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公开(公告)号：CN113512713A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110771475.0
申请日：2021-07-08
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种铼坩埚及其制备方法和应用，属于金属材料制备技术领域。本发明提供了一种铼坩埚的制备方法，包括以下步骤：在真空条件下，将铼与氯气发生氯化反应，得到ReCl5气体；对基体进行加工，得到沉积铼坩埚用模芯；将所述沉积铼坩埚用模芯预热，得到预热沉积铼坩埚用模芯；将所述ReCl5气体输送至所述预热沉积铼坩埚用模芯的表面进行化学气相沉积，得到铼坩埚。本发明采用现场氯化化学气相沉积(CVD)法制备铼坩埚，具有流程短、工艺成熟、沉积速率快及原材料利用率高的优点，可以得到高致密性、高纯度的铼坩埚。
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公开(公告)号：CN111060044B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201911233947.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明针对与背板焊接结合的靶材加工成型后或磁控溅射后靶材部分厚度在不破坏前提下无法直接精确测量的问题，公开了一种采用水浸式C‑scan设备测量焊接型靶材厚度的方法。此方法将焊接型靶材和探头均浸泡在超纯水中，运行C扫软件并利用超声纵波脉冲反射技术、以界面波波峰位置作为起始点的测量类型，通过已知靶坯厚度测量出靶材的声速，在后续与背板结合并加工成型后或磁控溅射后，利用已测靶材声速测量出此时靶材部分的厚度。该方法获得的焊接型靶材部分厚度与解除焊接结合后(即破坏后)直接测量靶材部分厚度的误差≤±5％，准确性能够保证，有效解决了加工焊接型靶材的厚度管控问题，也可有效指导靶材使用寿命的监控，提高焊接型靶材的使用率。
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公开(公告)号：CN111060044A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911233947.6
申请日：2019-12-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明针对与背板焊接结合的靶材加工成型后或磁控溅射后靶材部分厚度在不破坏前提下无法直接精确测量的问题，公开了一种采用水浸式C-scan设备测量焊接型靶材厚度的方法。此方法将焊接型靶材和探头均浸泡在超纯水中，运行C扫软件并利用超声纵波脉冲反射技术、以界面波波峰位置作为起始点的测量类型，通过已知靶坯厚度测量出靶材的声速，在后续与背板结合并加工成型后或磁控溅射后，利用已测靶材声速测量出此时靶材部分的厚度。该方法获得的焊接型靶材部分厚度与解除焊接结合后(即破坏后)直接测量靶材部分厚度的误差≤±5％，准确性能够保证，有效解决了加工焊接型靶材的厚度管控问题，也可有效指导靶材使用寿命的监控，提高焊接型靶材的使用率。
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公开(公告)号：CN104174851B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201410394572.2
申请日：2014-08-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法。该方法主要包括原料粉末的选择、粉末的混合、锭坯的预压成型、反应合成烧结处理、热等静压处理、机加工处理。其中反应合成烧结技术有效改善和提高Co-Cr-Pt-SiO2靶材中的各物相之间结合，提高了材料的致密度，避免了传统热等静压处理前必须对粉末进行装包套、抽真空、封焊及热等静压后进行去包套处理工艺，有效简化了生产工艺，提高了材料的加工性能，适合进行连续性的工业化生产。
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公开(公告)号：CN104174851A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410394572.2
申请日：2014-08-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Co-Cr-Pt-SiO2靶材的制备方法。该方法主要包括原料粉末的选择、粉末的混合、锭坯的预压成型、反应合成烧结处理、热等静压处理、机加工处理。其中反应合成烧结技术有效改善和提高Co-Cr-Pt-SiO2靶材中的各物相之间结合，提高了材料的致密度，避免了传统热等静压处理前必须对粉末进行装包套、抽真空、封焊及热等静压后进行去包套处理工艺，有效简化了生产工艺，提高了材料的加工性能，适合进行连续性的工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104060229A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410280254.3
申请日：2014-06-20
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法，该CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2，TiO2，CrO，Cr2O3，Ta2O3，W2O3，Al2O3，Y2O3等氧化物中的一种或几种，其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3～20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co两相Co基固溶体，其中以低温相六方ε-Co固溶体为主，靶材的厚度在2～6mm之间，靶材的透磁率(PTF)值40％～60％之间。由该合金靶材制得的磁记录介质的磁记录层呈(002)晶面的择优取向生长，在X衍射分析中，用式(1)表示的(002)晶面的X射线衍射峰强度比：………………………式(1)为70％～90％。本发明的溅射靶，有害杂质元素含量低，晶粒尺寸细小均匀，化学成份均匀且偏离名义成分较小。使用上述溅射靶材制备的磁记录介质，该磁记录介质晶粒细小均匀、非磁性晶界明显，磁学性能优良。
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公开(公告)号：CN117570861A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544426.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属薄膜厚度无损测量方法。本发明首先将光刻胶涂抹在清洗干净后的待镀膜基底上，基底表面部分被光刻胶覆盖，胶覆盖面积及厚度均无特殊要求，胶固化后覆盖膜边缘为平直线；然后在带有部分覆盖膜的基底上沉积金属薄膜；最后将镀膜后的基底置于酒精中超声清洗，除去覆盖膜及上面的金属薄膜，露出未镀膜的基底，采用原子力显微镜(AFM)测量未镀膜基底与金属薄膜高度差，这一差值即为金属膜厚度。上述金属薄膜厚度测量方法具有快速、便捷的特点，制得薄膜台阶截面光滑，对基底和薄膜均不会产生破坏，测量得到膜厚精确度高。
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公开(公告)号：CN116970853A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310862536.3
申请日：2023-07-14
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨钛靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯钨粉体和纯钛粉体进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段的钨钛之间的扩散程度；2)对钨钛混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；3)添加氢化钛粉体与钨钛混合粉体进行二次均匀化球磨，利用氢化钛在预烧结阶段的分解产氢作用降低块体钨钛靶材坯料内部的含氧量；4)利用预烧结和致密化烧结实现钨钛靶材坯料气体含量降低和微观结构可控性制备；5)利用热压塑性变形处理进一步提高钨钛靶材坯料的致密度和钨钛之间的扩散程度。本发明实现了对于钨钛靶材坯料致密度的提高、含氧量的降低和微观结构的可控性制备，所制备的钨钛靶材服役性能得到了提高。
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公开(公告)号：CN115449767A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211188785.0
申请日：2022-09-28
Applicant: 昆明理工大学 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种细晶高纯镍靶材的制备方法，属于镍靶材技术领域。本发明将高纯镍板进行真空熔炼，真空度达1×100Pa时，通入高纯氢气，氢气氛围下熔融成镍熔体并恒温感应熔炼10min以上使氢气充分溶入镍熔体，浇铸得到镍锭；镍锭经表面铣削后冷轧得到冷轧镍板，其中轧制总变形量为50～60％；冷轧镍板匀速升温至温度450～650℃下退火处理0.5～2h，空冷至室温得到细晶高纯镍靶材。本发明氢气氛下的熔炼能够去除镍中的氧、碳等杂质元素，同时固溶在镍中的氢能够促进轧制过程的再结晶过程，从而获得细晶高纯镍靶材，本发明的金属镍靶材组织成分均匀，晶粒尺寸细小，非金属杂质含量显著降低。
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公开(公告)号：CN115415351A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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