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公开(公告)号：CN115415351B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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公开(公告)号：CN104060229A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201410280254.3
申请日：2014-06-20
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt-氧化物磁记录靶材、薄膜及其制备方法，该CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2，TiO2，CrO，Cr2O3，Ta2O3，W2O3，Al2O3，Y2O3等氧化物中的一种或几种，其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3～20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co两相Co基固溶体，其中以低温相六方ε-Co固溶体为主，靶材的厚度在2～6mm之间，靶材的透磁率(PTF)值40％～60％之间。由该合金靶材制得的磁记录介质的磁记录层呈(002)晶面的择优取向生长，在X衍射分析中，用式(1)表示的(002)晶面的X射线衍射峰强度比：………………………式(1)为70％～90％。本发明的溅射靶，有害杂质元素含量低，晶粒尺寸细小均匀，化学成份均匀且偏离名义成分较小。使用上述溅射靶材制备的磁记录介质，该磁记录介质晶粒细小均匀、非磁性晶界明显，磁学性能优良。
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公开(公告)号：CN111304608A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010186265.0
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
IPC: C23C14/35 , B22D7/00 , C21D9/00 , C22C1/02 , C22C5/04 , C22C19/03 , C22F1/02 , C22F1/10 , C22F1/14 , B30B15/34
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的镍铂合金溅射靶材及其制备方法，靶材含镍1~99 wt%，余量为铂；靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向，含镍为1~24 wt%的靶材其（111）与（200）晶面积分强度比不低于3，含镍为25~99 wt%的靶材其（200）与（111）晶面积分强度比不低于1.2；致密度不低于99.5%；晶粒尺寸5~50 。所述制备方法包括以下步骤：熔炼与浇铸、缺陷检测、真空热压、低温压制、低温退火和产品加工。本发明的镍铂合金溅射靶材呈（111）或（200）晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、膜厚均匀的薄膜，制备工艺简便，易操控，大大提高生产效率并节约制备成本。
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公开(公告)号：CN105986138A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610471107.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备超高纯镍铂合金靶材的方法。制备方法包括高纯预合金粉制备，合金的熔炼，采用区域熔炼对熔体的净化，机械轧制及热处理对晶粒尺寸的控制，本发明高纯镍铂合金粉末采用纯度大于等于99.995％的氯铂酸氨和纯度大于等于99.99％的氯化镍为原料，先通过气体雾化法制备得到氯铂酸氨和氯化镍的复合颗粒，再采用通氢还原法得到高纯镍铂预合金粉末，然后真空感应熔炼得到镍铂母合金，最后采用区域熔炼法将镍铂母合金锭提纯得到超高纯镍铂合金。本发明制备得到的超高纯镍铂靶材,该靶材的碱金属离子(Na、K)、放射性元素(U、Th)的含量较低，而且其它金属杂质、氧含量及晶粒尺寸较现有公开文献有明显改善。
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公开(公告)号：CN104014767B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410246797.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备NiV合金靶材的方法，涉及使用特殊的熔铸方法制备高纯度、晶粒细小的NiV合金靶材产品。通过采用氧化硼作为覆盖剂对合金熔体实施净化以提高合金靶材的纯度，采用循环液态金属冷却的铜模进行浇铸实现合金熔体的快速凝固，从而获得纯度高、晶粒细小、无偏析、相结构单一的NiV合金靶材产品，提高了效率和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1298086A
公开(公告)日：2001-06-06
申请号：CN99124523.7
申请日：1999-11-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Inventor： 宋修庆
IPC: F27B14/10
Abstract: 本发明涉及贵金属及合金的电磁感应熔炼。本发明的高频电磁感应熔炼用坩埚成型外套的材料为电熔刚玉砂,尺寸与熔炼时所用的刚玉坩埚及感应圈配套。由电熔刚玉砂加入适量粘合剂,填充到特制模具中成型,经1680℃高温烧结而成。该成型外套的使用降低了耐火材料的消耗,简化了熔炼过程,较好的解决真空充氩气保护熔炼时的打弧放电的问题,降低了生产成本,保证了熔炼设备的安全运行。
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公开(公告)号：CN108517497A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810157024.6
申请日：2018-02-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种离心成型制备NiPt合金靶材的方法，涉及使用离心成型浇铸工艺制备薄板件NiPt合金靶材，以避免对铸锭实施应力加工所带来的破坏性影响，简化生产工序，保证产品材料纯度，大大提高产品成品率。当NiPt合金成分配比进入40-90wt.％Pt的区间时，体系会发生有序转变，所形成的有序结构会大大弱化合金的应力加工性能。通过使用旋转加热平台及特别设计的模具进行浇铸，使铸锭形状几近产品形状，后续经过简单的机加工即可达到最终尺寸，制成合格产品，成功的解决了使用传统应力加工方法对该成分区间产品进行加工时极高报废率的问题。
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公开(公告)号：CN104032274B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410260448.7
申请日：2014-06-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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公开(公告)号：CN104032270A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410260698.0
申请日：2014-06-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种大尺寸钌基合金溅射靶材及其制备方法，钌基合金靶材包括Al,Co，Cr等元素中的一种或几种，其余为Ru，钌基合金靶材为圆饼状，其直径不小于100mm,致密度不低于99.5％,且其中心区域与边缘区域的致密度差不超过0.3％，且Ru与其他合金元素形成的第二相均匀的分布在Ru基体相中。所述的钌基合金溅射靶材的制备方法，包括通过气体雾化法制备熔点偏低的脆性相钌基合金粉末，再通过气流磨处理该脆性相获得了细小均匀的合金粉末，最后经粉末烧结制备出直径尺寸在100mm以上的钌基合金靶材，本发明获得的合金靶材杂质含量低，致密度高且均匀，成份分布均匀，晶粒细小均匀，使用该靶材溅射成膜的厚度均匀性，性能稳定以及减少了溅射过程的异常放电现象等。
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公开(公告)号：CN115415351A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211047631.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯铜靶材的制备方法及靶材的用途，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)等通道侧向挤压；4)轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大且较厚等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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