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公开(公告)号：CN110959201A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201880052232.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/50 , F21S2/00 , G02B5/20 , F21Y103/10 , F21Y115/10
Abstract: 本发明的一实施方式的发光装置具备：波长变换构件，分散有第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体、第四荧光体以及第五荧光体分散；以及发光元件。第一荧光体在400nm～500nm、第二荧光体在450nm～550nm、第三荧光体在500nm～600nm、第四荧光体在600nm～700nm、第五荧光体在680nm～800nm的波长区域分别具有峰值。发光元件放射380nm～430nm的紫外区域的光。发光装置的发光光谱在380～430nm、430nm～480nm、480nm～550nm、550nm～650nm、650nm～750nm的波长区域具有峰值波长，380nm～950nm的波长区域的各个峰值波长的相对光强度差小于20％。
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公开(公告)号：CN105144370B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201480023631.3
申请日：2014-09-25
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/047 , H01G2/10 , H01G4/224 , H01L23/057 , H01L23/492 , H01L33/48 , H01L33/483 , H01L2924/0002 , H01S5/02208 , H01S5/02216 , H01S5/02248 , H01S5/02284 , H01L2924/00
Abstract: 电子部件收纳用封装件(10)具有借助焊料而与框体(2)的孔部(20)接合的输入输出构件(3)。该输入输出构件(3)具有第一侧壁部(21)的内侧的、与第一侧壁部(21)以及第二侧壁部(22)接合的上表面(3a)，上表面在与第一侧壁部接合的部分具备宽度窄的缩颈部(30a)。在接合输入输出构件(3)时，能够通过缩颈部(30a)控制上表面(3a)上的焊料的流动。
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公开(公告)号：CN104412144B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480001720.8
申请日：2014-01-28
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: G02B6/4248 , G02B6/4251 , G02B6/4256 , G02B6/4257 , G02B6/426 , G02B6/4265 , H01S5/02216 , H01S5/02284
Abstract: 光半导体元件收纳用封装件具备：基体(1)，其在上侧主面具有光半导体元件的载置部(1a)；框体(2)，其以围绕载置部(1a)的方式与基体(1)接合；光纤固定构件(3)，其安装于贯穿框体(2)内外的贯穿孔(2c)中。框体(2)是将一个带状板部件在多个位置处弯折并将一端(2a)侧与另一端(2b)侧接合而成的构件，贯穿孔(2c)以位于一端(2a)侧与另一端(2b)侧的接缝处的方式而形成。通过经由安装于贯穿孔(2c)的光纤固定构件(3)进行接合，能够得到组装容易且具备恒定的接合力的光半导体元件收纳用封装件。
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公开(公告)号：CN102918666B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180026727.1
申请日：2011-07-19
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 作本大辅
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的发光装置具备：基板；设于基板上的发光元件；设于基板上，并将发光元件以与发光元件空出间隔的方式被覆，且在下端的外周部具有段差，并且下端经由透光性构件而与基板接合的波长转换构件。再有，发光装置还具备：被设置在基板上、且被配置在发光元件和透光性构件之间的遮光构件。而且，波长转换构件其设置为，波长转换构件的下端从透光性构件上一直到透光性构件的侧部。
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公开(公告)号：CN101410993B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780010675.2
申请日：2007-03-28
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H05B33/02 , F21V13/04 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/83385 , H01L2224/83951
Abstract: 本发明提供一种发光装置，其中，发光装置的发光亮度得到提高。该发光装置包括：具有由光反射面(1r)及底面(1u)构成的开口部(1p)的基体(1)、安装于开口部(1p)的底面(1u)上的发光元件(2)、覆盖发光元件(2)的透光性部件(3)、和设于透光性部件(3)上的光学部件(4)构成。透光性部件(3)自开口部(1p)的光反射面(1r)离开，且被设于开口部(1p)的底面(1u)上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101501871A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200780004134.9
申请日：2007-01-31
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置和发光组件，即使在使用出射光的波长短的发光元件的情况下，也能够抑制由发光元件射出的光而导致的劣化，经长期使用也难以产生发光亮度等的劣化。发光装置的特征在于，包括：容器(20)，其由透光性的无机材料构成，并具有凹状开口部；发光元件(1)，其经由玻璃接合材料(4)收容在容器(20)的凹状开口部内，并在基板(10)上形成有第一导电型层(11)、发光层(12)以及第二导电型层(13)；以及盖(21)，其由透光性的无机材料构成，并闭塞容器的凹状开口部。所述容器(20)和盖(21)由石英玻璃、含有硼酸和硅酸的光学玻璃、水晶、蓝宝石或萤石等形成。
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公开(公告)号：CN101410994A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010800.X
申请日：2007-03-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/52 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/01004 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/15174 , H01L2924/181 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: [课题]本发明目的在于提供一种可将由发光元件放射的光高效输出到发光装置外部的高亮度的发光装置。[解决方案]包括：基体(2)；搭载在基体(2)上的发光元件(3)，其具有形成有透光性电极(34)并且与基体(2)对置的第一面(3A)和第二面(3B)；第一层(4)，其由具有比透光性电极(34)的折射率小的第一折射率的第一透光性材料构成，覆盖发光元件(3)的透光性电极(34)并设置在基体(2)上；和第二层(5)，其由具有比第一折射率大的第二折射率的第二透光性材料构成，并覆盖发光元件(3)和第一层。
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公开(公告)号：CN100392877C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200410090071.1
申请日：2004-11-01
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/00 , H01L33/483 , H01L33/504 , H01L2224/13 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的发光装置(41)具备陶瓷构成的基体(42)、框体(43)、发光元件(44)、配线导体和透光性部件(45)。基体(42)在上面形成发光元件(44)的安放部(42a)。框体(43)以围绕安放部(42a)的方式接合在该基体(42)的上面外周部上，同时将内周面作为反射面。配线导体，一端形成于基体(42)的上面上并与发光元件(44)的电极电连接，同时另一端导出至基体(42)的侧面或下面。透光性部件(45)设置为在框体(43)的内侧覆盖发光元件(44)，且含有将发光元件(44)发光的光进行波长变换的荧光体。基体(42)的所述陶瓷所含的晶粒的平均粒径为1～5μm。
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公开(公告)号：CN110337718B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201880013156.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L23/12 , H01L23/02 , H01L23/04 , H01S5/02315
Abstract: 本发明提供了绝缘基体，该绝缘基体具备：绝缘基板、金属层、接合材料以及引线端子。绝缘基板为板状，具有从上表面至侧面的槽部。金属层具有：第一金属层，位于绝缘基板的上表面；以及第二金属层，与第一金属层连续，位于槽部的内表面。接合材料位于金属层的上表面。引线端子与槽部重叠，并且隔着接合材料位于第一金属层的上表面。接合材料具有：第一接合材料，将引线端子固定于第一金属层；以及第二接合材料，与第一接合材料连续，位于第二金属层的上表面，槽部具有内壁突出的突出部，并且第二接合材料位于突出部与引线端子之间。
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公开(公告)号：CN110959201B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201880052232.8
申请日：2018-06-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01L33/50 , F21S2/00 , G02B5/20 , F21Y103/10 , F21Y115/10
Abstract: 本发明的一实施方式的发光装置具备：波长变换构件，分散有第一荧光体、第二荧光体、第三荧光体、第四荧光体以及第五荧光体分散；以及发光元件。第一荧光体在400nm～500nm、第二荧光体在450nm～550nm、第三荧光体在500nm～600nm、第四荧光体在600nm～700nm、第五荧光体在680nm～800nm的波长区域分别具有峰值。发光元件放射380nm～430nm的紫外区域的光。发光装置的发光光谱在380～430nm、430nm～480nm、480nm～550nm、550nm～650nm、650nm～750nm的波长区域具有峰值波长，380nm～950nm的波长区域的各个峰值波长的相对光强度差小于20％。
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