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公开(公告)号：CN110277440A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910564321.7
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L41/113
Abstract: 本发明提供了一种压电隧穿晶体管及其工作模式控制方法，属于晶体管技术领域。所述压电隧穿晶体管，包括：半导体衬底；半导体沟道，放置于所述半导体衬底的上表面；两个栅介质层，分别对称放置于所述半导体材料沟道两侧；两个控制栅电极，分别对称放置于所述两个栅介质层外侧；两个压电层，分别对称放置于所述两个控制栅电极外侧；两个压电栅电极，分别对称放置于所述两个压电层外侧；作为源端和漏端的掺杂半导体，分别对称放置于所述半导体材料沟道的另外两侧。本发明提供的压电隧穿晶体管，以半导体沟道为轴成对称分布，压电层两端可以对半导体沟道产生一个随偏压变化，进而改善压电隧穿晶体管的开态和关态电流。
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