公开(公告)号：CN105283968A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480012061.8

申请日：2014-07-16

Applicant: 丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社 ,  国立研究开发法人理化学研究所 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所 ,  株式会社爱发科 ,  东京应化工业株式会社

Inventor： 鹿岛行雄 ,  松浦惠里子 ,  小久保光典 ,  田代贵晴 ,  大川贵史 ,  平山秀树 ,  尹成圆 ,  高木秀树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和 ,  岛谷聪

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/22 ,  G06F17/10 ,  G06F17/5009 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，是在构成以设计波长为λ的半导体发光元件的各层间的一个以上的界面上，具有由不同折射率的两个结构体构成的光子晶体周期结构的半导体发光元件，其特征在于，所述设计波长λ及作为所述一个以上的各周期结构的参数的周期a和半径R满足布拉格条件，所述周期a和半径R的比(R/a)为，以使TE光的预定的光子带隙(PBG)在每个该周期结构为最大的形式而决定的值，各周期结构参数为，通过采用FDTD法的模拟的解析结果，以使对于所述波长λ的半导体发光元件整体的光提取效率为最大的形式而决定的参数，该FDTD法是以根据所述布拉格条件的次数m决定的周期a和半径R、及0.5a以上的该周期结构的深度h作为变数而进行的。

公开(公告)号：CN103597619A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201380001542.4

申请日：2013-02-18

Applicant: 株式会社爱发科 ,  丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社

Inventor： 上村隆一郎 ,  长田大和 ,  鹿岛行雄 ,  西原浩巳 ,  田代贵晴 ,  大川贵史

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L33/22 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/32139 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0083

Abstract: 一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。

公开(公告)号：CN103597619B

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201380001542.4

申请日：2013-02-18

Applicant: 株式会社爱发科 ,  丸文株式会社 ,  东芝机械株式会社

Inventor： 上村隆一郎 ,  长田大和 ,  鹿岛行雄 ,  西原浩巳 ,  田代贵晴 ,  大川贵史

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L33/22 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/32139 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0083

Abstract: 一种制造具有凹凸结构的装置的方法，该方法包括以下步骤：在其中形成细微凹凸结构(AS)的n型半导体层(13)上形成有机抗蚀剂膜(20)；在有机抗蚀剂膜上形成含硅抗蚀剂膜；利用纳米压印技术使含硅抗蚀剂膜图案化；用含氧等离子体氧化含硅抗蚀剂膜以形成氧化硅膜(30c)；使用氧化硅膜(30c)作为蚀刻掩膜，对有机抗蚀剂膜(20)实施干法蚀刻；使用氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)作为蚀刻掩膜，对n型半导体层(13)实施干法蚀刻；以及去除氧化硅膜(30c)和有机抗蚀剂膜(20a)。

公开(公告)号：CN111052320B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201880058001.8

申请日：2018-12-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 上村隆一郎 ,  长田大和

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种可在被处理基板的面内整体上得到大致均匀的蚀刻率的低成本且结构简单的反应性离子蚀刻装置。本发明的反应性离子蚀刻装置EM，在台架(4)上设置具有一对电极(42b，42c)的静电卡盘(42)，通过在被处理基板(W)的蚀刻时向该一对电极施加直流电压，使被处理基板静电吸附在静电卡盘上，通过第一输出线(L1)与台架连接并对被处理基板施加偏置电位的高频电源(E2)，其通过第二输出线(L2)与一对电极连接并与直流电压重叠地施加高频电位，在第一输出线和第二输出线上分别夹设第一电容器(C1)和第二电容器(C2)，第一电容器与第二电容器的静电容量比设置在0.25～25的范围内。

公开(公告)号：CN111052320A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880058001.8

申请日：2018-12-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 上村隆一郎 ,  长田大和

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种可在被处理基板的面内整体上得到大致均匀的蚀刻率的低成本且结构简单的反应性离子蚀刻装置。本发明的反应性离子蚀刻装置EM，在台架(4)上设置具有一对电极(42b，42c)的静电卡盘(42)，通过在被处理基板(W)的蚀刻时向该一对电极施加直流电压，使被处理基板静电吸附在静电卡盘上，通过第一输出线(L1)与台架连接并对被处理基板施加偏置电位的高频电源(E2)，其通过第二输出线(L2)与一对电极连接并与直流电压重叠地施加高频电位，在第一输出线和第二输出线上分别夹设第一电容器(C1)和第二电容器(C2)，第一电容器与第二电容器的静电容量比设置在0.25～25的范围内。

公开(公告)号：CN105917457A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201580005167.X

申请日：2015-01-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村敏幸 ,  森口尚树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和 ,  相原强

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32733 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67313 ,  H01L21/67333 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：晶片搬送用托盘，具有第一面以及与所述第一面相反的第二面，并以所述第一面保持晶片；冷却部，冷却所述晶片搬送用托盘；导电性支撑体，支撑所述晶片搬送用托盘的所述第二面；以及双面静电吸附部，以所述晶片搬送用托盘的所述第一面静电吸附所述晶片，以所述晶片搬送用托盘的所述第二面静电吸附所述支撑体。

公开(公告)号：CN110875216A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910733035.9

申请日：2019-08-09

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 长田大和 ,  上村隆一郎

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法及基板处理装置。本发明的基板处理方法具有：干式蚀刻工序，对基板进行干式蚀刻处理；湿式冲洗工序，将所述基板浸渍到冲洗液中；和露点设定工序，在所述基板从所述干式蚀刻工序向所述湿式冲洗工序移动的空间中，将露点设为基准值以下。

公开(公告)号：CN105917457B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201580005167.X

申请日：2015-01-21

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 中村敏幸 ,  森口尚树 ,  上村隆一郎 ,  长田大和 ,  相原强

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：晶片搬送用托盘，具有第一面以及与所述第一面相反的第二面，并以所述第一面保持晶片；冷却部，冷却所述晶片搬送用托盘；导电性支撑体，支撑所述晶片搬送用托盘的所述第二面；以及双面静电吸附部，以所述晶片搬送用托盘的所述第一面静电吸附所述晶片，以所述晶片搬送用托盘的所述第二面静电吸附所述支撑体。