公开(公告)号：CN110277440A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910564321.7

申请日：2019-06-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 龙宇雄 ,  文宏玉 ,  姜向伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L41/113

Abstract: 本发明提供了一种压电隧穿晶体管及其工作模式控制方法，属于晶体管技术领域。所述压电隧穿晶体管，包括：半导体衬底；半导体沟道，放置于所述半导体衬底的上表面；两个栅介质层，分别对称放置于所述半导体材料沟道两侧；两个控制栅电极，分别对称放置于所述两个栅介质层外侧；两个压电层，分别对称放置于所述两个控制栅电极外侧；两个压电栅电极，分别对称放置于所述两个压电层外侧；作为源端和漏端的掺杂半导体，分别对称放置于所述半导体材料沟道的另外两侧。本发明提供的压电隧穿晶体管，以半导体沟道为轴成对称分布，压电层两端可以对半导体沟道产生一个随偏压变化，进而改善压电隧穿晶体管的开态和关态电流。

公开(公告)号：CN109904238A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910116636.5

申请日：2019-02-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  山东大学

Inventor： 姜向伟 ,  马晓雷 ,  陈杰智

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/47 ,  H01L21/338

Abstract: 本公开提供了一种基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法，其界面处理方法包括：在硅和过渡金属硫化物的界面之间导入氮化硼插层，Si作为电极，MoS2作为沟道材料，形成PIP型肖特基场效应管。本公开在有利于降低Si-MoS2体系的肖特基势垒，对于未来微电子器件把二维材料集成到传统硅材料中有重大指导意义。

公开(公告)号：CN109904238B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201910116636.5

申请日：2019-02-14

Applicant: 中国科学院半导体研究所 ,  山东大学

Inventor： 姜向伟 ,  马晓雷 ,  陈杰智

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/47 ,  H01L21/338

Abstract: 本公开提供了一种基于硅和过渡金属硫化物的肖特基场效应管及制备方法，其界面处理方法包括：在硅和过渡金属硫化物的界面之间导入氮化硼插层，Si作为电极，MoS2作为沟道材料，形成PIP型肖特基场效应管。本公开在有利于降低Si‑MoS2体系的肖特基势垒，对于未来微电子器件把二维材料集成到传统硅材料中有重大指导意义。