层，所述阻挡层的上表面具有氮极性；所述阻挡层之上的沟道层，所述沟道层的上表面具有氮极性；所述沟道层之上的氮化硅膜；所述氮化硅膜之上的电介质膜；以及所述电介质膜之上的栅电极，所述电介质膜的相对介电常数比所述氮化硅膜的相对介电常数高。

公开(公告)号：CN103460359A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201180069623.9

申请日：2011-04-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  冈田政也 ,  木山诚

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 提供一种可降低栅泄漏电流的制造氮化物电子设备的方法。在时刻t0将基板产物配置到生长炉后，将基板温度上升到摄氏950度。在基板温度充分稳定的时刻t3，将三甲基镓及氨提供到生长炉，生长i-GaN膜。在时刻t5，基板温度达到摄氏1080度。在基板温度充分稳定的时刻t6，将三甲基镓、三甲基铝及氨提供到生长炉，生长i-AlGaN膜。在时刻t7，停止三甲基镓及三甲基铝的供给并停止成膜后，迅速停止对生长炉提供氨及氢，并且开始氮的供给，在生长炉的炉膛中，将氨及氢的气氛变更为氮的气氛。形成了氮的气氛后，在时刻t8开始基板温度的降低。

公开(公告)号：CN103210495A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180052281.X

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  冈田政也 ,  上野昌纪 ,  木山诚

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3006 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7789

Abstract: 提供一种半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法，其中在晶体管操作时，在获得极好纵向击穿电压的情况下，能够抑制漏极泄漏电流。该半导体器件特征在于被提供有：开口（28），其从n+接触层（8）经由p型势垒层（6）到达n型漂移层（4）；再生长层（27），其被定位为覆盖p型势垒层（6）等，该再生长层（27）包括未掺杂的GaN沟道层（22）和载流子供应层（26）；绝缘膜（9），其被定位为覆盖再生长层（27）；和栅电极（G），其位于绝缘膜（9）上。该半导体器件特征还在于，在p型势垒层中Mg浓度A（cm-3）和氢浓度B（cm-3）满足式（1）：0.1＜B/A＜0.9。

公开(公告)号：CN103189992A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180052289.6

申请日：2011-10-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 八重樫诚司 ,  木山诚 ,  井上和孝 ,  横山满德 ,  斋藤雄 ,  冈田政也

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/22 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件等，该半导体器件配备有在开口部分中的沟道和栅电极并且在发生截止操作时可以减小在开口的底部部分附近的电场集中。该半导体器件包括n-型GaN漂移层（4）/p型GaN势垒层（6）/n+型GaN接触层，并且特征在于配备有：开口部分（28），其从表面层延伸进入n型GaN基漂移层；再生长层（27），其被定位在所述开口中，并且包括电子供应层（22）和电子漂移层（22）；源电极（S）；漏电极（D）；栅电极（G），其被定位在再生长层上；以及半导体杂质调节区（31），其被设置在开口部分的底部部分中。该杂质调节区（31）是用于促进当发生截止操作时关于电势分布从漏电极侧到栅电极侧的电势降低的区。

公开(公告)号：CN103620750A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201180071482.4

申请日：2011-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  冈田政也 ,  上野昌紀 ,  木山诚

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/8128

Abstract: 本发明提供一种可稳定地获得低导通电阻同时实现高纵向击穿电压的半导体装置，和一种用于生产所述半导体装置的方法。所述半导体装置是以基于GaN的堆叠层形式形成的，包括n型漂移层(4)、p型层(6)和n型顶层(8)。所述半导体装置包括再生长层(27)，其被形成以便覆盖所述基于GaN的堆叠层的暴露于开口(28)的一部分，所述再生长层(27)包括通道。所述通道是在电子漂移层与电子供应层之间的界面处形成的二维电子气。当假定所述电子漂移层(22)具有厚度d时，所述p型层(6)具有在d到10d范围内的厚度，并且形成浓度从所述p型层中的p型杂质浓度降低的分级p型杂质层(7)，以便从所述p型层与所述n型顶层之间的界面延伸到所述n型顶层内部。

公开(公告)号：CN103329276A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065914.0

申请日：2011-08-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  冈田政也 ,  上野昌纪 ,  木山诚

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 异质结场效应晶体管(1)的制造方法具备如下工序：在支撑基板(10)上外延生长漂移层(20a)的工序；使用氢气作为载气，在1000℃以上的温度下，在漂移层(20a)上外延生长作为p型半导体层的电流阻挡层(20b)的工序；以及使用从由氮气、氩气、氦气及氖气构成的群中选择的至少一种气体作为载气，在电流阻挡层(20b)上外延生长接触层(20c)的工序。由此，抑制了电流阻挡层(20b)的受主浓度不足，因此能够降低漏极泄漏电流，能够抑制夹断特性的下降。

公开(公告)号：CN103189993A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180052308.5

申请日：2011-10-05

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 冈田政也 ,  木山诚 ,  斋藤雄 ,  八重樫诚司 ,  横山满德 ,  井上和孝

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明的目的是提高具有开口并且在开口中设置有由二维电子气形成的沟道的垂直型半导体器件的耐压特性。该垂直型半导体器件设置有具有开口（28）的GaN基堆叠层（15），并且GaN基堆叠层（15）设置有n型GaN基漂移层（4）/p型GaN基势垒层（6）/n型GaN基接触层（7），并且该垂直型半导体器件设置有：以覆盖开口方式的再生长层（27），其包含电子漂移层（22）和电子供应层（26）；源电极（S）；和位于再生长层上的栅电极（G）。栅电极（G）覆盖具有与p型GaN基势垒层的厚度范围对应的长度的部分，并且终止在壁表面上离开再生长层的底部的位置处。

公开(公告)号：CN103155156A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180049540.3

申请日：2011-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 木山诚 ,  斋藤雄 ,  冈田政也 ,  上野昌纪 ,  八重樫诚司 ,  井上和孝 ,  横山满德

IPC: H01L29/80 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789

Abstract: 本发明提供一种垂直半导体器件，在该垂直半导体器件中，通过固定p型GaN势垒层的电势，肯定可以稳定地提高夹断特性和击穿电压特性。半导体器件包括：具有开口28的GaN基叠层15；再生长层27，其包括定位为覆盖开口的壁表面的沟道；与源电极S欧姆接触的n+型源层8；p型GaN势垒层6；和位于p型GaN势垒层6与n+型源层8之间的p+型GaN基补充层7。p+型GaN基补充层7和n+型源层8形成隧道结以将p型GaN势垒6的电势固定在源电势。