公开(公告)号：CN118693617A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410944522.0

申请日：2024-07-15

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 姚金麟 ,  张锦川 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  刘俊岐 ,  刘峰奇 ,  刘舒曼

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/12 ,  H01S5/50 ,  H01S5/065

Abstract: 本公开提供了一种高功率窄线宽量子级联激光器，从下至上依次包括：背面电极、衬底（1）、下波导层（2）、下限制层（4）、有源层（5）、上限制层（7）、上波导层（8）、高掺层（9）、氧化硅绝缘层（10）和正面电极（11）；其中，下波导层（2）、下限制层（4）、有源层（5）、上限制层（7）及上波导层（8）的两侧被刻蚀形成单脊波导结构，下限制层（4）、有源层（5）及上限制层（7）被刻蚀形成的两个侧壁刻蚀形成一阶侧壁光栅，单脊波导结构两侧被刻蚀形成的沟道外延生长了InP：Fe半绝缘外延层。本公开还提供了用于制作该高功率窄线宽量子级联激光器的制作方法。