公开(公告)号：CN102341889A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201080010719.3

申请日：2010-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02452 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02642 ,  H01L29/107 ,  H01L29/73 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/772

Abstract: 本发明提供可容易地进行具有结晶薄膜的半导体基板的设计以及所述结晶薄膜的膜质及膜厚度控制的半导体基板。具体，该基板具有，基底基板和一体或分离地被设置在所述基底基板上，用于阻挡化合物半导体的结晶生长的阻挡层；阻挡层，具有多个第1开口区域，该第1开口区域具有贯通阻挡层到基底基板的多个开口；多个第1开口区域分别包含在内部以相同配置设置的多个第1开口；多个第1开口的一部分，是设置用以形成电子元件的第1化合物半导体的第1元件形成开口；多个第1开口的另外一部分，是作为不形成电子元件的第1虚设开口。

公开(公告)号：CN101283456B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200680035398.6

申请日：2006-09-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  上田和正 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开一种III-V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III-V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。

公开(公告)号：CN101449398A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200780018302.X

申请日：2007-03-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  小野善伸 ,  上田和正

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供一种发光元件，其直接测定从发光元件的芯片放出的光时的配光分布I(θ、ф)不依存于ф方向，而是具有大体由I(θ、ф)＝I(θ)表示的配光分布，I(θ、ф)表示(θ、ф)方向的光强度分布，θ表示来自发光元件的光引出面的法线方向的角度(0≤θ≤90°)，ф表示法线的周围的旋转角(0≤ф≤360°)，I(θ)在θ＝90°下表示接近于零的单递减函数。在构成发光元件的芯片的结构体之中，涉及对于从发光层发出的光为透明的结构体部分的大小，横向的大小和厚度方向的大小的比为5以上，并且在发光元件芯片的表面或该透明的结构体部分的内部，具有有着光散射功能的结构。

公开(公告)号：CN101283456A

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200680035398.6

申请日：2006-09-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  上田和正 ,  土田良彦

IPC: H01L33/00 ,  C23C16/34 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开一种III－V族氮化物半导体的制造方法和发光器件的制造方法。III－V族氮化物半导体的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)和(iii)。发光器件的制造方法按顺序包括工序(i)、(ii)、(iii)和(iv)。各工序为：(i)在基板上配置无机粒子的工序，(ii)使半导体层生长的工序，(iii)向基板与半导体层之间照射光，将基板与半导体层分离的工序，以及(iv)形成电极的工序。

公开(公告)号：CN101010812A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580028886.X

申请日：2005-08-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小野善伸 ,  山中贞则

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007

Abstract: 一种化合物半导体发光器件，其特征在于包含：导电衬底；包括GaN层的化合物半导体功能层；电极；粘合性增强层；和粘合层，它们以这个顺序堆叠，其中上述导电衬底包括金属材料，所述的金属材料具有与GaN相差1.5×10－6/℃或更小的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN103367115A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310193940.2

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦 ,  山本武继 ,  和田一实

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8258

CPC classification number: H01L21/8258 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明使用廉价且散热性优异的Si基板，得到质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具有：Si基板以及形成于基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域和位于覆盖区域内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：在开口区域结晶生长的Ge层和在Ge层上结晶生长的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能够移动的温度及时间实施退火而形成。

公开(公告)号：CN102754189A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180009092.4

申请日：2011-02-23

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02543 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，包括：衬底基板、形成于衬底基板上的第一晶体层、覆盖第一晶体层的第二个晶体层、与第二晶体层相接合形成的第三晶体层；第一晶体层具有：面方向与衬底基板中与第一晶体层相接触面相同的第一晶体面，以及具有与第一晶体面不同的面方向的第二晶体面；第二晶体层具有：面方向与第一晶体面相同的第三晶体面，以及面方向与第二晶体面相同的第四晶体面；第三晶体层分别与第三晶体面及第四晶体面的至少一部分相接合；第二晶体层与第二晶体面相接触区域的厚度相对于第二晶体层与第一晶体面相接触区域的厚度的比值大于第三晶体层与第四晶体面相接触区域的厚度相对于第三晶体层与第三晶体面相接触区域的厚度的比值。

公开(公告)号：CN102668029A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055735.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  高田朋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。

公开(公告)号：CN101896999B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200880119995.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种具有：Si基板；在基板上结晶生长，并形成为孤立的岛状的Ge层；在Ge层上结晶生长，且由含P的3-5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及在缓冲层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN102171792A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138964.X

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02642 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及一种具有用于形成半导体器件的器件用薄膜、包围器件用薄膜且阻挡器件用薄膜的前体结晶生长的阻挡部、通过前体牺牲生长为结晶而形成的牺牲生长部的半导体器件用基板，其具备在器件用薄膜的周边被阻挡部隔开而设置的牺牲生长部和覆盖牺牲生长部的上部且露出器件用薄膜的上部的保护膜。保护膜可以是聚酰亚胺。