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公开(公告)号：CN105185831A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510564708.4
申请日：2015-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/66068
Abstract: 本发明公开了一种沟道自对准的碳化硅MOSFET结构及其制造方法，所述碳化硅MOSFET结构P+接触在N+源台面之间的凹槽内，与P型基区多面接触；所述N-外延片上，利用多晶硅掩膜离子注入形成P型基区；所述多晶硅上沉积SiO2并刻蚀形成侧墙，利用自对准工艺在所述P型基区中注入形成N+源区；所述N+源区局部刻蚀至所述P型基区，在刻蚀区域离子注入形成P+接触；所述器件利用合金自对准工艺形成源漏欧姆接触；所述N+衬底的一端作为漏极，所述栅介质层的一端作为栅极，所述P+区和N+区的一端作为源极。本发明避免了使用剥离工艺以及金属作为离子注入阻挡层，同时与传统工艺相比可以减少一次光刻，提高P+接触区边界的精确度。
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公开(公告)号：CN105070663A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510564659.4
申请日：2015-09-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/16
CPC classification number: H01L29/6656 , H01L29/1608 , H01L29/66575 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法，包括：清洗碳化硅外延片；在所述碳化硅外延片上沉积第一层介质层；在所述第一层介质层上沉积第二层介质层；在所述第二层介质层上涂覆光刻胶，并光刻显影出初步的P型基区窗口；光刻胶掩膜刻蚀SiO2介质；以剩余光刻胶和SiO2组合掩膜刻蚀多晶硅，刻蚀完成后去除剩余光刻胶；以多晶硅为离子注入阻挡层，铝离子注入形成P型基区；在所述的多晶硅上沉积并刻蚀SiO2，形成侧墙掩膜；以多晶硅和侧墙为离子注入阻挡层，氮离子注入形成N+源区；去除SiO2及多晶硅，并形成P+离子注入阻挡层；铝离子注入形成P+接触区。本发明通过沉积多晶硅并形成侧墙作为P+接触区域阻挡层，避免该区域注入氮离子，不需要剥离工艺。
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公开(公告)号：CN103000697A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210483401.8
申请日：2012-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/40 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种SiC肖特基二极管及其制作方法，该SiC肖特基二极管包括：N+-SiC衬底；形成于该N+-SiC衬底之上的N--SiC外延层；形成于该N--SiC外延层之上的肖特基接触；形成于该肖特基接触边缘处的P--SiC区域环，该P--SiC区域环作为该SiC肖特基二极管的结终端延伸(JTE)区域；形成于该P--SiC区域环上的n个肖特基金属环，n≥2；形成于该肖特基金属环之间的钝化层SiO2；形成于该钝化层SiO2上的场板；以及形成于该N+-SiC衬底背面的N型欧姆接触。本发明在使单区JTE的有效浓度低于优值浓度时，降低了器件的击穿电压对JTE浓度的敏感程度，同时避免了界面电荷对器件击穿电压的影响，有利于提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN105244267B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201510746482.X
申请日：2015-11-05
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/283 , H01L29/861 , H01L29/40 , H01L29/16
Abstract: 本发明属于PiN器件领域，尤其涉及一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法，该方法包括以下步骤：a)准备碳化硅PiN基体；b)在碳化硅PiN基体的P型SiC外延层表面沉积非晶硅层；c)分别在沉积有非晶硅层的碳化硅PiN基体的SiC衬底表面和非晶硅层表面沉积金属层；d)对沉积有金属层的碳化硅PiN基体进行退火处理，得到形成欧姆接触的碳化硅PiN器件；所述退火处理依次包括第一升温阶段、第一保温阶段、第二升温阶段和第二保温阶段；第一保温阶段和第二保温阶段的温度分别为450～550℃和970～1020℃。本发明提供的方法通过一次退火工艺即可在沉积有金属层的碳化硅PiN基体上形成P型欧姆接触和N型欧姆接触。
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公开(公告)号：CN104009099B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410200502.9
申请日：2014-05-13
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制造方法，包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有断点环形结构的P型掺杂区。本发明采用断点环形P型掺杂区，在充分利用耗尽层(反向阻断模式下)在三维方向的延伸能力的前提下，能够增加器件的电流有效导通面积。在有源区面积相等的情况下，本发明所提出的新型结构及分布能够改善器件的性能。在同等电流级别下，新型结构器件的芯片面积可以更小，这样可有效减小芯片面积，降低芯片成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104810255A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510091202.6
申请日：2015-02-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/0445
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法通过湿法氧化、超声及后处理等步骤的协同配合，不仅能够有效去除碳化硅表面的碳保护膜，而且还可能够对碳保护膜中残留的各种杂质起到很好的去除效果。另外，本发明的方法避免了碳保护膜去除过程中对SiC表面所造成的损伤，有利于后续加工工艺。
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公开(公告)号：CN104009099A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201410200502.9
申请日：2014-05-13
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种结势垒肖特基二极管及其制造方法，包括由N型半导体构成的有源区，所述有源区内设置有断点环形结构的P型掺杂区。本发明采用断点环形P型掺杂区，在充分利用耗尽层(反向阻断模式下)在三维方向的延伸能力的前提下，能够增加器件的电流有效导通面积。在有源区面积相等的情况下，本发明所提出的新型结构及分布能够改善器件的性能。在同等电流级别下，新型结构器件的芯片面积可以更小，这样可有效减小芯片面积，降低芯片成本。
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公开(公告)号：CN103824760A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410044255.8
申请日：2014-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端的制造方法。该碳化硅功率器件结终端的制造方法包括以下步骤：步骤1：在外延层上形成牺牲层；步骤2：在牺牲层上制作掩膜，以形成场限环的注入窗口；步骤3：刻蚀牺牲层的未被掩膜覆盖的部分；步骤4：去除掩膜；步骤5：注入离子，以同时形成场限环和电荷补偿层。本发明的碳化硅功率器件结终端的制造方法，借助于外延层上形成的牺牲层，一次离子注入同时实现场限环和电荷补偿层，工艺简单，制造成本低。
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公开(公告)号：CN105405749B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510730587.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。
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公开(公告)号：CN104659114B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510043980.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO2层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。
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