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公开(公告)号：CN106340553A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610948341.0
申请日：2016-10-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09
CPC classification number: H01L31/035209 , H01L31/035236 , H01L31/09
Abstract: 一种电子输运通道为斜跃迁-微带型的量子级联红外探测器，包括：一衬底；一下接触层，其外延于衬底上；一功能层，其外延于下接触层上面；一上接触层，其外延于功能层上；一上接触电极，其制作在上接触层的表面；一下接触电极，其制作在下接触层的表面，位于功能层的周围。本发明具有低噪声的同时具有高的响应率。
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公开(公告)号：CN118693617A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410944522.0
申请日：2024-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种高功率窄线宽量子级联激光器，从下至上依次包括：背面电极、衬底（1）、下波导层（2）、下限制层（4）、有源层（5）、上限制层（7）、上波导层（8）、高掺层（9）、氧化硅绝缘层（10）和正面电极（11）；其中，下波导层（2）、下限制层（4）、有源层（5）、上限制层（7）及上波导层（8）的两侧被刻蚀形成单脊波导结构，下限制层（4）、有源层（5）及上限制层（7）被刻蚀形成的两个侧壁刻蚀形成一阶侧壁光栅，单脊波导结构两侧被刻蚀形成的沟道外延生长了InP：Fe半绝缘外延层。本公开还提供了用于制作该高功率窄线宽量子级联激光器的制作方法。
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公开(公告)号：CN118169066A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410302174.7
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单片集成中红外多波长原位光谱检测器件及其制备方法，包括：量子级联激光器增益区，用于形成中红外光源，其中中红外光源为包括在N个波长处具有高边模抑制比的激光，且每种波长对应一种待测物的特征吸收峰；阵列波导光栅无源波导区，用于将中红外光源的N种波长进行分离，以得到N束分光；被测物质吸收区，包含N个介电负载表面等离子波导，两端分别与阵列波导光栅无源波导区对应输出波导和对应后续探测器相连接；以及量子级联探测器响应区，经被测物质吸收区的光入射到量子级联探测器中，反映出其入射波长对应的被测物有无或浓度变化的信息，可被测物的检测结果，其中，N为大于1的整数。
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公开(公告)号：CN116646821A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310714261.9
申请日：2023-06-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/34
Abstract: 本公开提供一种拓扑面发射量子级联激光器以及制备方法，拓扑面发射量子级联激光器的制备方法包括：在衬底上依次形成金属键合层、有源层和上接触层；利用掩膜版对上接触层进行光刻显影，在掩膜版的带图案的位置涂覆光刻胶，之后对上接触层进行带胶的金属的电子束蒸发，形成金属层；对带胶的金属层进行剥离，得到金属拓扑图形层；以及对上接触层进行腐蚀，以在金属拓扑图形层的边缘形成吸收边界，以增强回音壁模式的吸收损耗，使拓扑面发射量子级联激光器保持在拓扑模式的工作状态。
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公开(公告)号：CN115603175A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202211293161.5
申请日：2022-10-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所(CN)
Abstract: 本公开涉及红外通信光电子器件技术领域，尤其涉及一种电吸收调制量子级联激光器芯片及制备方法。其中，该电吸收调制量子级联激光器芯片，包括：分布反馈量子级联激光器区，用于生成中远红外种子激光；电吸收量子级联调制器区，用于对中远红外种子激光进行调制，得到调制后的中远红外种子激光；量子级联光放大器区，用于对调制后的中远红外种子激光进行放大，得到放大调制后的中远红外种子激光。本公开提供的电吸收调制量子级联激光器芯片可以单片集成，并同时兼顾高调制速率与高输出功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113241383B
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202110487994.4
申请日：2021-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/09
Abstract: 一种微腔耦合的双色量子级联红外探测器及其制备方法，双色量子级联红外探测器包括：半导体衬底；多个第一微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第二微腔凸台，形成于半导体衬底上；多个第一微腔凸台通过第一连接线连接；多个第二微腔凸台通过第二连接线连接；第一微腔凸台、第二微腔凸台、第一连接线和第二连接线均包括由下至上依次设置的下金属层、下接触层、有源层、上接触层及上金属层；下电极，定义半导体衬底上除第一连接线、第二连接线、多个第一微腔凸台和多个第二微腔凸台以外下金属层区域为下电极；第一上电极，形成于下金属层上，通过第一连接线与第一微腔凸台连接；第二上电极，形成于下金属层上，通过第二连接线与第二微腔凸台连接。
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公开(公告)号：CN114865457A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210627326.1
申请日：2022-06-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种量子级联激光器及其制作方法，涉及激光器技术领域，量子级联激光器包括衬底层；下波导层，位于衬底层上；有源层，位于下波导层上，并包括多个注入层，位于下波导层上；以及多个发光层，发光层的电子由高能级向低能级跃迁，适用于激发电子产生激发光；其中，发光层和注入层相互交替周期层叠为级联结构，每个注入层抽取位于注入层上层的相邻发光层的低能级电子并将低能级电子输送至与注入层相邻的上一周期的发光层，以形成高能级电子，从而在属于相邻的两个周期的发光层之间运输电子；以及上波导层，位于发光层上，能够实现高集中的高能级电子数，从而实现大规模的高功率的量子级联的激光器。
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公开(公告)号：CN112636177B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011513402.3
申请日：2020-12-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种改善大功率太赫兹半导体激光器散热的封装结构，该封装结构包括：热沉；第一金属层；第二金属层；次级热沉其上设有倒梯形凹槽；太赫兹半导体激光器，包括衬底；第二掺杂层；呈梯形结构的有源区；第一掺杂层，作为激光器负电极的电注入接触层；欧姆接触层，用于实现负电极与第一掺杂层的欧姆接触；金属波导层；绝缘层，用于防止有源区与负电极间短路；电镀金层，作为次级热沉的散热层；电极层；第三金属层；以及连接块，顶部第四金属层与负电极相连。本发明采用半绝缘砷化镓作为次级热沉，其低温下具备很高的热导率，与激光器的有源区材料不存在热失配，且次级热沉为激光器提供高效的散热通道，实现太赫兹半导体激光器高功率工作。
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公开(公告)号：CN113381289B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110650811.6
申请日：2021-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/0225 , H01S5/02315 , H01S5/02326 , H01S5/06 , H01S5/065 , H01S5/20 , H01S5/00 , G02B5/00
Abstract: 本公开提供了一种光反馈结构及其封装方法，包括太赫兹量子级联激光器和高阻硅超球镜，所述高阻硅超球镜的入射平面的中心位于所述太赫兹量子级联激光器的前端面内，所述高阻硅超球镜的入射平面用于收集所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，所述高阻硅超球镜的出射球面用于反馈及汇聚所述太赫兹量子级联激光器发出的激光，增加所述太赫兹量子级联激光器的第二激光模式的激射强度，以通过调控所述太赫兹量子级联激光器的第一激光模式和第二激光模式的强度比。本公开还提供了一种封装方法，能够实现太赫兹小尺寸平顶高斯光束的高效输出。
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公开(公告)号：CN114006267A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111310275.1
申请日：2021-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开实施例提供了一种波长6微米的激光器的有源区和激光器。该有源区包括：多个周期级联的子有源区；其中，每个周期的子有源区包括：第一注入区，第一注入区包括第一注入势垒；发光区，发光区包括：至少五个第一量子阱，位于上方的第一量子阱与第一注入区连接；以及至少四个第二注入势垒，相邻的两个第一量子阱之间至少设置一个第二注入势垒；第二注入区，第二注入区包括：至少四个沿预设方向依次连接的子注入区，子注入区包括沿预设方向连接的第三注入势垒和第二量子阱；其中，位于相对上方的子注入区的第三注入势垒与位于下方的第一量子阱连接，第二量子阱的厚度小于第一量子阱的厚度，第三注入势垒的厚度大于第二注入势垒的厚度。
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