公开(公告)号：CN103620750A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201180071482.4

申请日：2011-06-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 斋藤雄 ,  冈田政也 ,  上野昌紀 ,  木山诚

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/8128

Abstract: 本发明提供一种可稳定地获得低导通电阻同时实现高纵向击穿电压的半导体装置，和一种用于生产所述半导体装置的方法。所述半导体装置是以基于GaN的堆叠层形式形成的，包括n型漂移层(4)、p型层(6)和n型顶层(8)。所述半导体装置包括再生长层(27)，其被形成以便覆盖所述基于GaN的堆叠层的暴露于开口(28)的一部分，所述再生长层(27)包括通道。所述通道是在电子漂移层与电子供应层之间的界面处形成的二维电子气。当假定所述电子漂移层(22)具有厚度d时，所述p型层(6)具有在d到10d范围内的厚度，并且形成浓度从所述p型层中的p型杂质浓度降低的分级p型杂质层(7)，以便从所述p型层与所述n型顶层之间的界面延伸到所述n型顶层内部。