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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN118553775A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410204435.1

申请日：2024-02-23

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 向井章 , 冈田政也 , 真壁勇夫 , 早坂明泰

IPC: H01L29/778 , H01L23/29

Abstract: 本公开涉及半导体装置。本公开提供一种能提高电特性的半导体装置。半导体装置具有：阻挡层，所述阻挡层的上表面具有氮极性；所述阻挡层之上的沟道层，所述沟道层的上表面具有氮极性；所述沟道层之上的氮化硅膜；所述氮化硅膜之上的电介质膜；以及所述电介质膜之上的栅电极，所述电介质膜的相对介电常数比所述氮化硅膜的相对介电常数高。

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