公开(公告)号：CN106340553B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201610948341.0

申请日：2016-10-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王风娇 ,  任飞 ,  刘舒曼 ,  翟慎强 ,  刘俊岐 ,  梁平 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09

Abstract: 一种电子输运通道为斜跃迁‑微带型的量子级联红外探测器，包括：一衬底；一下接触层，其外延于衬底上；一功能层，其外延于下接触层上面；一上接触层，其外延于功能层上；一上接触电极，其制作在上接触层的表面；一下接触电极，其制作在下接触层的表面，位于功能层的周围。本发明具有低噪声的同时具有高的响应率。

公开(公告)号：CN106340553A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610948341.0

申请日：2016-10-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王风娇 ,  任飞 ,  刘舒曼 ,  翟慎强 ,  刘俊岐 ,  梁平 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L31/035209 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09

Abstract: 一种电子输运通道为斜跃迁-微带型的量子级联红外探测器，包括：一衬底；一下接触层，其外延于衬底上；一功能层，其外延于下接触层上面；一上接触层，其外延于功能层上；一上接触电极，其制作在上接触层的表面；一下接触电极，其制作在下接触层的表面，位于功能层的周围。本发明具有低噪声的同时具有高的响应率。

公开(公告)号：CN104900731A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510300412.1

申请日：2015-06-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 任飞 ,  刘舒曼 ,  王风娇 ,  翟胜强 ,  梁平 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种红外探测器及其制造方法，该红外探测器包括衬底、下接触层、周期性的量子点量子阱混杂结构、上接触层、顶部环状电极及底部环状电极；其中，下接触层外延于衬底上；周期性的量子点量子阱混杂结构外延于下接触层上；上接触层外延于周期性的量子点量子阱混杂结构上；底部环状电极形成于刻蚀上接触层和周期性的量子点量子阱混杂结构而露出的下接触层的表面；顶部环状电极形成于刻蚀上接触层和周期性的量子点量子阱混杂结构而剩余的上接触层的表面。本发明的红外光电探测器能响应正入射光，并具有低暗电流、高响应率及探测率的优点。

公开(公告)号：CN104900731B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201510300412.1

申请日：2015-06-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 任飞 ,  刘舒曼 ,  王风娇 ,  翟胜强 ,  梁平 ,  刘峰奇 ,  王占国

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种红外探测器及其制造方法，该红外探测器包括衬底、下接触层、周期性的量子点量子阱混杂结构、上接触层、顶部环状电极及底部环状电极；其中，下接触层外延于衬底上；周期性的量子点量子阱混杂结构外延于下接触层上；上接触层外延于周期性的量子点量子阱混杂结构上；底部环状电极形成于刻蚀上接触层和周期性的量子点量子阱混杂结构而露出的下接触层的表面；顶部环状电极形成于刻蚀上接触层和周期性的量子点量子阱混杂结构而剩余的上接触层的表面。本发明的红外光电探测器能响应正入射光，并具有低暗电流、高响应率及探测率的优点。