公开(公告)号：CN113921628A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111179245.1

申请日：2021-10-09

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  周劲澍 ,  赵向凯 ,  李冬梅

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/036 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种光电器件及其制备方法、偏振成像装置。光电器件包括衬底、氧化物绝缘层、二维材料层及电极，二维材料层由具有面内各向异性的二维单晶GeSe材料构成，Ge和Se摩尔比为1∶1.05，电极至少包括一组源极和漏极。光电器件制备方法包括制备单晶GeSe；分离单晶GeSe得到GeSe薄膜，将至少一片GeSe薄膜转移至已制备氧化物绝缘层的衬底上；据厚度标准选择合格的GeSe薄膜，在合格的GeSe薄膜上制备金属电极，得到复合层结构。偏振成像装置包括：起偏器、光学镜头、光电器件、步进旋转平台，光电器件接入放大电路中，起偏器、光学镜头、光电器件、步进旋转平台位于同一旋转轴线上。本发明用低对称晶体结构二维材料的平面各向异性来进行偏振成像，获得优秀的探测功能。

公开(公告)号：CN114975675B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202210770780.2

申请日：2022-06-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  周劲澍

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电器件，包括：衬底，衬底为P型重掺杂或N型重掺杂的Ge金属；绝缘层，形成在衬底一侧的部分表面上；GeSe二维材料层，自衬底的部分表面延伸至绝缘层上，GeSe二维材料层包括至少一片GeSe薄膜，配置为响应于光而产生光生载流子；电极，电极包括至少一组源极和漏极，配置为接收光生载流子；至少一组源极和漏极分别形成在每片GeSe薄膜上和衬底的与GeSe二维材料层相反的一侧上；其中，衬底与GeSe二维材料层形成二维三维异质结。本发明还公开了一种上述光电器件的制备方法。

公开(公告)号：CN114975675A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210770780.2

申请日：2022-06-30

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 魏钟鸣 ,  周劲澍

IPC: H01L31/112 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种光电器件，包括：衬底，衬底为P型重掺杂或N型重掺杂的Ge金属；绝缘层，形成在衬底一侧的部分表面上；GeSe二维材料层，自衬底的部分表面延伸至绝缘层上，GeSe二维材料层包括至少一片GeSe薄膜，配置为响应于光而产生光生载流子；电极，电极包括至少一组源极和漏极，配置为接收光生载流子；至少一组源极和漏极分别形成在每片GeSe薄膜上和衬底的与GeSe二维材料层相反的一侧上；其中，衬底与GeSe二维材料层形成二维三维异质结。本发明还公开了一种上述光电器件的制备方法。

公开(公告)号：CN116741868A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310972128.3

申请日：2023-08-03

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨珏晗 ,  周劲澍 ,  刘岳阳 ,  刘端阳 ,  文宏玉 ,  魏钟鸣

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本公开提供了一种光电探测器，包括：衬底；绝缘层，设置在部分的衬底上；碲化镓层，设置在衬底和绝缘层上，与衬底形成异质结，使异质结中的电子吸收来自外部照射的光子产生跃迁；第一电极，设置在碲化镓层上；第二电极，设置在衬底的与绝缘层相对的一侧，通过第一电极和第二电极施加的外加电场使电子定向移动产生探测电流并通过第一电极和第二电极输出。采用低对称晶体结构的碲化镓层与衬底形成异质结，使能带相交或错位，导致电子运输现象的变化，可以同时发挥衬底和碲化镓层两个材料的不同特性，使光电探测器可以探测较宽波长范围内的激光。