公开(公告)号：CN1812147A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200510133870.7

申请日：2005-12-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  北林弘之 ,  齐藤裕久 ,  池田亚矢子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005

Abstract: 发光装置是包括：作为氮化物半导体基板的GaN基板(1)；在氮化物半导体基板的第(1)主表面一侧的n型AlxGa1－xN层(3)；从氮化物半导体基板看，远离n型AlxGa1－xN层(3)的p型AlxGa1－xN层(5)；位于n型AlxGa1－xN层(3)以及p型AlxGa1－xN层(5)之间的量子井(4)的发光装置。在此发光装置中，氮化物半导体基板的比电阻为0.5Ω·cm以下，向下安装p型AlxGa1－xN层(5)的一侧，从作为和氮化物半导体基板的第(1)主表面相反的一侧的主表面的第(2)主表面(1a)发射光。在氮化物半导体基板的第(2)主表面(1a)上形成槽(80)。由于构造简单，所以能够得到制造容易、在长时间能够安定地得到大的发光效率的发光装置。

公开(公告)号：CN103907176B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201280053287.3

申请日：2012-05-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 北林弘之 ,  玉祖秀人 ,  堀井拓

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/046 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制备MOSFET(1)的方法，包括：制备碳化硅衬底(10)的步骤；形成与衬底(10)进行欧姆接触的漏电极(51)的步骤；以及形成与漏电极(51)的顶部接触的背表面焊盘电极(80)的步骤。在漏电极(51)形成步骤中，形成包括含有Ti和Si的合金的漏电极(51)。而且，所形成的背表面焊盘电极(80)被维持在300℃或更低的温度，直至MOSFET(1)制备完成。该配置使得能够条制备工艺的效率，同时实现电极间良好的粘附性。

公开(公告)号：CN101981712A

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200980111411.5

申请日：2009-11-11

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 北林弘之 ,  松原秀树

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件(100)，其包括：半导体层(2)，其包括有源层；支撑基底(11)，其用于支撑半导体层(2)；以及附着层(15)，其用于将半导体层(2)的主表面结合到支撑基底(11)的主表面上。在附着层和与附着层(15)相对的半导体层(2)的主表面以及与附着层(15)相对的支撑基底(11)的主表面中的至少一者之间的结合界面区域中，形成二维衍射光栅，该二维衍射光栅包含具有不同折射率并且被周期性布置的至少两种类型的材料。

公开(公告)号：CN100438091C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200410094689.5

申请日：2004-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤裕久 ,  广濑义幸 ,  永井阳一 ,  北林弘之 ,  池田亚矢子

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/505 ,  G02B6/0046 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 一种发光二极管(1)具有半导体叠片(6)、光学反射层(17)和(19)、光学反射薄膜(25)以及磷光片(27)。叠片(6)由按顺序层叠在衬底(7)上的n型包层(9)、有源层(11)、p型包层(13)以及p型接触层(15)形成。光学反射层(17)和(19)分别位于p型接触层(15)上和衬底(7)的背面(7b)上。光学反射薄膜(25)位于叠片(6)的三个侧面上。将磷光片(27)安装在叠片(6)不具有光学反射薄膜(25)的侧面上。在每个光学反射层反射从有源层(11)输出的蓝光(L1)，然后聚集在设置有磷光片(27)的侧面上。一部分蓝光(L1)在磷光片(27)中变成黄光(L2)，并发出由蓝光(L1)和黄光(L2)组成的白光。

公开(公告)号：CN1866557A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610009237.1

申请日：2006-02-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  片山浩二 ,  北林弘之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00014

Abstract: 根据本发明的发光器件，包括：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1－xN层(3)；与n型AlxGa1－xN层(3)相比更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1－xN层(5)；以及位于n型AlxGa1－xN层(3)和p型AlxGa1－xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1－xN层(5)侧被向下安装，以及光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与第一主表面相对的GaN衬底(1)的主表面。在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成半球形凸部(82)。

公开(公告)号：CN107004588A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580062684.0

申请日：2015-10-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 酒井光彦 ,  北林弘之

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 按照一种制造MOSFET(2)的方法的以下步骤：进行沿着与{11‑20}面实质上平行的面切割碳化硅晶片(1)的第一切割步骤。在所述第一切割步骤之后，进行沿着与{11‑20}面实质上垂直并且与所述第一主表面实质上垂直的面切割所述碳化硅晶片(1)的第二切割步骤。

公开(公告)号：CN1855564B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200610077311.3

申请日：2006-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  片山浩二 ,  北林弘之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光装置，包括：GaN衬底1；布置在GaN衬底1的第一主表面侧面上的n-型氮化物半导体衬底层(n-型AlxGa1-xN层3)；与n-型氮化物半导体衬底层相比更远离GaN衬底1布置的p-型氮化物衬底层(p-型AlxGa1-xN层5)；以及位于n-型氮化物半导体层和p-型氮化物半导体层之间的发光层(多量子阱(MQW)4)。p-型氮化物半导体层侧面被向下安装。此外，光从第二主表面1a发出，该第二主表面1a是与GaN衬底1的第一主表面相对的主表面。在GaN衬底的第二主表面上形成沟槽80。沟槽80的内周边表面包括其上执行表面处理以使该内周边表面光滑的部分(曲面部分)。

公开(公告)号：CN102016136A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115891.2

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  宫原贤一 ,  北林弘之 ,  片山浩二 ,  森下知典 ,  森分达也

IPC: C30B29/42 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/30

Abstract: 本发明提供了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法、以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的特性的半导体器件。具体地，本发明涉及AlxGa(1-x)As衬底(10a)，其特征在于，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)具有AlxGa(1-x)As层(11)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中在所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可以包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。

公开(公告)号：CN101960056A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107544.5

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  宫原贤一 ,  北林弘之 ,  片山浩二 ,  森下知典 ,  森分达也

IPC: C30B29/42 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。

公开(公告)号：CN101814699A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910178733.3

申请日：2009-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 片山浩二 ,  北林弘之 ,  荒川聪

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法。具体而言，提供一种以降低的制造成本来制造良好特性的半导体元件的方法。半导体元件的制造方法包括：含GaN的半导体层的形成步骤；电极层形成步骤；在含GaN的半导体层上形成Al膜的步骤；形成由如下材料构成的掩模层的步骤，该材料的蚀刻速率小于Al膜的材料的蚀刻速度；将掩模层用作掩模来形成隆起部的步骤；使Al膜的侧壁的位置相对于掩模层的侧壁的位置凹进的步骤；在隆起部的侧表面和掩模层的顶表面上形成由如下材料构成的保护膜的步骤，该材料的蚀刻速率小于形成Al膜的材料的蚀刻速率；以及去除Al膜并且从而去除掩模层和在掩模层的顶表面上形成的保护膜的部分的步骤。