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公开(公告)号：CN116936623A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311011249.8
申请日：2023-08-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/51 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本公开提出了一种基于氟晶云母栅介质层的二维场效应晶体管，包括衬底、沟道层、栅介质层、栅极、源极和漏极。其中，沟道层为二维范德华沟道材料，以在外加电场的作用下产生载流子；栅介质层形成于沟道层之上，为二维范德华氟晶云母材料，与沟道层通过范德华力结合；栅极形成于栅介质层之上，用于向栅介质层施加栅压，使得栅介质层中产生用于调控沟道层中载流子迁移以形成电流的电场；源极和漏极分别形成于栅介质层的两侧，用于传输电流。
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公开(公告)号：CN116741868A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310972128.3
申请日：2023-08-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种光电探测器，包括：衬底；绝缘层，设置在部分的衬底上；碲化镓层，设置在衬底和绝缘层上，与衬底形成异质结，使异质结中的电子吸收来自外部照射的光子产生跃迁；第一电极，设置在碲化镓层上；第二电极，设置在衬底的与绝缘层相对的一侧，通过第一电极和第二电极施加的外加电场使电子定向移动产生探测电流并通过第一电极和第二电极输出。采用低对称晶体结构的碲化镓层与衬底形成异质结，使能带相交或错位，导致电子运输现象的变化，可以同时发挥衬底和碲化镓层两个材料的不同特性，使光电探测器可以探测较宽波长范围内的激光。
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公开(公告)号：CN114649428A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202210292053.X
申请日：2022-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法，该高速光电探测器包括：基底，材料为三维材料硅；介电层，形成于基底表面上；有源层，材料为二维材料硒化亚锗，设于基底表面与介电层表面的相邻区域上；源电极，设于有源层与介电层的相邻区域上；漏电极，设于有源层与基底的相邻区域上。该探测器将硒化亚锗与硅结合，实现了光探测范围从可见光区到近红外区域，并且提高了光电探测器的响应时间，具有成为宽带宽光电探测器的潜力。
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公开(公告)号：CN111430536B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202010309260.2
申请日：2020-04-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种磁性二维半导体的同质结磁阻器件及其制备方法和应用，该同质结磁阻器件包括硅层；二氧化硅层，其设置在硅层上，与硅层共同作为栅极和绝缘层；第一纳米片和第二纳米片，均设置在二氧化硅层上，第一纳米片和第二纳米片部分重叠，该重叠区域形成垂直结构，第一纳米片和第二纳米片均为过渡金属磁性原子掺杂非磁性二维半导体材料；以及源极和漏极，分别位于第一纳米片和第二纳米片之上。本发明中元素的掺杂是一种调控二维材料性质的有效手段，利用过渡金属原子对非磁性材料的掺杂从而在非磁性材料中引入磁性，这种方式为自旋电子学的发展提供了更多选择。
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公开(公告)号：CN110277440A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910564321.7
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L41/113
Abstract: 本发明提供了一种压电隧穿晶体管及其工作模式控制方法，属于晶体管技术领域。所述压电隧穿晶体管，包括：半导体衬底；半导体沟道，放置于所述半导体衬底的上表面；两个栅介质层，分别对称放置于所述半导体材料沟道两侧；两个控制栅电极，分别对称放置于所述两个栅介质层外侧；两个压电层，分别对称放置于所述两个控制栅电极外侧；两个压电栅电极，分别对称放置于所述两个压电层外侧；作为源端和漏端的掺杂半导体，分别对称放置于所述半导体材料沟道的另外两侧。本发明提供的压电隧穿晶体管，以半导体沟道为轴成对称分布，压电层两端可以对半导体沟道产生一个随偏压变化，进而改善压电隧穿晶体管的开态和关态电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110190154A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910495256.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种硫化锡单晶、其制备方法、准一维硫化锡纳米线、偏振光探测器及晶体管。该硫化锡单晶的制备方法包括：将硫粉和锡粉混合，得到混合物；将得到的混合物真空封入容器内后放入加热设备中生长，得到所述硫化锡单晶。本发明基于准一维硫化锡纳米线，制备的光电探测器由于高稳定性、高响应度、可探测多角度线偏振光等特点，具有广泛的应用前景；采用高温管式炉烧结即可简单直接地获得，得到的晶体结晶质量高，成本低，性能优异，能够大规模可重复地生产，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN109216497A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811036994.7
申请日：2018-09-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/113 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本公开提供了一种基于二维各向异性材料的片上光探测器及其制造方法，片上光探测器自下而上包括：重掺杂电极、薄层绝缘层、二维薄层材料和两个金属电极；二维薄层材料嵌设在薄层绝缘层和两个金属电极间；二维薄层材料为具有低面内对称性的二维材料。本公开光探测器使用的是全新的二维材料，由于材料本身的各向异性等特点，使得光探测器可以探测多角度的线偏振光，应用范围更加广泛，从根本上改变了探测器的性质。
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公开(公告)号：CN117936617A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410073904.0
申请日：2024-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供了一种基于二维半导体异质结的日盲紫外探测器及其制备方法，该日盲紫外探测器包括：二维半导体异质结，由两种低维半导体材料堆叠而成；两个电极，设于二维半导体异质结两端，分别接触两种低维半导体材料；其中，两种低维半导体材料的能带结构交错排布，且两种低维半导体材料中的至少一种低维半导体材料进行掺杂调控，使二维半导体异质结获得日盲紫外响应的载流子跃迁通道。该日盲紫外探测器选择合适的低维半导体材料来构筑异质结，通过对低维半导体材料进行掺杂调控最终实现日盲紫外探测，无需对器件的结构进行复杂的设计，避免了复杂的工艺流程，适用于大批量构筑高质量的日盲紫外光电探测器，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114744059B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210371155.0
申请日：2022-04-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/036 , H01L31/0224 , H01L31/09 , H01L27/144 , H01L31/18
Abstract: 本公开提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器，包括：衬底(10)，为β相氧化镓，其(001)晶面上形成多个探测单元，探测单元成阵列布置；其中，每个探测单元包括：第一隔离层(11)，形成于衬底(10)中，其上表面与衬底(10)的表面持平；欧姆接触电极(13)、肖特基接触电极(14)，至少部分位于衬底(10)的表面上、至少部分位于第一隔离层(11)的表面上，且欧姆接触电极(13)与肖特基接触电极(14)之间形成光吸收区域。本公开还提供一种基于氧化镓单晶的日盲偏振探测器的制备方法。本公开的日盲偏振探测器可实现大面积探测，光电探测性能更优。
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公开(公告)号：CN114649428B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210292053.X
申请日：2022-03-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/0312 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 一种新型二维/三维异质异构的高速光电探测器及其制备方法，该高速光电探测器包括：基底，材料为三维材料硅；介电层，形成于基底表面上；有源层，材料为二维材料硒化亚锗，设于基底表面与介电层表面的相邻区域上；源电极，设于有源层与介电层的相邻区域上；漏电极，设于有源层与基底的相邻区域上。该探测器将硒化亚锗与硅结合，实现了光探测范围从可见光区到近红外区域，并且提高了光电探测器的响应时间，具有成为宽带宽光电探测器的潜力。
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