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公开(公告)号：CN105986138A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610471107.3
申请日：2016-06-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备超高纯镍铂合金靶材的方法。制备方法包括高纯预合金粉制备，合金的熔炼，采用区域熔炼对熔体的净化，机械轧制及热处理对晶粒尺寸的控制，本发明高纯镍铂合金粉末采用纯度大于等于99.995％的氯铂酸氨和纯度大于等于99.99％的氯化镍为原料，先通过气体雾化法制备得到氯铂酸氨和氯化镍的复合颗粒，再采用通氢还原法得到高纯镍铂预合金粉末，然后真空感应熔炼得到镍铂母合金，最后采用区域熔炼法将镍铂母合金锭提纯得到超高纯镍铂合金。本发明制备得到的超高纯镍铂靶材,该靶材的碱金属离子(Na、K)、放射性元素(U、Th)的含量较低，而且其它金属杂质、氧含量及晶粒尺寸较现有公开文献有明显改善。
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公开(公告)号：CN104014767B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201410246797.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备NiV合金靶材的方法，涉及使用特殊的熔铸方法制备高纯度、晶粒细小的NiV合金靶材产品。通过采用氧化硼作为覆盖剂对合金熔体实施净化以提高合金靶材的纯度，采用循环液态金属冷却的铜模进行浇铸实现合金熔体的快速凝固，从而获得纯度高、晶粒细小、无偏析、相结构单一的NiV合金靶材产品，提高了效率和成品率。
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公开(公告)号：CN111270210B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202010186065.5
申请日：2020-03-17
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶粒高定向取向的钌溅射靶材及其制备方法，钌溅射靶材呈现(002)晶面高定向取向，致密度不低于99.5%，晶粒尺寸1‑10μm，氧含量100 ppm以内；所述(002)晶面与(101)晶面积分强度比不低于3。所述制备方法包括以下步骤：选择4N及以上纯度，粒度为1‑10μm的钌粉；随后将粉末进行冷压成型；再将冷压成型的锭坯进行低温微波烧结；再将锭坯进行低温真空热压烧结进一步提高致密度；最后机加工获得靶材。本发明采用较低的烧结温度、低温真空热压技术及充氢气形成还原气氛，使得钌溅射靶材性能优异，高致密度和(002)晶面高定向取向有助于获得高溅射速率、厚度均匀的钌薄膜，制备工艺简便，条件温和易于操控，而且可大大提高生产效率，极大地节约制备成本。
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公开(公告)号：CN104018128B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410231799.5
申请日：2014-05-29
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种镍铂合金溅射靶材及其制备方法，所述镍铂合金溅射靶中，铂的含量为0～5原子％，靶材的平均晶粒尺寸小于80微米且单个晶粒尺寸不大于150微米，靶材具有均匀分布的衍射峰强度组合，且单个方向上的衍射峰强度不大于50％，靶材的透磁率(PTF)在大于40％且在各个不同方向上测量的数值差别在5％以内。所述的镍铂合金溅射靶材，能减少溅蚀现象发生，具有较长的使用寿命，使用该靶材所制备出的薄膜具有较好的均匀性；本发明的另一个目的在于提供一种获得上述具有高透磁率(PTF)的具有低铂含量的镍铂合金靶材的制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104014767A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410246797.3
申请日：2014-06-05
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种制备NiV合金靶材的方法，涉及使用特殊的熔铸方法制备高纯度、晶粒细小的NiV合金靶材产品。通过采用氧化硼作为覆盖剂对合金熔体实施净化以提高合金靶材的纯度，采用循环液态金属冷却的铜模进行浇铸实现合金熔体的快速凝固，从而获得纯度高、晶粒细小、无偏析、相结构单一的NiV合金靶材产品，提高了效率和成品率。
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公开(公告)号：CN101984105A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010520680.1
申请日：2010-10-27
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及用真空热压法制备层状复合材料领域，具体为一种用真空热压法制备叠层弥散强化铂基复合材料的方法，以得到高致密度，叠层界面缺陷少的弥散强化铂基复合材料。该法通过真空熔炼，轧制，内氧化，剪片制备复合锭坯，然后将该锭坯在真空度为10-2～10-3Pa下，升温加热到1000～1500℃，加压10～50MPa，保压10～90min，然后随炉冷到室温。在上述真空环境下对复合锭坯加压成型，可以得到相对密度大于95％产品，同时减少了界面的气泡形成的几率，提高了界面的结合强度，从而提高了弥散强化铂基复合材料的高温抗蠕变性能。本发明解决了普通热压法叠层界面结合强度低，叠层界面缺陷多以及工艺流程长，成本高的问题，可用于制备高致密度，界面缺陷少的弥散强化铂基复合材料。
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公开(公告)号：CN108517497A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810157024.6
申请日：2018-02-24
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种离心成型制备NiPt合金靶材的方法，涉及使用离心成型浇铸工艺制备薄板件NiPt合金靶材，以避免对铸锭实施应力加工所带来的破坏性影响，简化生产工序，保证产品材料纯度，大大提高产品成品率。当NiPt合金成分配比进入40-90wt.％Pt的区间时，体系会发生有序转变，所形成的有序结构会大大弱化合金的应力加工性能。通过使用旋转加热平台及特别设计的模具进行浇铸，使铸锭形状几近产品形状，后续经过简单的机加工即可达到最终尺寸，制成合格产品，成功的解决了使用传统应力加工方法对该成分区间产品进行加工时极高报废率的问题。
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公开(公告)号：CN104032274B
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201410260448.7
申请日：2014-06-12
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法，所述CoCrPt系合金溅射靶材包括B元素，B元素的含量为0～20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相，其中富B相均匀的分布在富Co相中，所述富Co相的平均晶粒尺寸在20～50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0～20μm；所述CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法，包括：(1)真空熔炼；(2)热等静压；(3)热机械加工；(4)冷机械加工。使用本发明所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质，所述磁记录介质包括基底层，粘结层，软磁层，中间层和磁记录层，所述磁记录介质的矫顽力为3000～5000Oe，方形度为0.80～095。本发明化学成份均匀且偏离名义成分较小，解决了常规制备工艺中轧制开裂，成品率低，合金靶材化学成份偏离名义成份较多、有害杂质含量偏高等技术问题。
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