-
公开(公告)号：CN117921021A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311669336.2
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。
-
公开(公告)号：CN117733168A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311669319.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。
-
公开(公告)号：CN115533447A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
-
公开(公告)号：CN111304608A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，靶材含镍1~99 wt%，余量为铂；靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向，含镍为1~24 wt%的靶材其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3，含镍为25~99 wt%的靶材其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2；致密度不低于99.5%；晶粒尺寸5~50 。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
-
公开(公告)号：CN115415351A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111304608B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶材含镍为1~23.5wt%或30~99wt%，余量为铂，其致密度不低于99.5%，晶粒尺寸5~50μm，其中含镍为1~23.5wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3；含镍为30~99wt%的靶材呈（111）高定向取向，其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
-
公开(公告)号：CN109112501B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201810972105.1
申请日：2018-08-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/448
Abstract: 本发明提供一种二氧化铪涂层及其制备方法，属于涂层制备领域。本发明中，原料铪的氯化反应与HfO2涂层的化学气相沉积反应过程简单，HfO2涂层沉积速率大幅提高至30μm/h以上，且不会带来杂质污染；化学气相沉积反应可在预热后的待沉积基体的所有表面发生，可同时实现难熔金属复杂器件内外表面涂层的均匀沉积；CVD沉积是通过化学反应原位产生HfO2分子，HfO2分子逐个堆积形成涂层，涂层密度超过其理论密度的99％；HfO2涂层的生长选择热力学能量最低的方向，涂层形成了择优取向的织构组织，使涂层的辐射系数提高至0.90以上，高温散热性能优良。
-
公开(公告)号：CN113512714A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110771701.5
申请日：2021-07-08
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C16/14 , C23C16/448 , C30B35/00 , C30B29/16
Abstract: 本发明提供了一种铼‑钨复合坩埚及其制备方法和应用，属于金属材料制备技术领域。本发明的铼‑钨复合坩埚包括基体钨坩埚以及铼层，所述铼层位于所述基体钨坩埚的内表面。本发明将难熔金属钨和铼的优点结合起来，创新设计并制备铼‑钨复合坩埚，可大幅降低坩埚的成本；本发明采用CVD法制备复合坩埚内部的铼层，且铼层与氧化物熔体直接接触，在提高坩埚材料的致密度和纯度的同时，还能保证所制备激光晶体的高品质，所发明的铼/钨复合坩埚主要用于难熔金属氧化物，如稀土氧化物、碱土金属氧化物等高熔点晶体的生长。
-
公开(公告)号：CN111235536A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010186255.7
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的铱溅射靶材及其制备方法，铱溅射靶材呈现(111)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1-10μm，氧含量100 ppm以内；所述(111)晶面与(200)晶面积分强度比不低于4。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1-10μm的铱粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得铱溅射靶材性能优异，高致密度和(111)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的铱薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高了生产效率，极大地节约制备成本。
-
公开(公告)号：CN108296491A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810066926.9
申请日：2018-01-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微米级类球形铱(Ir)粉体及其制备方法，所制备的微米级Ir粉体的纯度可达99.99％，颗粒尺寸为1～5μm，平均粒径为4μm。本发明以氯铱酸铵[(NH4)2IrCl6]为原料，采用雾化干燥结合微波煅烧技术制备了微米级类球形Ir粉体，本发明通过雾化干燥和微波煅烧工艺，制备的微米级Ir粉体，具有纯度高，尺寸均匀，近似球形和分散性好的优点，这使得粉体具有很好的流动性和烧结性能。这种铱粉体可以用于制备高温性能优异、高强度硬度、耐腐蚀和耐氧化的各种铱制品，广泛应用于电光、电气、航空航天和核反应堆领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.028 seconds)
